一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置用以解决现有技术中存在的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法会降低金属氧化物薄膜晶体管的电连接性。本发明专利技术方法包括：在金属氧化物有源层上制备第一抗刻蚀层图案，其中第一抗刻蚀层图案掺杂有导电介质；在对金属氧化物进行刻蚀形成金属氧化物有源层图案后，制备金属氧化物薄膜晶体管的源极和漏极。由于第一抗刻蚀层图案掺杂有电阻率较低的导电介质，使得源极与金属有源层和漏极与金属有源层之间形成良好的电接触区域，从而提高降低金属氧化物薄膜晶体管的电连接性。

A thin film transistor and its preparation method, array substrate and display device

The invention discloses a thin film transistor, a preparation method, an array substrate and a display device, so as to solve the existing method of preparing metal oxide thin film transistors in the existing technology, which can reduce the electrical connectivity of metal oxide thin film transistors. The method of the invention includes: the metal oxide active layer prepared on the first etching layer pattern, wherein the first etching pattern layer doped with conductive medium; on metal oxide etching to form metal oxide active layer is patterned after the preparation of metal oxide thin film transistor source and drain. Because the first resist layer pattern is doped with conductive medium with low resistivity, a good electrical contact area is formed between the source electrode and the metal active layer and the drain electrode and the metal active layer, thereby improving the electrical connectivity of the metal oxide thin film transistor.

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置
本专利技术涉及通信
，特别涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。
技术介绍
随着科学技术的发展，平板显示装置已经取代笨重的CRT(CathodeRayTube，阴极射线管)显示装置日益深入人们的日常生活中。目前，常用的平板显示装置包括LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示装置)和OLED(OrganicLight-EmittingDiode，发光二极管)显示装置。薄膜晶体管(TFT，ThinFilmTransistor)是实现液晶显示装置和OLED显示装置大尺寸的关键，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。在现有技术中，已实现产业化的薄膜晶体管主要有非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、单晶硅薄膜晶体管等。随着技术的发展，出现了金属氧化物薄膜晶体管，金属氧化物薄膜晶体管具有载流子迁移率高的优点，使得薄膜晶体管可以做的很小，而同时使平板显示装置的分辨率越高，显示效果越好；同时金属氧化物薄膜晶体管还具有特性不均现象少、材料和工艺成本降低、工艺温度低、可利用涂布工艺、透明率高、带隙大等优点，因此备受业界关注。但是目前制作金属氧化物薄膜晶体管一般要增加一次构图工艺来设置刻蚀阻挡层，主要原因在于在刻蚀形成源漏金属电极时会腐蚀氧化物半导体材料形成的有源层，通过在有源层上方增加刻蚀阻挡层，以便保护有源层在刻蚀形成源漏金属电极的过程中不被源漏电极刻蚀液腐蚀，而这一层刻蚀阻挡层位于制备完成金属氧化物薄膜晶体管的源极和金属氧化物有源层以及漏极和金属氧化物有源层之间，降低了金属氧化物薄膜晶体管的电连接性。综上，现有的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法会降低金属氧化物薄膜晶体管的电连接性。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，用以解决现有技术中存在的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法会降低金属氧化物薄膜晶体管的电连接性。本专利技术方法包括：在金属氧化物有源层上制备第一抗刻蚀层图案，其中第一抗刻蚀层图案掺杂有导电介质；在对金属氧化物进行刻蚀形成金属氧化物有源层图案后，制备金属氧化物薄膜晶体管的源极和漏极。可选地，若第一抗刻蚀层图案为掺杂有导电介质的光刻胶层图案；制备金属氧化物薄膜晶体管的源极和漏极，包括：在第一抗刻蚀层图案上覆盖源漏极金属层；在源漏极金属层上形成第二抗刻蚀层图案，其中第二抗刻蚀层图案为光刻胶层图案；刻蚀源漏极金属层中未被第二抗刻蚀层图案覆盖的区域形成源极和漏极。可选地，刻蚀源漏极金属层中未被第二抗刻蚀层图案覆盖的区域形成源极和漏极之后，还包括：通过一次构图工序剥离第一抗刻蚀层图案中未被源极和漏极覆盖的区域以及剥离第二抗刻蚀层图案。可选地，通过一次构图工序剥离第一抗刻蚀层图案中未被源极和漏极覆盖的区域以及剥离第二抗刻蚀层图案，包括：利用光刻胶剥离液剥离第一抗刻蚀层图案中未被源极和漏极覆盖的区域以及剥离第二抗刻蚀层图案。可选地，制备金属氧化物薄膜晶体管的源极和漏极之前，还包括：对第一抗刻蚀层图案进行减薄处理。可选地，导电介质包括下列中的部分或全部：金属粒子；导电合金粒子；金属氧化物粒子；非金属导电粒子。可选地，导电介质包括纳米石墨烯。可选地，若第一抗刻蚀层图案为掺杂有导电介质的光刻胶层图案，在金属氧化物有源层上制备第一抗刻蚀层图案，包括：在将掺杂有导电介质的光刻胶层材料在金属氧化物有源层上涂覆成薄膜后，对薄膜进行热固化处理形成光刻胶层；在光刻胶层形成第一抗刻蚀层图案。本专利技术提供的一种金属氧化物薄膜晶体管，该金属氧化物薄膜晶体管为根据本专利技术中的生产金属氧化物薄膜晶体管的方法生产的金属氧化物薄膜晶体管。本专利技术提供的一种阵列基板，包括根据本专利技术中的生产金属氧化物薄膜晶体管的方法生产的金属氧化物薄膜晶体管。本专利技术提供的一种显示装置，包括根据本专利技术中的生产金属氧化物薄膜晶体管的方法生产的金属氧化物薄膜晶体管。根据本专利技术实施例提供的生产金属氧化物薄膜晶体管的方法，由于在金属氧化物有源层的上层制备掺杂有导电介质的第一抗刻蚀层图案，在形成源极和漏极后，掺杂的电阻率较低的导电介质能够增加与源极和漏极的电接触面积并降低与源极和漏极的界面处的接触电阻，因此能够在源极与金属有源层和漏极与金属有源层之间形成良好的电接触区域，从而提高降低金属氧化物薄膜晶体管的电连接性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种生产金属氧化物薄膜晶体管的方法的步骤示意图；图2为本专利技术实施例提供的金属氧化物薄膜晶体管的结构示意图(一)；图3为本专利技术实施例提供的金属氧化物薄膜晶体管的结构示意图(二)；图4为本专利技术实施例提供的金属氧化物薄膜晶体管的结构示意图(三)；图5为本专利技术实施例提供的金属氧化物薄膜晶体管的结构示意图(四)；图6为本专利技术实施例提供的金属氧化物薄膜晶体管的结构示意图(五)；图7为本专利技术实施例提供的金属氧化物薄膜晶体管的结构示意图(六)；图8为本专利技术实施例提供的金属氧化物薄膜晶体管的结构示意图(七)；图9为本专利技术实施例提供的金属氧化物薄膜晶体管的结构示意图(八)；图10为本专利技术实施例提供的金属氧化物薄膜晶体管的结构示意图(九)；图11为本专利技术实施例提供的金属氧化物薄膜晶体管的结构示意图(十)；图12为本专利技术实施例提供的生产金属氧化物薄膜晶体管的具体流程示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。以图1说明本专利技术实施例中生产金属氧化物薄膜晶体管的方法，该方法包括以下步骤：步骤101：在金属氧化物有源层上制备第一抗刻蚀层图案，其中第一抗刻蚀层图案掺杂有导电介质；步骤102：在对金属氧化物进行刻蚀形成金属氧化物有源层图案后，制备金属氧化物薄膜晶体管的源极和漏极。本专利技术实施例中，在金属氧化物有源层的上层制备掺杂有导电介质的第一抗刻蚀层图案，在形成源极和漏极后，第一抗刻蚀层图案中掺杂的电阻率较小的导电介质能够增加与源极和漏极的电接触面积并降低与源极和漏极的界面处的接触电阻，因此能够在源极与金属有源层和漏极与金属有源层之间形成良好的电接触区域，从而提高降低金属氧化物薄膜晶体管的电连接性。本专利技术实施例中，掺有导电介质的第一抗刻蚀层图案制备于金属氧化物有源层上。其中，金属氧化物有源层是用于形成有源层图案的金属氧化物层。本专利技术实施例中的金属氧化物有源层可以是IGZO(IndiumGalliumZincOxide，铟镓锌氧化物)、IZO(IndiumZincOxide，铟锌氧化物)、In2O3(氧化铟):Mo(钼)(掺钼氧化铟)、ZnO(氧化锌):Al(铝)(掺铝氧化锌)、TiO2:Nb(掺铌二氧化钛)、Cd-Sn-O(锡镉锡氧化物)或者其他金属氧化物等。本专利技术实施例中的导电介质可以是电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种生产金属氧化物薄膜晶体管的方法，其特征在于，该方法包括：在金属氧化物有源层上制备第一抗刻蚀层图案，其中第一抗刻蚀层图案掺杂有导电介质；在对金属氧化物进行刻蚀形成金属氧化物有源层图案后，制备金属氧化物薄膜晶体管的源极和漏极。

