一种用于半导体芯片分切的UV胶膜制造技术

本申请实施例公开了一种用于半导体芯片分切的UV胶膜，其特征在该胶膜365nm波长光的透光率大于50%小于95%；所述基材薄膜单面磨砂，且磨砂颗粒度直径不大于5μm；所述基材薄膜的拉伸强度在20N\25mm到100N\25mm；所述基材薄膜的伸长率400%到1200%。在23℃、50%RH的条件下且剥离角度90度、剥离速度50mm/min时的、与以#3000研磨的硅镜面晶圆的剥离力在使所述粘合剂层放射线固化前为0.5N/25mm以上，在使所述粘合剂层放射线固化后为0.02～0.1N/25mm。与现有技术相比，本发明专利技术的优点在于：本发明专利技术所获得的基材薄膜由聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃材料中的一种或多种按比例聚合生成，相比一般的塑料薄膜做出的晶圆划片膜产品，这种薄膜做出的晶圆划片UV膜产品其优点是：1.需要的UV光能量更小；2.产品不会“粘棍”，3.产品不容易破膜和残胶。

A semiconductor chip for cutting the adhesive film

The embodiment of the invention discloses a semiconductor chip for cutting the UV film, characterized in light of the film of 365nm light wave rate greater than 50% and less than 95%; the base film and single matte, matte particle diameter not greater than 5 mu m; the tensile strength of the base film in 20N\\ 25mm to 100N\\25mm the base film; the elongation of 400% to 1200%. At 23 C, under the condition of 50%RH and the peeling angle of 90 degrees, 50mm/min, the stripping rate with silicon wafer surface peeling force #3000 grinding in the adhesive layer before radiation curing is above 0.5N/25mm, the radiation cured adhesive layer is 0.02 ~ 0.1N/25mm. Compared with the prior art, the invention has the advantages that: a base film obtained by the invention of the polymerization generated by one or more polyolefins such as polyethylene and polypropylene materials in proportion, wafer dicing film plastic film products generally compared to make the wafer dicing, UV film products this film made its advantages are: UV light 1. less energy is needed; 2. products are not \stick stick\, the 3. products are not easy to rupture and residue.

