薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及使用了薄膜晶体管的图像显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供在利用印刷法等湿式成膜法形成各层的有机半导体薄膜晶体管中显示良好特性的薄膜晶体管。薄膜晶体管包含：绝缘性的基板；形成在绝缘性的基板上的栅电极；形成在基板及栅电极上的栅绝缘层；在栅绝缘层上相互分开地形成的源电极及漏电极；在栅绝缘层上连接于源电极及漏电极而形成的半导体层；形成在半导体层上的半导体保护层；形成在源电极、漏电极及半导体保护层上且含有氟化合物的层间绝缘膜；以及形成在层间绝缘膜上的上部电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及使用了薄膜晶体管的图像显示装置
本专利技术涉及薄膜晶体管、其制造方法及使用了薄膜晶体管的图像显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管被广泛用于液晶显示装置(LCD)、有机电致发光(EL)显示装置、电子纸显示装置(EPD)等显示装置或各种传感器等中。作为薄膜晶体管中使用的半导体材料，使用了非晶质硅或多晶硅或氧化物半导体等的材料成为主流。一般来说，在使用了这些半导体材料的薄膜晶体管中，通过使用真空成膜法进行成膜之后、利用光刻法等进行布图，从而制作。近年来，作为半导体材料使用了有机材料的有机薄膜晶体管倍受关注。有机半导体材料与之前的硅系材料或氧化物系材料相比时，迁移率小，难以制作高性能的薄膜晶体管。但是，有机材料的材料分子的设计自由度高，随着近年的技术进步，具有超过非晶质硅的迁移率的有机薄膜晶体管也多有报道。有机薄膜晶体管的制造中，可以使用对半导体材料、导电性材料及绝缘性材料等的溶液进行涂布、印刷的湿式成膜法。湿式成膜法在具有能够在低温的塑料基板上形成器件以及低成本的器件制造的可能性方面倍受期待。特别是，由于印刷法是成膜和布图的工序同时进行，因此与以往使用光刻工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其包含：绝缘性的基板；形成在所述绝缘性的基板上的栅电极；形成在所述基板及所述栅电极上的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上相互间分开地形成的源电极及漏电极；在所述栅绝缘层上连接于所述源电极及所述漏电极而形成的半导体层；形成在所述半导体层上的半导体保护层；形成在所述源电极、所述漏电极及所述半导体保护层上且含有氟化合物的层间绝缘膜；以及形成在所述层间绝缘膜上的上部电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.25 JP 2015-0628531.一种薄膜晶体管，其包含：绝缘性的基板；形成在所述绝缘性的基板上的栅电极；形成在所述基板及所述栅电极上的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上相互间分开地形成的源电极及漏电极；在所述栅绝缘层上连接于所述源电极及所述漏电极而形成的半导体层；形成在所述半导体层上的半导体保护层；形成在所述源电极、所述漏电极及所述半导体保护层上且含有氟化合物的层间绝缘膜；以及形成在所述层间绝缘膜上的上部电极。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述层间绝缘膜所含有的氟化合物是含有氟基的表面活性剂。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述表面活性剂是非离子性的。4.根据权利要求1～3中任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述层间绝缘膜含有0.05重量％以上且10重量％以下的浓度的氟化合物。5.根据权利要求1～4中任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述层间绝缘膜的相对介电常数为...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田典昭，西泽诚，
申请(专利权)人：凸版印刷株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP