一种功率型紫外LED器件制造技术

本申请公开了一种功率型紫外LED器件，包括散热基板以及倒装在所述散热基板上的LED芯片，所述散热基板包括底座，所述底座表面固定有至少一层由氮化铝层和金属布线层组成的复合层，所述复合层在垂直于所述底座表面的方向上开设有第一通孔，所述第一通孔内设置有与所述LED芯片并联且异相连接的外部静电保护模组。上述功率型紫外LED器件，不仅出光量更大、散热性能更优越，还能够减小封装及组装过程中静电释放对LED芯片的危害，并能够避免单一结构的静电保护二极管损坏后造成整体失效。

【技术实现步骤摘要】
一种功率型紫外LED器件
本技术属于LED光源器件
，特别是涉及一种功率型紫外LED器件。
技术介绍
随着技术的发展，紫外LED的性能得到不断的提升，与目前常用的气体紫外光源相比较，紫外LED属于冷光源，具有寿命长、可靠性高、照射亮度均匀、效率高以及不含有毒物质的优点，在生物医疗、表面杀菌清洁、印刷光刻、光固化生产以及通信探测等领域中都具有重要的作用。目前在制备LED外延片的过程中，衬底模板和外延层等材料在生长时，存在表面裂纹、晶体质量差、结构材料设计困难等缺陷，而后期共晶焊和倒装工艺过程中，也存在着大功率LED芯片尺寸大、产热多、SiO2层散热差、刻蚀面积大而导致发光面积小、发光强度低、亮度不高以及存在漏电、电压浪涌、静电释放危害等问题，还存在LED外延片多层结构中深紫外光的全内反射损失，以及电极对光线的吸收而导致光提取效率差，甚至出现LED芯片因紫外光照射而出现性能急剧恶化等现象，明显缩短了LED器件的使用寿命，降低了可靠性。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术提供了一种功率型紫外LED器件，不仅出光量更大、散热性能更优越，还能够减小封装及组装过程中静电释放对LED芯片的危害，并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率型紫外LED器件，包括散热基板以及倒装在所述散热基板上的LED芯片，其特征在于，所述散热基板包括底座，所述底座表面固定有至少一层由氮化铝层和金属布线层组成的复合层，所述复合层在垂直于所述底座表面的方向上开设有第一通孔，所述第一通孔内设置有与所述LED芯片并联且异相连接的外部静电保护模组。

【技术特征摘要】
1.一种功率型紫外LED器件，包括散热基板以及倒装在所述散热基板上的LED芯片，其特征在于，所述散热基板包括底座，所述底座表面固定有至少一层由氮化铝层和金属布线层组成的复合层，所述复合层在垂直于所述底座表面的方向上开设有第一通孔，所述第一通孔内设置有与所述LED芯片并联且异相连接的外部静电保护模组。2.根据权利要求1所述的功率型紫外LED器件，其特征在于，所述外部静电保护模组为依次横向沉积在所述第一通孔里面的n型接触层和p型接触层，或者，n型接触层、p型接触层和n型接触层。3.根据权利要求1所述的功率型紫外LED器件，其特征在于，所述复合层包括利用导电银浆依次固定在所述底座表面的第一氮化铝层、第一金属布线层、第二氮化铝层和第二金属布线层。4.根据权利要求3所述的功率型紫外LED器件，其特征在于，所述第一氮化铝层和所述第二氮化铝层中设置有多个贯穿其中的微型的第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：何苗，杨思攀，黄波，王志成，王成民，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：新型
国别省市：广东,44