用于基于箔的太阳能电池金属化的厚损伤缓冲层制造技术

本发明专利技术描述了基于箔的太阳能电池金属化的方法以及所得太阳能电池。还提供了一种方法，所述方法涉及图案化金属箔的第一表面以在所述金属箔中提供多个交替的凹槽和脊。在所述金属箔的所述凹槽中形成非导电材料区。所述金属箔位于设置在基板中或基板上方的多个交替的N型半导体区和P型半导体区上方，以提供与所述交替的N型半导体区和P型半导体区之间的位置对准的所述非导电材料区，并提供与所述交替的N型半导体区和P型半导体区对准的所述脊。所述金属箔的所述脊粘附至所述交替的N型半导体区和P型半导体区。在与所述非导电材料区对准的区域，所述金属箔被图案化为从所述金属箔的第二表面穿过所述金属箔。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于基于箔的太阳能电池金属化的厚损伤缓冲层
本公开的实施例涉及可再生能源领域，具体地讲，包括基于箔的太阳能电池金属化的方法以及所得太阳能电池。
技术介绍
光伏电池(常被称为太阳能电池)是熟知的用于将太阳辐射直接转换为电能的装置。一般来讲，使用半导体加工技术在半导体基板的表面附近形成p-n结，从而在半导体晶片或基板上制造太阳能电池。照射在基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板块体中形成电子和空穴对。电子和空穴对迁移至基板中的p掺杂区域和n掺杂区域，从而在掺杂区域之间产生电压差。将掺杂区连接至太阳能电池上的导电区，以将电流从电池引导至与其耦接的外部电路。效率是太阳能电池的重要特性，因其直接与太阳能电池发电能力有关。同样，制备太阳能电池的效率直接与此类太阳能电池的成本效益有关。因此，提高太阳能电池效率的技术或提高制造太阳能电池效率的技术是普遍所需的。本公开的一些实施例允许通过提供制造太阳能电池结构的新工艺而提高太阳能电池的制造效率。本公开的一些实施例允许通过提供新型太阳能电池结构来提高太阳能电池效率。附图说明图1A至图1G示出了根据本公开实施例的使用基于箔的金属化的太阳能电池制造中各个阶段本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：图案化金属箔的第一表面，以在所述金属箔中提供多个交替的凹槽和脊；在所述金属箔的所述凹槽中形成非导电材料区；将所述金属箔定位在设置在基板中或基板上方的多个交替的N型半导体区和P型半导体区上方，以提供与所述交替的N型半导体区和P型半导体区之间的位置对准的所述非导电材料区，并提供与所述交替的N型半导体区和P型半导体区对准的所述脊；将所述金属箔的所述脊粘附至所述交替的N型半导体区和P型半导体区；以及在与所述非导电材料区对准的区域处，对所述金属箔进行图案化而从所述金属箔的第二表面穿过所述金属箔。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.16 US 14/572,1701.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：图案化金属箔的第一表面，以在所述金属箔中提供多个交替的凹槽和脊；在所述金属箔的所述凹槽中形成非导电材料区；将所述金属箔定位在设置在基板中或基板上方的多个交替的N型半导体区和P型半导体区上方，以提供与所述交替的N型半导体区和P型半导体区之间的位置对准的所述非导电材料区，并提供与所述交替的N型半导体区和P型半导体区对准的所述脊；将所述金属箔的所述脊粘附至所述交替的N型半导体区和P型半导体区；以及在与所述非导电材料区对准的区域处，对所述金属箔进行图案化而从所述金属箔的第二表面穿过所述金属箔。2.根据权利要求1所述的方法，其中图案化金属箔的所述第一表面包括激光烧蚀所述金属箔的总厚度的大约90％至95％范围内的厚度。3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述金属箔的所述凹槽中形成所述非导电材料区包括在所述金属箔的所述凹槽内施加糊剂然后固化所述糊剂。4.根据权利要求1所述的方法，其中图案化所述金属箔的所述第一表面和形成所述非导电材料区作为基于滚压的工艺进行。5.根据权利要求4所述的方法，还包括：在形成所述非导电材料区之后并且在将所述金属箔定位在所述多个交替的N型半导体区和P型半导体区上方之前，将所述金属箔切割成具有与所述基板的周长实质上相同的周长。6.根据权利要求1所述的方法，其中将所述金属箔的所述脊粘附至所述交替的N型半导体区和P型半导体区包括使用选自激光焊接工艺、热压缩工艺和超声波接合工艺的技术。7.根据权利要求1所述的方法，其中对所述金属箔进行图案化而从所述金属箔的所述第二表面穿过所述金属箔暴露所述非导电材料区。8.根据权利要求7所述的方法，还包括：移除所述非导电材料区的至少一部分，从所述金属箔的所述第二表面进行所述移除。9.根据权利要求1所述的方法，其中在通过激光烧蚀图案化所述金属箔的期间，所述非导电材料区保护所述交替的N型半导体区和P型半导体区、保护所述基板或保护两者。10.根据权利要求1所述的方法，还包括：在定位所述金属箔之前，形成多个金属晶种材料区，从而在所述交替的N型半导体区和P型半导体区中的每一个上形成金属晶种材料区，其中将所述金属箔粘附至所述交替的N型半导体区和P型半导体区包括粘附所述金属箔至所述多个金属晶种材料区。11.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述多个金属晶种材料区包括形成铝区，每个铝区的厚度大约在0.3微米至20微米的范围内，并且包含的铝含量大于大约97％、硅含量大约在0至2％的范围内，其中粘附所述金属箔包括将铝与具有大约在50微米至100微米范围内的厚度的所述脊进行粘附。12.根据权利要求1所述的方法，还包括：通过在形成于所述基板上方的...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴维·弗雷德里克·乔尔·卡武拉克，加布里埃尔·哈利，托马斯·P·帕斯，
申请(专利权)人：太阳能公司，
类型：发明
国别省市：美国,US