包括电子封装件的光学模块的制造方法技术

一些形式包括一种电子封装件，该电子封装件包括光探测接收器IC和接收器IC。该电子封装件包括围绕光探测接收器IC和接收器IC的模塑件。光探测接收器IC和接收器IC彼此相邻但互不接触。其它形式包括一种光学模块，该光学模块包括衬底以及被安装在衬底上的电子封装件。电子封装件包括被围绕在模塑件内的光探测接收器IC和接收器IC。光探测接收器IC和接收器IC彼此相邻但互不接触。其它形式包括一种方法，该方法包括形成模塑件，该模塑件包括彼此相邻但互不接触的光探测接收器IC和接收器IC。光探测接收器IC包括在模塑件的表面上暴露出的光学部件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括电子封装件的光学模块的制造方法
文中描述的实施例总体上涉及一种制造电子封装件的方法，更具体而言，涉及一种制造包括电子封装件的光学模块的方法。
技术介绍
光学模块不断地被重新设计，以便以降低的功耗和组件成本提供更高的带宽密度。作为示例，需要一种采用光子器件并且能够携带大量数据的光学模块。对于板间应用和芯片间应用而言，高带宽光学模块是解决数据中心系统中不断增大的数据流量问题的关键。常规封装架构通常需要多管芯系统，该多管芯系统通常需要至少三种封装配置。一种封装配置包括叠置管芯，其中，存在发射器集成电路(下文简称IC)的直接附接，该IC包括直接附接到硅光子发射器管芯的分布式驱动器。另一种封装配置通常包括所处位置靠近光探测接收器IC的接收器IC。又一种封装配置通常包括附接到封装衬底(例如，通过倒装芯片附接)的功率管理IC。通常在硅光子发射器和光探测接收器IC上存在光学部件。作为示例，在光纤阵列之间可能存在与硅光子发射器和光探测接收器IC上的光学I/O区域的被动对准。硅光子发射器和光探测接收器IC上的这些光学I/O区域通常从安装硅光子发射器和光探测接收器IC的衬底伸出。常规光学模块的缺陷之一是存在精细间距倒装芯片互连区域，以用于实现高密度管芯叠置和较高的RF性能，尤其是在发射器IC与硅光子发射器管芯之间，以及用于将光探测接收器IC和接收器IC安装至衬底。通常，与用于将光探测接收器IC和接收器IC连接至衬底的精细间距互连(例如，80um间距)相比，硅光子发射器和功率管理IC以大凸点互连间距附接到衬底。用于各种部件的互连的尺寸之间的这些差异以及精细间距互连的使用一般会使得对于形成常规光学模块的部件难以具有高的组件产量、鲁棒的可靠性和良好的信号完整性。附图说明图1是现有技术光学模块。图2是示例性光学模块。图3是示出了可以在图2所示的光学模块中使用的示例性电子封装件的截面图。图4是在电子封装件仅被部分地制造的情况下图2所示的示例性电子封装件的顶视图。图5是沿线5-5截取的图4所示的示例性部分地制造的电子封装件的截面图。图6是图4所示的示例性部分地制造的电子封装件的晶圆级顶视图。图7是沿线7-7截取的图6所示的示例性部分地制造的电子封装件的截面图。图8是在电子封装件被进一步制造的情况下图7所示的示例性电子封装件的顶视图。图9是沿线9-9截取的图8所示的示例性部分地制造的电子封装件的截面图。图10是在电子封装件被进一步制造的情况下图9所示的示例性部分地制造的电子封装件的截面图。图11是在电子封装件被进一步制造的情况下图10所示的示例性部分地制造的电子封装件的截面图。图12是在电子封装件被进一步制造的情况下图11所示的示例性电子封装件的顶视图。图13是沿线13-13截取的图12所示的示例性部分地制造的电子封装件的截面图。图14是在电子封装件被进一步制造的情况下图13所示的示例性部分地制造的电子封装件的截面图。图15是在电子封装件被进一步制造的情况下图14所示的示例性部分地制造的电子封装件的截面图。图16是在电子封装件被进一步制造的情况下图16所示的示例性部分地制造的电子封装件的截面图。图17是制造电子封装件以及包括该电子封装件的光学模块的方法的流程图。图18是包含本文所述的电子封装件、光学模块和/或方法的至少其中之一的电子装置的方框图。具体实施方式下述说明和附图对具体实施例进行了充分地说明，以使得本领域技术人员能够对其进行实践。其它实施例可以包含结构、逻辑、电气、工艺及其它变化。一些实施例的部分和特征可以包含在其它实施例的部分或特征中或者替代其它实施例的部分或特征。权利要求中阐述的实施例涵盖这些权利要求的所有可得等效方案。本申请中使用的取向术语(例如，“水平”)是相对于与晶圆或衬底的常规平面或表面平行的平面定义的，而不管晶圆或衬底的取向如何。术语“竖直”是指垂直于如上定义的“水平”的方向。诸如“在……上”、“侧”(如“侧壁”中)、“上部”、“下部”、“在……上方”以及“在……下方”之类的介词是相对于晶圆或衬底的顶部表面上的常规平面或表面定义的，而不管晶圆或衬底的取向如何。本文中描述的示例性电子封装件、光学模块和方法能够提供一种光学模块(或者包括(例如，采用嵌入式晶圆级球栅阵列(下文称为eWLB)技术)被形成到单个模塑件中的光探测接收器IC以及接收器IC的光学模块的子部件)。文中描述的示例性电子封装件、光学模块和方法可以提供：(i)高吞吐量；(ii)高产量(例如，通过包含前置光学模块(pre-opticalmodule)子部件测试能力)以及(iii)用于硅光子模块的低成本组件，该硅光子模块能够被电气地、电子地和/或光学地集成到光学模块中。