具有霍尔效应以及各向异性磁阻（AMR）传感器的集成电路制造技术

公开的示例提供了在单个集成电路(100，300)中的磁阻传感器(182)和霍尔效应传感器(106，306)的晶片级集成，其中一个或多个竖直和/或水平的霍尔传感器(106，306)与晶体管和其它电路系统一起形成在衬底(102，302)上或衬底中，并且在IC金属化结构(148，160，170，180)中形成磁阻传感器电路(182)。

Integrated circuit with Holzer effect and anisotropic magnetoresistive (AMR) sensor

A disclosed example provided in a single integrated circuit (100300) of the magnetoresistive sensor (182) and Holzer (106306) the effect of sensor wafer level integrated sensor, Holzer one or more vertical and / or level (106306) is formed on the substrate with transistors and other circuitry (102302) or substrate and, in the IC metal structure (148160170180) formed in the magnetoresistive sensor circuit (182).

【技术实现步骤摘要】
具有霍尔效应以及各向异性磁阻(AMR)传感器的集成电路相关申请的交叉参考参考以下美国申请：于2015年11月4日提交的题为“CONSTRUCTIONOFAHALL-EFFECTSENSORINANISOLATIONREGION”的美国专利申请14/932,949；以及于2016年2月11日提交的题为“INTEGRATEDANISOTROPICMAGNETORESISTIVEDEVICE”的美国专利申请15/041,575，这些申请的全部内容通过引用并入本文。
本公开一般涉及集成电路(IC)，并且更具体地涉及具有集成的霍尔效应传感器和磁阻传感器的IC及其制造方法。
技术介绍
旋转和位置感测技术已经从接触感测发展到非接触感测，并且从分立传感器发展到集成传感器。霍尔效应传感器是这样一种形式的传感器，其提供可用在旋转和位置感测应用中的磁场的检测。磁通门和磁阻(MR)传感器相对于霍尔效应传感器提供改进的灵敏度。在许多应用中，期望提供360°感测能力。然而，磁阻传感器局限于180°旋转检测。多个分立的霍尔效应传感器或磁阻传感器可以以彼此成角度间隔开的关系定位在印刷电路板上，以便提供360°感测，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路IC，包括：衬底，其具有顶表面，霍尔效应传感器电路，其至少部分地形成在所述衬底上或所述衬底中；金属化结构，其设置在所述衬底的所述顶表面上方；以及磁阻传感器电路，其形成在所述金属化结构中，用于感测平行于所述衬底的所述顶表面取向的磁场。

【技术特征摘要】
2016.03.15 US 15/070,4131.一种集成电路IC，包括：衬底，其具有顶表面，霍尔效应传感器电路，其至少部分地形成在所述衬底上或所述衬底中；金属化结构，其设置在所述衬底的所述顶表面上方；以及磁阻传感器电路，其形成在所述金属化结构中，用于感测平行于所述衬底的所述顶表面取向的磁场。2.根据权利要求1所述的IC，其中所述磁阻传感器电路包括：第一磁阻传感器，其包括在所述金属化结构中的第一节段方向上平行于所述衬底的所述顶表面延伸的第一组磁阻节段，所述第一组磁阻节段连接在第一桥接电路中；以及第二磁阻传感器，其包括在所述金属化结构中的第二节段方向上平行于所述衬底的所述顶表面延伸的第二组磁阻节段，所述第二组磁阻节段连接在第二桥接电路中；其中所述第一节段方向从所述第二节段方向偏移45度。3.根据权利要求1所述的IC，其中所述霍尔效应传感器电路包括用于感测平行于所述衬底的所述顶表面取向的磁场的竖直霍尔传感器，所述竖直霍尔传感器包括设置在所述衬底中的霍尔板。4.根据权利要求3所述的IC，其中所述霍尔效应传感器电路进一步包括用于感测垂直于所述衬底的所述顶表面取向的磁场的水平霍尔传感器，所述水平霍尔传感器包括设置在所述衬底中的霍尔板。5.根据权利要求4所述的IC，其中所述磁阻传感器电路包括：第一磁阻传感器，其包括在所述金属化结构中的第一节段方向上平行于所述衬底的所述顶表面延伸的第一组磁阻节段，所述第一组磁阻节段连接在第一桥接电路中；以及第二磁阻传感器，其包括在所述金属化结构中的第二节段方向上平行于所述衬底的所述顶表面延伸的第二组磁阻节段，所述第二组磁阻节段连接在第二桥接电路中；其中所述第一节段方向从所述第二节段方向偏移45度。6.根据权利要求2所述的IC，其中所述霍尔效应传感器电路包括：第一竖直霍尔传感器，用于感测平行于所述衬底的所述顶表面取向的磁场，所述第一竖直霍尔传感器包括在平行于所述衬底的所述顶表面的第一方向上在所述衬底中延伸的第一霍尔板；以及第二竖直霍尔传感器，用于感测平行于所述衬底的所述顶表面取向的磁场，所述第二竖直霍尔传感器包括在平行于所述衬底的所述顶表面的第二方向上在所述衬底中延伸的第二霍尔板；其中所述第一方向垂直于所述第二方向。7.根据权利要求6所述的IC，其中所述磁阻传感器电路包括：第一磁阻传感器，其包括在所述金属化结构中的第一节段方向上平行于所述衬底的所述顶表面延伸的第一组磁阻节段，所述第一组磁阻节段连接在第一桥接电路中；以及第二磁阻传感器，其包括在所述金属化结构中的第二节段方向上平行于所述衬底的所述顶表面延伸的第二组磁阻节段，所述第二组磁阻节段连接在第二桥接电路中；其中所述第一节段方向从所述第二节段方向偏移45度。8.根据权利要求1所述的IC，其中所述霍尔效应传感器电路包括用于感测垂直于所述衬底的所述顶表面取向的磁场的水平霍尔传感器，所述水平霍尔传感器包括设置在所述衬底中的霍尔板。9.根据权利要求8所述的IC，其中所述磁阻传感器电路包括：第一磁阻传感器，其包括在所述金属化结构中的第一节段方向上平行于所述衬底的所述顶表面延伸的第一组磁阻节段，所述第一组磁阻节段连接在第一桥接电路中；以及第二磁阻传感器，其包括在所述金属化结构中的第二节段方向上平行于所述衬底的所述顶表面延伸的第二组磁阻节段，所述第二组磁阻节段连接在第二桥接电路中；其中所述第一节段方...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·W·李，W·D·弗伦池，K·R·格林，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US