薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。薄膜晶体管的制作方法，包括：在衬底基板上形成遮光金属图形和源漏金属层图形；形成缓冲层，对缓冲层进行构图，形成暴露出部分遮光金属图形的第一过孔和暴露出部分源漏金属层图形的第二过孔；在缓冲层上形成半导体层的图形，半导体层的图形包括源极区、漏极区、位于源极区和漏极区之间的有源层，源极区通过第一过孔与遮光金属图形连接，漏极区通过第二过孔与源漏金属层图形连接；在半导体层的图形上形成栅绝缘层和栅极；以栅极为掩膜，对源极区和漏极区进行导体化处理，形成薄膜晶体管的源极和漏极。本发明专利技术能够保证薄膜晶体管的产品良率和显示基板的显示效果。

Thin film transistors, display substrates and their fabrication methods and display devices

The invention provides a thin film transistor, a display substrate, a manufacturing method and a display device, which belong to the field of display technology. Method of manufacturing a thin film transistor: shading metal pattern and source drain metal layer pattern formed on a substrate; forming a buffer layer, patterning of the buffer layer, the formation of the exposed part of the metal shading pattern on a first through hole and the exposed part of the source drain metal layer pattern second through hole; a semiconductor layer is formed in the graphic the buffer layer, a semiconductor layer pattern includes a source region and drain region is located in the active layer, a source region and a drain region between the source region are connected through the first through hole and light metal pattern, a drain region through second vias and source drain metal layer connection pattern; a gate insulating layer and a gate electrode formed on a semiconductor layer pattern to the gate; as a mask for the source and drain regions of the conductor processing, forming a thin film transistor source and drain. The invention can ensure the good rate of the product of the film transistor and display the display effect of the substrate.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是指一种薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
由于顶栅型的氧化物TFT(薄膜晶体管)具有较低的寄生电容，较优良的电学特性，因此被视为是大尺寸高分辨率的AMOLED(有源矩阵有机发光二极体)显示器的首选技术方案。顶栅型TFT常采用共面结构的自对准工艺技术来制作，在顶栅自对准共面结构的TFT中，氧化物有源层位于源漏金属层和栅金属层下方，靠近衬底基板，很容易受到外界光源或者环境光的照射，而氧化物有源层的光照稳定性较差，因此顶栅型的氧化物TFT常常需要在氧化物有源层下方制作金属图形用来遮光。由于现有技术需要利用专门的一次构图工艺来制作用来遮光的金属图形，因此会增加顶栅型的氧化物TFT的构图工艺次数，导致顶栅型的氧化物TFT的构图工艺次数较多，生产成本较高；并且现有技术中为了提高顶栅型TFT的电学特性，一般将用来遮光的金属图形与源漏金属层进行电连接，连接金属图形与源漏金属层的过孔需要同时贯穿层间绝缘层和缓冲层，过孔的深度较大，提高了打孔工艺的难度，并且容易产生工艺上的不良，例如搭接断线。同时，顶栅自对准共面结构的TFT中，经常将导体化后的氧化物有源层作为源电极、漏电极和数据线使用，这样在大尺寸面板上，由于导电性的不佳会造成严重的IRDrop(压降)现象，影响显示效果。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置，能够保证薄膜晶体管的产品良率和显示基板的显示效果。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：一方面，提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：在衬底基板上形成遮光金属图形和源漏金属层图形；形成覆盖所述遮光金属图形和所述源漏金属层图形的缓冲层，对所述缓冲层进行构图，形成暴露出部分所述遮光金属图形的第一过孔和暴露出部分所述源漏金属层图形的第二过孔；在所述缓冲层上形成半导体层的图形，所述半导体层的图形包括源极区、漏极区、位于所述源极区和所述漏极区之间的有源层，所述遮光金属图形在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影，且所述遮光金属图形在所述衬底基板上的正投影至少覆盖部分所述源极区和部分所述漏极区在所述衬底基板上的正投影，所述源极区通过所述第一过孔与所述遮光金属图形连接，所述漏极区通过所述第二过孔与所述源漏金属层图形连接；在所述半导体层的图形上形成栅绝缘层的图形和栅极，所述栅绝缘层的图形在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影重合；以所述栅极为掩膜，对所述源极区和所述漏极区进行导体化处理，形成薄膜晶体管的源极和漏极。进一步地，所述在衬底基板上形成遮光金属图形和源漏金属层图形包括：在衬底基板上通过一次构图工艺同时形成所述遮光金属图形和所述源漏金属层图形。进一步地，形成栅绝缘层的图形和栅极包括：通过一次构图工艺同时形成所述栅绝缘层的图形和栅极。进一步地，所述半导体层的图形为采用金属氧化物半导体材料。本专利技术实施例还提供了一种薄膜晶体管，采用如上所述的制作方法制作得到，包括：位于衬底基板上的同层的遮光金属图形和源漏金属层图形；覆盖所述遮光金属图形和所述源漏金属层图形的缓冲层，所述缓冲层包括对应所述遮光金属图形的第一过孔和对应所述源漏金属层图形的第二过孔；位于所述缓冲层上的源极、漏极和有源层，所述遮光金属图形在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影，且所述遮光金属图形在所述衬底基板上的正投影至少覆盖部分所述源极区和部分所述漏极区在所述衬底基板上的正投影，所述源极通过所述第一过孔与所述遮光金属图形连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述源漏金属层图形连接；位于所述有源层上的栅绝缘层的图形；位于所述栅绝缘层上的栅极，所述栅极在所述衬底基板上的正投影与所述栅绝缘层的图形在所述衬底基板上的正投影重合。本专利技术实施例还提供了一种显示基板的制作方法，包括采用如上所述的方法在衬底基板上制作薄膜晶体管。进一步地，在制作所述薄膜晶体管之后，所述制作方法还包括：形成钝化层，对所述钝化层进行构图形成暴露出部分所述薄膜晶体管的漏极的第三过孔；在所述钝化层上形成像素电极的图形，所述像素电极通过所述第三过孔与所述漏极连接。本专利技术实施例还提供了一种显示基板，包括位于衬底基板上的如上所述的薄膜晶体管。进一步地，所述显示基板还包括：覆盖所述薄膜晶体管的钝化层；通过贯穿所述钝化层的第三过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接的像素电极。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。本专利技术的实施例具有以下有益效果：上述方案中，连接源极区与遮光金属图形以及连接漏极区与源漏金属层图形的过孔仅需贯穿缓冲层，过孔的深度较小，降低了打孔工艺的难度，能够减少工艺上的不良，保证薄膜晶体管的产品良率；并且本实施例并不是完全利用导体化的半导体层的图形来充当源漏金属层图形，还利用金属制作源漏金属层图形，能够保证源漏金属层图形的导电性能，避免IRDrop现象，改善显示装置的显示效果。附图说明图1-图8为现有显示基板的制作流程示意图；图9-图14为本专利技术实施例显示基板的制作流程示意图；图15为本专利技术实施例显示基板的平面结构示意图。附图标记1、21衬底基板2、221遮光金属图形3、23缓冲层4、24半导体层的图形5、25栅绝缘层6、26栅极7层间绝缘层8、222源漏金属层图形9、27钝化层10、28像素电极具体实施方式为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。如图1-图8所示，现有技术一般需要通过7-8次构图工艺来制作顶栅型TFT的显示基板，具体地，现有顶栅型TFT显示基板的制作方法包括以下步骤：步骤1、如图1所示，提供一衬底基板1，在衬底基板1上形成遮光金属图形2；其中，衬底基板1可为玻璃基板或石英基板。可以采用溅射或热蒸发的方法在衬底基板1上沉积一层金属层，对金属层进行构图形成遮光金属图形2，金属层可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金，任何具有遮光效果的金属导电薄膜均可用以制作遮光金属图形2。步骤2、如图2所示，形成缓冲层3；缓冲层3可采用SiOx或者SiNx或者SiOx和SiNx的复合膜层。步骤3、如图3所示，形成半导体层的图形4；在缓冲层3上沉积一层半导体材料，对半导体材料层进行构图形成半导体层的图形4，半导体材料可以采用金属氧化物半导体，比如IGZO或ITZO。步骤4、如图4所示，在半导体层的图形4上形成栅绝缘层5和栅极6的图形；其中，可以通过两次构图工艺分别形成栅绝缘层5和栅极6的图形，也可以通过一次构图工艺同时形成栅绝缘层5和栅极6的图形，栅绝缘层5在衬底基板1上的正投影与栅极6在衬底基板1上的正投影重合。步骤5、如图5所示，形成层间绝缘层7的图形，层间绝缘层7包括有暴露出半导体层的图形4的过孔和暴露出遮光金属图形2的过孔，这两种过孔的深度不一致，暴露出遮光金属图形2的过孔的深度较大，提高了打孔工艺的难度，并且容易产生工艺上的不良，例如搭接断线。此时需要优良的刻蚀工艺来保证两个不同深度的过孔的刻蚀效果，否则需要两道构图工艺来完成两个不同深度的过孔的形成。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成遮光金属图形和源漏金属层图形；形成覆盖所述遮光金属图形和所述源漏金属层图形的缓冲层，对所述缓冲层进行构图，形成暴露出部分所述遮光金属图形的第一过孔和暴露出部分所述源漏金属层图形的第二过孔；在所述缓冲层上形成半导体层的图形，所述半导体层的图形包括源极区、漏极区、位于所述源极区和所述漏极区之间的有源层，所述遮光金属图形在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影，且所述遮光金属图形在所述衬底基板上的正投影至少覆盖部分所述源极区和部分所述漏极区在所述衬底基板上的正投影，所述源极区通过所述第一过孔与所述遮光金属图形连接，所述漏极区通过所述第二过孔与所述源漏金属层图形连接；在所述半导体层的图形上形成栅绝缘层的图形和栅极，所述栅绝缘层的图形在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影重合；以所述栅极为掩膜，对所述源极区和所述漏极区进行导体化处理，形成薄膜晶体管的源极和漏极。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成遮光金属图形和源漏金属层图形；形成覆盖所述遮光金属图形和所述源漏金属层图形的缓冲层，对所述缓冲层进行构图，形成暴露出部分所述遮光金属图形的第一过孔和暴露出部分所述源漏金属层图形的第二过孔；在所述缓冲层上形成半导体层的图形，所述半导体层的图形包括源极区、漏极区、位于所述源极区和所述漏极区之间的有源层，所述遮光金属图形在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影，且所述遮光金属图形在所述衬底基板上的正投影至少覆盖部分所述源极区和部分所述漏极区在所述衬底基板上的正投影，所述源极区通过所述第一过孔与所述遮光金属图形连接，所述漏极区通过所述第二过孔与所述源漏金属层图形连接；在所述半导体层的图形上形成栅绝缘层的图形和栅极，所述栅绝缘层的图形在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影重合；以所述栅极为掩膜，对所述源极区和所述漏极区进行导体化处理，形成薄膜晶体管的源极和漏极。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成遮光金属图形和源漏金属层图形包括：在衬底基板上通过一次构图工艺同时形成所述遮光金属图形和所述源漏金属层图形。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，形成栅绝缘层的图形和栅极包括：通过一次构图工艺同时形成所述栅绝缘层的图形和栅极。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述半导体层的图形为采用金属氧化物半导体材料。5.一种薄膜晶体管，其特征在于，采用如权利要求1-4中任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘威，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11