用于基于MRAM的磁性设备的电气互连设备制造技术

电气互连设备（10），包括：磁性隧道结（2）；电气连接磁性隧道结（2）的下端的带部（7）；电气连接磁性隧道结（2）的上端的电流线部（3'）；通过通孔（6）电气连接下金属螺柱（5）的上金属螺柱（8）；带部（7）与通孔（6）直接电气接触，使得在磁性隧道结（2）中传递的电流直接在带部（'）和通孔（6）之间以及在通孔（6）和下金属螺柱（5）或上金属螺柱（8）之间流动。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于基于MRAM的磁性设备的电气互连设备
本专利技术涉及用于连接具有低缺陷和较小尺寸的基于MRAM的磁性设备的电气互连设备。本专利技术还涉及用于制造互连设备的方法。
技术介绍
在半导体后端处理中，使用通孔（即，在金属层上连接到相邻的那个的金属柱）来电气互连被电介质分离的金属布线层。图1示出包括从上金属螺柱（stud）8朝向下金属螺柱5向下延伸的通孔6的互连的典型实施方式的示例。在包括磁性逻辑部件（MLU）的MRAM技术中，磁性隧道结2常常被放置在被称为带（strap）7的局部互连体上（见图2）。其典型地由耐火金属（诸如Ta或W）制成，但是还可以包含其他金属。带7常常靠近下面的金属场线4以便当在场线4中传递电流时获得较高的磁场。然而，向下延伸的这样的通孔常常引起处理困难以及与下面的薄电介质层和浅通孔有关的高缺陷性。图3示出对于包括连接在电流线3和带7之间的磁性隧道结2的标准MLU类型单元的互连。该带通过向上延伸到电流线部3'的通孔部6'并通过通孔6串联电气连接到下金属螺柱5。图3的互连的配置为磁性元件产生更好的处理性能但是更大的单元尺寸。
技术实现思路
在本公开中，描述了一种替代通孔技术，本文档来自技高网...

【技术保护点】
电气互连设备（10），包括：磁性隧道结（2'）；电气连接磁性隧道结（2'）的下端的带部（7'）；电气连接磁性隧道结（2'）的上端的电流线部（3'）；通过通孔（6）电气连接下金属螺柱（5）的上金属螺柱（8）；其中带部（7'）与通孔（6）直接电气接触，使得在磁性隧道结（2'）中传递的电流直接在带部（7'）和通孔（6）之间以及在通孔（6）和下金属螺柱（5）或上金属螺柱（8）之间流动。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.03 US 62/0593371.电气互连设备（10），包括：磁性隧道结（2'）；电气连接磁性隧道结（2'）的下端的带部（7'）；电气连接磁性隧道结（2'）的上端的电流线部（3'）；通过通孔（6）电气连接下金属螺柱（5）的上金属螺柱（8）；其中带部（7'）与通孔（6）直接电气接触，使得在磁性隧道结（2'）中传递的电流直接在带部（7'）和通孔（6）之间以及在通孔（6）和下金属螺柱（5）或上金属螺柱（8）之间流动。2.根据权利要求1所述的电气互连设备（10），其中带部（7'）被布置成以互锁方式接触通孔（6）。3.根据权利要求2所述的电气互连设备（10），其中该通孔（6）包括具有第一宽度的上部（6'）和具有比第一宽度更小的第二宽度的下部（6''）；并且其中该带部（7'）在下通孔部（6''）上在与上通孔部（6'）的相交处接触通孔（6）。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的电气互连设备（10），还包括电气连接到下金属螺柱（5）的晶体管。5.一种基于MRAM的磁性设备，包括根据权利要求1至4中的任一项的互连设备（10）和多个MRAM单元（1），每个MRAM单元（1）都包括：磁性隧道结（2）；电气连接磁性隧道结（2）的下端的结带（7）；电气连接磁性隧道结（2）的上端的电流线（3）；以及用于传递感测电流（41）的场线（4），该场线（4）被布置在磁性隧道结（2）的下端下面；一个MRAM单元（1）的磁性隧道结（2）通过电流线（3）和结带（7）与另一MRAM单元（1）的磁性隧道结（2）串联电气连接；其中该互连设备（10）的带部（7'）电气连接多个MR...

【专利技术属性】
技术研发人员：B坎博，
申请(专利权)人：克罗科斯科技公司，
类型：发明
国别省市：法国,FR