一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构，透明导电膜位于正面钝化膜和减反射膜之上，P型晶体硅片上的通孔内设置有用于连接电池正面和背面负极的过孔电极，N型层的表层设有按规则图形分布的局部重掺杂N+区，透明导电膜穿透减反射膜和正面钝化膜与局部重掺杂N+区及过孔电极的顶端电接触构成电池负极，透明导电膜用于将电池正面汇集的电子经过过孔电极导至电池的背面，背面正极细栅线穿透第一背面钝化膜和第二背面钝化膜与P型基体形成局部欧姆接触，并与背面正极主栅线连接在一起构成电池正极。本结构避免了电池正极的光遮挡，增加了功率输出，减少了电池制作过程中银浆的耗量，降低了生产成本。

A P type silicon back contact double sided battery structure without front wire

The utility model discloses a P type crystal silicon front gate line back contact double cell structure, transparent conductive film on positive passivation film and antireflection film on P crystal silicon through hole is arranged in the through hole is connected with the battery electrode for the front and back of the negative electrode layer is arranged on the surface of N according to local area distribution rules of heavily doped N+ graphics, transparent conductive film penetrating antireflection film and positive passivation film and local heavy doping zone N+ and the top electrode contact hole electric battery cathode, transparent conductive film used for the electronic collection through the back of the battery positive electrode hole guide to the battery, the back gate thin cathode the first line through the rear surface passivation film and the second back passivation film and P type substrate forming local ohmic contact, and on the back of the main gate cathode line connected battery cathode. The structure avoids the light shielding of the positive electrode of the battery, increases the power output, reduces the consumption of the silver paste in the process of the battery manufacture, and reduces the production cost.

【技术实现步骤摘要】
一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构
本技术属于太阳能电池
，特别涉及一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构。
技术介绍
自1954年第一块太阳能电池在贝尔实验室诞生以来，晶体硅太阳能电池得到了广泛的应用，转换效率不断提升，生产成本持续下降。目前，晶体硅太阳能电池占太阳能电池全球市场总额的90％以上，晶体硅电池片的产线转换效率目前已突破21％，全球年新增装机容量约70GW且增速明显，与火力发电的度电成本不断缩小，在未来几年有望与之持平。晶体硅太阳能电池作为一种清洁能源在改变能源结构、缓解环境压力等方面的重要作用日益凸显。P型晶体硅电池由于生产工艺成熟、制造成本低，在目前及今后相当长的一段时间内仍占据绝大部分市场份额。P型晶体硅太阳能电池要想继续保持竞争力、获得更大的发展与应用，必须进一步提高转换效率，同时降低生产成本。PERC技术着眼于电池的背面，利用钝化大大降低了背面的复合速度，该技术近年来在P型晶体硅电池中逐步得到大规模应用，使多晶和单晶电池的效率分别提升0.5％和1％以上。作为对P型晶体硅PERC电池的改进，目前有将背面的全铝层用细铝栅线代替，使电池具有双面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构，其特征在于，P型晶体硅片从上而下依次包括：透明导电膜、减反射膜、正面钝化膜、N型层、P型基体、背面钝化膜、背面正极细栅线和背面正极主栅线，所述P型晶体硅片上设有通孔，所述通孔内设置有用于连接电池正面负极和背面负极的过孔电极，所述N型层的表层设有按规则图形分布的局部重掺杂N+区，所述透明导电膜穿透所述减反射膜和正面钝化膜与所述局部重掺杂N+区及过孔电极的顶端电接触构成电池负极，所述透明导电膜用于将电池正面汇集的电子经过所述过孔电极导至电池的背面，所述背面正极细栅线穿透所述背面钝化膜与所述P型基体形成局部欧姆接触，并与背面正极主栅线连接在一起构成电池正...

【技术特征摘要】
1.一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构，其特征在于，P型晶体硅片从上而下依次包括：透明导电膜、减反射膜、正面钝化膜、N型层、P型基体、背面钝化膜、背面正极细栅线和背面正极主栅线，所述P型晶体硅片上设有通孔，所述通孔内设置有用于连接电池正面负极和背面负极的过孔电极，所述N型层的表层设有按规则图形分布的局部重掺杂N+区，所述透明导电膜穿透所述减反射膜和正面钝化膜与所述局部重掺杂N+区及过孔电极的顶端电接触构成电池负极，所述透明导电膜用于将电池正面汇集的电子经过所述过孔电极导至电池的背面，所述背面正极细栅线穿透所述背面钝化膜与所述P型基体形成局部欧姆接触，并与背面正极主栅线连接在一起构成电池正极。2.根据权利要求1所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构，其特征在于：所述通孔大小相同，在厚度方向贯通所述P型晶体硅，等行距等列距阵列排布。3.根据权利要求2所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构，其特征在于，单个所述通孔的直径为100～500um，数量为4×4～10×10个。4.根据权利要求1所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构，其特征在于：所述局部重掺杂N+区阵列排布在所述N型层上，所述局部重掺杂N+区的方阻为20～60Ω/□，所述局部重掺杂N+区的阵列图形为类一维图形、二维图形或类一维图形与二维图形的组合。5.根据权利要求4所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构，其特征在于，所述类一维图形为线段、虚线段、弧线或栅线状；所述类一维...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵科雄，
申请(专利权)人：隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西,61