【技术特征摘要】
1.一种生产金属氧化物薄膜晶体管的方法，其特征在于，该方法包括：在金属氧化物有源层上制备第一抗刻蚀层图案，其中第一抗刻蚀层图案掺杂有导电介质；在对金属氧化物进行刻蚀形成金属氧化物有源层图案后，制备金属氧化物薄膜晶体管的源极和漏极。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，若所述第一抗刻蚀层图案为掺杂有所述导电介质的光刻胶层图案；所述制备金属氧化物薄膜晶体管的源极和漏极，包括：在第一抗刻蚀层图案上覆盖源漏极金属层；在源漏极金属层上形成第二抗刻蚀层图案，其中所述第二抗刻蚀层图案为光刻胶层图案；刻蚀所述源漏极金属层中未被所述第二抗刻蚀层图案覆盖的区域形成源极和漏极。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述源漏极金属层中未被所述第二抗刻蚀层图案覆盖的区域形成源极和漏极之后，还包括：通过一次构图工序剥离所述第一抗刻蚀层图案中未被所述源极和所述漏极覆盖的区域以及剥离所述第二抗刻蚀层图案。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述通过一次构图工序剥离所述第一抗刻蚀层图案中未被所述源极和所述漏极覆盖的区域以及剥离所述第二抗刻蚀层图案，包括：利用光刻胶剥离液剥离所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫奎，段献学，李纪龙，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11