【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及作为以氮化物或氧氮化物为母体的荧光体的制造原料的 含氮合金以及使用该含氮合金为原料来制造以氮化物或氧氮化物为母体 的荧光体的制造方法。
技术介绍
荧光体用于荧光灯、荧光显示管(VFD)、场发射显示器(FED)、等离 子体显示板(PDP)、阴极射线管(CRT)、白色发光二极管(LED)等。任意这 些用途中，为了使荧光体发光，需要向荧光体供给激发荧光体的能量， 荧光体被真空紫外线、紫外线、可见光线、电子线等具有高能量的激发 源激发时，发出紫外线、可见光线、红外线。但是，荧光体长期曝露在 上述那样的激发源下时，存在荧光体的辉度降低的问题。因此，近年为了取代现有的硅酸盐荧光体、磷酸盐荧光体、铝酸盐 荧光体、硼酸盐荧光体、硫化物荧光体、氧硫化物荧光体等荧光体，合 成了多种新颖的三元系以上的氮化物。特别是近年在以氮化硅为基础的 多成分氮化物、氧氮化物方面，开发出了具有优异特性的荧光体。下述专利文献1公开了以通式MxSiyNz:Eu表示的荧光体。这些荧光体是如下合成的通过 对碱土金属进行氮化来合成碱土金属的氮化物，在其中加入氮化硅，合 成荧光体；或者以碱土金属和...
【技术保护点】
一种荧光体制造方法，其具有在含氮气氛下对荧光体原料进行加热的工序，该制造方法的特征在于： 其使用荧光体原料用合金作为荧光体原料的一部分或全部，所述荧光体原料用合金为含有２种以上构成荧光体的金属元素的合金，并且 在上述加热工序中， 在从低于上述荧光体原料用合金的熔点１００℃的温度到低于该熔点３０℃的温度的温度范围，在每１分钟的温度变化为５０℃以内的条件下进行加热。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：木岛直人，渡边展，关敬一，
申请(专利权)人：三菱化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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