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本发明公开了一种用于制造霍尔传感器的方法，其中，首先将隔离层(20)施加在具有ASIC的晶片(10)上或集成到晶片中，在该隔离层上布置有霍尔层(30)、例如由InSb或其他III‑V‑半导体材料制成的霍尔层，然后借助于激光(40)使该霍尔层...
该专利属于罗伯特·博世有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过罗伯特·博世有限公司授权不得商用。

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