用于制造霍尔传感器的方法技术

本发明专利技术公开了一种用于制造霍尔传感器的方法，其中，首先将隔离层(20)施加在具有ASIC的晶片(10)上或集成到晶片中，在该隔离层上布置有霍尔层(30)、例如由InSb或其他III‑V‑半导体材料制成的霍尔层，然后借助于激光(40)使该霍尔层至少区段式地再结晶。为了对ASIC进行热保护，隔离层可以是多孔的或具有空穴或反射层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造霍尔传感器的方法
本专利技术涉及一种霍尔传感器。此外，本专利技术涉及一种用于制造霍尔传感器的方法。
技术介绍
所使用的霍尔材料的载流子可运动性越高并且霍尔材料的结晶质量越好，霍尔传感器性能越好。此外，霍尔材料的结晶质量取决于运动的载流子在霍尔材料的晶体缺陷上的偏差。材料硅具有以下缺点：硅不是好的霍尔材料，因为载流子的可运动性低。但是硅能够集成到ASIC工艺中，使得对于构造和连接技术产生低的成本，并且因此霍尔传感器是小的。已知的是具有适中性能的集成的硅霍尔传感器。附加地，已知由InAs(铟砷化物)、InSb(铟锑化物)和GaAs(镓砷化物)制成的单独的、分立的霍尔传感器，其中，所述材料具有较高的霍尔系数。例如在InSb中载流子的可运动性比硅中的载流子的可运动性大出约40倍。该区别呈二次方地引入到霍尔传感器的电流消耗中，需要该电流消耗实现期望的信号强度。以该方式能够实现比具有硅的霍尔传感器好出约1600倍的霍尔传感器。已知下面的材料和载流子的可运动性：材料载流子的可运动性[cm2/V-1/s-1]硅约1300InSb单晶体约40000至约78000InSb传感器约25000在制造本文档来自技高网...

【技术保护点】
霍尔传感器(100)，所述霍尔传感器具有：‑具有ASIC的晶片(10)；‑设置用于所述晶片(10)的隔离层(20)，其中，所述隔离层(20)以施加到所述晶片(10)上或集成在所述晶片(10)中的方式构造；和‑布置在所述隔离层(20)上的霍尔层(30)，其中，借助于激光(40)如此加热所述霍尔层(30)，使得所述霍尔层至少区段式地再结晶。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.18 DE 102015202871.21.霍尔传感器(100)，所述霍尔传感器具有：-具有ASIC的晶片(10)；-设置用于所述晶片(10)的隔离层(20)，其中，所述隔离层(20)以施加到所述晶片(10)上或集成在所述晶片(10)中的方式构造；和-布置在所述隔离层(20)上的霍尔层(30)，其中，借助于激光(40)如此加热所述霍尔层(30)，使得所述霍尔层至少区段式地再结晶。2.根据权利要求1所述的霍尔传感器(100)，其特征在于，所述隔离层(20)至少区段式是多孔的。3.根据权利要求1或2所述的霍尔传感器(100)，其特征在于，所述隔离层(20)具有至少一个空穴(21)。4.用于制造霍尔传感器(100)的方法，所述方法具有以下步骤：-提供具有ASIC的晶片(10)；-构造施加到所述晶片(10)上的或集成到所述晶片(10)中的隔离层(20)；-将霍尔层(30)布置在所述隔离层(...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·保陶克，S·马约尼，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE