传感器制造技术

根据实施方式，提供一种包括构造体、容器、液体和检测部的传感器。上述构造体包括支承部和膜部。膜部包括第1区域。上述第1区域包括被上述支承部支承的第1端部和可移位的第1部分。上述膜部具有开口部。上述容器与上述构造体连接，在与上述膜部之间形成第1空间。上述液体设在上述第1空间内。上述检测部检测伴随着上述液体的移位的上述第1部分的移位。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及传感器。
技术介绍
作为检测声响频带及超声波频带的振动的传感器，例如有AE(AcousticEmission，声发射)传感器。AE例如是通过龟裂的发生或发展而产生的超声波带的弹性波。AE传感器例如被用于检测的疲劳·劣化诊断或非破坏检查等中。在传感器中，希望灵敏度的提高。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013－234853公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术的实施方式提供一种高灵敏度的传感器。用于解决课题的手段根据本专利技术的技术方案，提供一种包括构造体、容器、液体和检测部的传感器。上述构造体包括支承部和膜部。膜部包括第1区域。上述第1区域包括被上述支承部支承的第1端部和可移位的第1部分。上述膜部具有开口部。上述容器与上述构造体连接，在上述容器与上述膜部之间形成第1空间。上述液体设在上述第1空间内。上述检测部检测伴随着上述液体的移位的上述第1部分的移位。附图说明图1(a)及图1(b)是表示有关第1实施方式的传感器的示意图。图2(a)～图2(c)是表示有关第1实施方式的传感器的示意性平面图。图3(a)～图3(f)是表示有关第1实施方式的传感器的制造方法的工序顺序示意性剖视图。图4是表示有关第1实施方式的传感器的动作的示意性剖视图。图5(a)～图5(c)是表示有关第1实施方式的另一传感器的示意图。图6(a)及图6(b)是表示有关第1实施方式的另一传感器的特性的曲线图。图7是表示有关第1实施方式的另一传感器的特性的示意图。图8是表示有关第1实施方式的另一传感器的特性的示意图。图9是表示有关第1实施方式的另一传感器的特性的示意图。图10是表示有关第1实施方式的另一传感器的特性的示意图。图11是表示有关第1实施方式的另一传感器的特性的示意图。图12是表示有关第1实施方式的另一传感器的特性的示意图。图13是表示有关第1实施方式的另一传感器的示意性剖视图。图14(a)及图14(b)是表示有关第1实施方式的另一传感器的特性的曲线图。图15是表示有关第1实施方式的另一传感器的特性的示意图。图16是表示有关第1实施方式的另一传感器的特性的示意图。图17是表示有关第1实施方式的另一传感器的特性的示意图。图18(a)及图18(b)是表示有关第1实施方式的另一传感器的示意性平面图。图19(a)～图19(e)是表示有关第1实施方式的另一传感器的特性的示意性立体图。图20(a)及图20(b)是表示有关第1实施方式的另一传感器的特性的示意性立体图。图21(a)～图21(c)是表示有关第1实施方式的另一传感器的示意性立体图。图22(a)～图22(c)是表示有关第1实施方式的另一传感器的示意性立体图。图23(a)及图23(b)是表示有关第1实施方式的另一传感器的示意性立体图。图24(a)及图24(e)是表示有关第1实施方式的另一传感器的示意性立体图。图25是表示有关第1实施方式的另一传感器的示意性立体图。图26(a)～图26(c)是表示有关第1实施方式的另一传感器的示意图。图27(a)及图27(b)是表示有关第1实施方式的另一传感器的示意性立体图。图28(a)及图28(b)是表示有关第1实施方式的另一传感器的示意性立体图。图29是表示有关第1实施方式的另一传感器的示意性平面图。图30是表示有关第1实施方式的另一传感器的示意性平面图。图31是表示有关第1实施方式的另一传感器的示意性平面图。图32是表示有关第1实施方式的另一传感器的示意性平面图。图33是表示有关第1实施方式的另一传感器的示意性平面图。图34是表示有关第1实施方式的另一传感器的示意性平面图。图35(a)及图35(b)是表示有关第2实施方式的传感器的示意性剖视图。图36是表示有关第2实施方式的传感器的特性的示意图。图37(a)及图37(b)是表示有关第3实施方式的传感器的示意图。图38(a)及图38(b)是表示有关第3实施方式的另一传感器的示意图。图39(a)及图39(b)是表示有关第4实施方式的传感器的示意性剖视图。图40是表示有关第4实施方式的另一传感器的示意性剖视图。图41是表示有关第5实施方式的传感器的示意性剖视图。图42(a)及图42(b)是表示有关第6实施方式的传感器的示意图。图43是表示有关第6实施方式的另一传感器的示意性立体图。图44(a)～图44(e)是表示有关第6实施方式的另一传感器的示意图。图45是表示有关第6实施方式的另一传感器的示意性立体图。图46(a)及图46(b)是表示有关第7实施方式的传感器的示意图。图47是表示有关第8实施方式的传感器的示意性剖视图。图48是表示有关第9实施方式的传感器的示意性剖视图。