【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体芯片分切的UV胶膜
本专利技术涉及一种用于半导体芯片分切的UV胶膜。本专利技术特别是涉及在将半导体晶圆等切断分离成元件的小片时用于固定该半导体晶圆等被切断体的分切UV胶膜。
技术介绍
半导体晶圆在以大直径状态制造后，切断(切割)成元件小片，进而移送到安装工序。此时，半导体晶圆在贴附于划片膜的状态下实施切割工序、洗涤工序、扩张(expand)工序、拾取(pickup)工序、上芯工序的各工序。作为所述划片膜，使用将丙烯酸系粘合剂等的粘合剂层涂布、形成于包含塑料膜的基材上而成的划片膜。目前的晶圆切割划片膜的基材薄膜一般是采用单一型号的聚乙烯并添加部分助剂聚合生成，其生产工艺一般是吹塑、流延、压延发生产，从而使这种基材膜的表面光滑洁净，颜色透明，或者是采用比较粗纹路的光棍进行表面处理而使表面颗粒状磨砂化，但是这种基材生产出的晶圆划片膜强度一般不高，容易撕破；在晶圆划片膜使用过程中，特别是针对UV型晶圆划片膜的使用过程中，由于拉伸强度过低，使晶圆在扩膜过程中容易由于划片膜的破损而导致晶粒散落；在贴膜的过程中，由于划片膜的表面过于光滑而使划片膜和压辊之间的产生“粘棍”的现象，从而使贴膜容易失败。在晶圆划片膜使用过程中，特别是晶圆划片后在照射UV的过程中，由于划片膜的表面过于粗糙，表面颗粒度过大，从而使UV光的能量过分反射而达不到胶粘层从而使胶粘层的粘度固化不彻底或者固化时间过长，照射UV的时间过长或者粘度固化不彻底都会造成胶粘层的残胶。在晶圆切割后小芯片的拾取过程中，尤其在半导体晶圆的厚度成为100μm以下时，对于以往的分切UV胶膜，若如以往那样将上推针快速上推而拾取半导体芯片，则会有产生因将上推针上推所引起的冲击而使半导体芯片非常容易破裂的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种用于半导体芯片分切的UV胶膜，以克服现有技术中针对晶圆划片过程中容易出现的破膜、残胶和芯片破裂的技术问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：申请实施例公开了一种用于半导体芯片分切的UV胶膜的基材薄膜，该基材薄膜365nm波长光的透光率大于50%小于95%；所述基材薄膜单面磨砂，且磨砂颗粒度直径不大于5μm；所述基材薄膜的拉伸强度在20N\25mm到100N\25mm；所述基材薄膜的伸长率400%到1200%。在上述的用于晶圆划片膜的基材薄膜中，厚度并无特别限制，但优选60～200μm。优选的，在上述的用于晶圆划片膜的基材薄膜中，所述基材薄膜的材质按照重量比包括10%～35%的低密度聚乙烯、15%～50%的线形低密度聚乙烯、15%～55%的茂金属聚烯烃、10%～45%的醋酸乙烯酯共聚物、1%～5%的助剂。本申请专利技术的分切UV胶膜，其特征在于，其是在基材树脂膜的至少单侧具有放射线固化性的粘合剂层、且将晶圆贴合在所述粘合剂层并切割所述晶圆的分切UV胶膜，所述粘合剂层，相对于选自丙烯酸聚合物、乙酸乙烯酯聚合物及具有碳-碳双键的丙烯酸系聚合物中的1种或2种以上的聚合物100质量份，含1～40质量份的邻苯二甲酸酯类，23℃、50%RH的条件下且剥离角度90度、剥离速度50mm/min时的、与以#3000研磨的硅镜面晶圆的剥离力在使所述粘合剂层放射线固化前为0.5N/25mm以上，在使所述粘合剂层放射线固化后为0.02～0.1N/25mm。另外，就上述分切UV胶膜而言，优选所述邻苯二甲酸酯类对水的溶解度为0.1mg/L以下。与现有技术相比，本专利技术的优点在于：本专利技术所获得的基材薄膜由聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃材料中的一种或多种按比例聚合生成，相比一般的塑料薄膜做出的晶圆划片膜产品，这种薄膜做出的晶圆划片UV膜产品其优点是：1.需要的UV光能量更小；2.产品不会“粘棍”，3.产品不容易破膜和残胶。附图说明图1是示意性显示本专利技术的实施方式的分切UV胶膜的结构的剖视图。具体方式以下，对本专利技术的实施方式加以详细说明。本专利技术的实施方式的分切UV胶膜1在基材树脂膜2的至少单侧形成有至少1层的粘合剂层3。图1是显示本专利技术的放射线固化型的分切UV胶膜1的优选的实施方式的概略剖视图，分切UV胶膜1具有基材树脂膜2，且在基材树脂膜2上形成有粘合剂层3。另外，在粘合剂层3上形成有根据需要设置的隔片4。(基材树脂膜2)材质按照重量比包括10%～35%的低密度聚乙烯、15%～50%的线形低密度聚乙烯、15%～55%的茂金属聚烯烃、10%～45%的醋酸乙烯酯共聚物、1%～5%的助剂。在上述的用于晶圆划片膜的基材薄膜中，厚度并无特别限制，但优选60～200μm。为了提高密合性，可以对基材树脂膜2的与粘合剂层3接触的面实施电晕处理，也可实施底涂等处理。(粘合剂层3)若粘合剂层3为放射线固化型的粘合剂层3且具有规定的剥离力，则构成粘合剂层3的树脂组合物无特别限制，但优选为包含在聚合物侧链或主链中或主链末端具有碳—碳双键的聚合物的树脂组合物，或优选为在通常的粘合剂中配合紫外线固化性的单体成分、低聚物成分等紫外线固化树脂而成的树脂组合物。另外，上述树脂组合物优选具有选自氨基甲酸酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸低聚物、衣康酸低聚物及乙酸乙烯酯中的至少1种粘合剂作为主成分。作为包含聚合物侧链或主链中或主链末端具有碳—碳双键的聚合物的树脂组合物，使用含有丙烯酸聚合物(A)、与交联剂(B)、及根据需要的光聚合引发剂(C)的粘合剂组合物。(A)丙烯酸聚合物作为丙烯酸聚合物(A)，可列举以(甲基)丙烯酸酯成分为单体主成分(聚合物中的质量%超过50%)、且共聚有能与该(甲基)丙烯酸酯成分共聚且在分子内具有羟基的单体(含羟基的单体)成分的丙烯酸聚合物等。(B)交联剂作为交联剂(B)，优选至少使用多异氰酸酯作为交联剂、并使其在放射线固化前交联。作为多异氰酸酯交联剂，若为具有异氰酰基的交联剂则无特别限制。可列举出例如甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯等或它们的双缩脲型、异氰脲酸酯型、加合型、封端型等各种多聚物等。通过使用对羟基具有反应性的多异氰酸酯作为交联剂，变得能将聚醚多元醇引入交联结构中，可防止聚醚多元醇移行到半导体晶圆表面而污染晶圆表面。此外，可并用多异氰酸酯以外的交联剂作为交联剂。但是，丙烯酸聚合物(A)中，需要具有对交联剂具有反应性的官能团。作为此种交联剂，可从例如环氧系交联剂、氮丙啶系交联剂、三聚氰胺树脂系交联剂、脲树脂系交联剂、酸酐系交联剂、多元胺系交联剂、含羧基的聚合物系交联剂等中适当选择使用。(D)光聚合引发剂放射线固化性粘合剂层3中，为了在照射放射线时有效率地进行分子内具有碳-碳双键的丙烯酸系聚合物(或放射线固化性成分)的聚合、固化，可含光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，可列举例如苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻丙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚等苯偶姻烷基醚系引发剂；二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、聚乙烯基二苯甲酮等二苯甲酮系引发剂；α-羟基环己基苯基酮、甲氧基苯乙酮；苯偶酰二甲基缩酮等芳香族缩酮系引发剂等。作为光聚合引发剂的配合量，相对于丙烯酸聚合物(A)100质量份，可从0.5～30质量份、优选1～20质量份的范围适当选择。其他配合剂用于形成粘合剂层3的粘合剂组合物中，可根据需要含有例如增粘剂、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体芯片分切的UV胶膜，其特征在该胶膜365nm波长光的透光率大于50%小于95%；所述基材薄膜单面磨砂，且磨砂颗粒度直径不大于5μm；所述基材薄膜的拉伸强度在20N\25mm到100N\25mm；所述基材薄膜的伸长率400%到1200%。

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体芯片分切的UV胶膜，其特征在该胶膜365nm波长光的透光率大于50%小于95%；所述基材薄膜单面磨砂，且磨砂颗粒度直径不大于5μm；所述基材薄膜的拉伸强度在20N\25mm到100N\25mm；所述基材薄膜的伸长率400%到1200%。2.根据权利要求1所述的用于晶圆划片膜的基材薄膜，其特征在于：所述基材薄膜的材质按照重量比包括10%～35%的低密度聚乙烯、15%～50%的线形低密度聚乙烯、15%...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：上海馨晔电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31