作为示例，采用eWLB扇出型封装结构可以提供(i)高的组件吞吐量；(ii)提供光探测接收器IC与接收器IC之间的高速电连接的晶圆级再分布层(RDL)；以及(iii)在光探测接收器IC的整个高密度操作带宽上对光探测接收器IC和接收器IC子部件的预组件(pre-assembly)可测试性。在图1所示的现有技术光学模块10中，光探测接收器IC12和接收器IC13被单独安装至衬底14。光探测接收器IC12从衬底14伸出。这一伸出(参见尺寸OH)经常导致光学模块10的可靠性问题。本文中描述的示例性电子封装件、光学模块和方法可以显著地缓解常规光学模块中存在的光探测接收器IC伸出问题。减少了伸出问题，这是因为与常规光学模块相比在文中描述的示例性电子封装件、光学模块和方法中包括光探测接收器IC的模塑件具有更大的表面积。此外，降低了与制造本文中描述的示例性电子封装件、光学模块和方法相关联的管芯应用过程的数量(即，从四个管芯降到了三个管芯)。这一管芯应用过程的数量的降低可以简化与制造文中描述的示例性电子封装件、光学模块和方法相关联的制造过程。本文中描述的示例性电子封装件、光学模块和方法还可以缓解与将光探测接收器IC和接收器IC安装至光学模块衬底相关联的管芯碎裂问题。常规光学模块中的光探测接收器IC和接收器IC经常由于底部填充溢出的原因而具有与将光探测接收器IC和接收器IC安装至光学模块衬底相关联的管芯碎裂问题。此外，降低了在本文中描述的示例性电子封装件、光学模块和方法中使用任何铜柱的需求。作为示例，可以消除制造常规光学模块中通常与光探测接收器IC和接收器IC一起使用的铜柱的许多困难，因为可以使用再分布层(下文简称RDL)在光探测接收器IC与接收器IC之间发送高速信号。还可以对本文中描述的示例性电子封装件和方法进行晶圆级测试。这种进行晶圆级测试的能力可以是相对于常规电子封装件的改进，在常规电子封装件中，通常要单独地对光探测接收器IC和接收器IC进行测试。图2是示例性光学模块20。图3是示出了可以在图2所示的光学模块20中使用的示例性电子封装件30的截面图。电子封装件30包括光探测接收器IC32和接收器IC33。模塑件35围绕光探测接收器IC32和接收器IC33。光探测接收器IC32和接收器IC33彼此相邻但互不接触。模塑件35内的光探测接收器IC32和接收器IC33的相对位置部分地取决于电子封装件30的总尺寸和配置以及光探测接收器IC32和接收器IC33的总尺寸和配置。在一些形式中，光学部件37本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子封装件，包括：光探测接收器IC；接收器IC；以及模塑件，所述模塑件围绕所述光探测接收器IC和所述接收器IC，其中，所述光探测接收器IC和所述接收器IC彼此相邻但互不接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电子封装件，包括：光探测接收器IC；接收器IC；以及模塑件，所述模塑件围绕所述光探测接收器IC和所述接收器IC，其中，所述光探测接收器IC和所述接收器IC彼此相邻但互不接触。2.根据权利要求1所述的电子封装件，其中，所述模塑件包括其中所述光探测接收器IC上的光学部件被暴露出的部分。3.根据权利要求2所述的电子封装件，还包括位于所述模塑件的表面上的电连接，其中，一些电连接被电连接至所述光探测接收器IC，而一些电连接被电连接至所述接收器IC。4.根据权利要求3所述的电子封装件，其中，所述模塑件的包括暴露出的光学部件的所述部分位于所述模塑件的表面上。5.根据权利要求3所述的电子封装件，其中，所述电连接包括被配置用于连接至焊球的焊盘。6.根据权利要求3所述的电子封装件，还包括电再分布层，所述电再分布层将与所述光探测接收器IC电连接的所述电连接中的一些电连接至与所述接收器IC电连接的所述电连接中的一些。7.根据权利要求2所述的电子封装件，其中，所述光学部件包括微透镜阵列。8.一种光学模块，包括：衬底；电子封装件，所述电子封装件被安装在所述衬底上，其中，所述电子封装件包括被围绕在模塑件内的光探测接收器IC和接收器IC，其中，所述光探测接收器IC和所述接收器IC彼此相邻但互不接触。9.根据权利要求8所述的光学模块，其中，所述模塑件包括其中所述光探测接收器IC上的光学部件被暴露出的部分。10.根据权利要求9所述的光学模块，其中，所述电子封装件还包括：位于所述模塑件的表面上的电连接，其中，一些电连接被电连接至所述光探测接收器IC，而一些电连接被电连接至所述接收器IC；以及电再分布层，所述电再分布层将与所述光探测接收器IC电连接的所述电连接中的一些电连接至与所述接收器IC电连接的所述电连接中的一些，并且其中，所述电连接包括被配置用于连接至焊球的焊盘。11.根据权利要求9所述的光学...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·J·严，J·S·李，JM·洪，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US