图49(a)～图49(d)是表示有关第10实施方式的传感器的示意图。图50是表示有关第11实施方式的传感器单元的示意性剖视图。图51是表示有关第11实施方式的另一传感器单元的示意性剖视图。图52是表示有关第11实施方式的另一传感器单元的示意性剖视图。具体实施方式以下，参照附图对各实施方式进行说明。另外，附图是示意性或概念性的，部分间的大小的比率等并不一定与现实相同。此外，即使是表示相同部分的情况，也有根据附图而相互的尺寸或比率被不同地表示的情况。另外，在本说明书和各图中，对与关于已出的图上述者同样的要素赋予相同的标号，适当省略详细的说明。(第1实施方式)图1(a)及图1(b)是例示有关第1实施方式的传感器的示意图。图1(a)是示意性透视平面图。图1(b)是图1(a)的A1－A2线的示意性剖视图。如图1(a)及图1(b)所示，有关本实施方式的传感器110包括构造体15、容器40、液体45和检测部30。构造体15包括支承部10和膜部20。传感器110例如是声响传感器。传感器110例如检测声响频带及超声波频带的振动。传感器110例如检测AE。AE例如是通过龟裂的发生或发展而产生的超声波带的弹性波。传感器110例如被作为检测AE的传感器使用。传感器110例如被用于检测微小的缺陷的发生的疲劳·劣化诊断。传感器110例如被用于非破坏检查等。图2(a)～图2(c)是例示有关第1实施方式的传感器的示意性平面图。图2(a)例示支承部10。图2(b)例示膜部20。图2(c)例示后述的电极。膜部20包括第1区域21。在该例中，膜部20还包括第2区域22、第3区域23及第4区域24。膜部20具有开口部20o。第1区域21包括第1端部21a、第1相反端21b和第1部分21p。第1端部21a被支承部10支承。第1相反端21b是与第1端部21a相反侧的端部。第1部分21p位于第1端部21a与第1相反端21b之间。如后述那样，第1部分21p能够移位。另一方面，第1端部21a是固定端。第2区域22包括第2端部22a、第2相反端22b和第2部分22p。第2端部22a被支承部10支承。第2相反端22b是与第2端部22a相反侧的端部。第2部分22p位于第2端部22a与第2相反端22b之间。在该例中，第2部分22p能够移位。第2端部22a是固定端。第3区域23包括第3端部23a、第3相反端23b和第3部分23p。第3端部23a被支承部10支承。第3相反端23b是与第3端部23a相反侧的端部。第3部分23p位于第3端部23a与第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种传感器，具备：构造体，包括支承部和膜部，上述膜部包括第1区域，并具有开口部，上述第1区域包含被上述支承部支承的第1端部和可移位的第1部分；容器，与上述构造体连接，在上述容器与上述膜部之间形成第1空间；液体，设在上述第1空间内；以及检测部，检测伴随着上述液体的移位的上述第1部分的移位。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.01.24 JP 2014-0118511.一种传感器，具备：构造体，包括支承部和膜部，上述膜部包括第1区域，并具有开口部，上述第1区域包含被上述支承部支承的第1端部和可移位的第1部分；容器，与上述构造体连接，在上述容器与上述膜部之间形成第1空间；液体，设在上述第1空间内；以及检测部，检测伴随着上述液体的移位的上述第1部分的移位。2.如权利要求1所述的传感器，上述液体的上述移位是基于对上述容器施加的声波而发生的。3.如权利要求1或2所述的传感器，上述膜部还具有第2区域，上述第2区域包含被上述支承部支承的第2端部和第2部分，在上述第1部分与上述第2部分之间设有作为上述开口部的第1间隙。4.如权利要求3所述的传感器，上述第2部分能够移位，上述膜部包括：第3区域，包括被上述支承部支承的第3端部和可移位的第3部分；以及第4区域，包括被上述支承部支承的第4端部和可移位的第4部分，在上述第1部分与上述第3部分之间设有第2间隙，在上述第2部分与上述第3部分之间设有第3间隙，在上述第2部分与上述第4部分之间设有第4间隙，上述检测部还检测：伴随着上述液体的上述移位的上述第2部分的移位；伴随着上述液体的上述移位的上述第3部分的移位；伴随着上述液体的上述移位的上述第4部分的移位。5.如权利要求1～4中任一项所述的传感器，上述支承部形成第2空间，在上述第2空间与上述液体之间配置上述第1部分的至少一部分。6.如权利要求1～5中任一项所述的传感器，上述检测部包括设在上述第1部分的第1检测元件，上述第1检测元件具有：伴随着上述第1部分的上述移位而发生的电阻的变化、伴随着上述第1部分的上述移位而发生的压电电压的变化、以及伴随着上述第1部分的上述移位而发生的静电电容的变化中的至少某种变化。7.如权利要求1～5中任一项所述的传感器，上述检测部包括设在上述第1部分的第1检测元件，上述第1检测元件具有伴随着上述第1部分的上述移位的电阻的变化。8.如权利要求7所述的传感器，上述第1检测元件包括：含有杂质在内的硅的结晶层；与上述结晶层的一部分连接的第1电极；以及与上述结晶层的另一部分连接的第2电极，从上述第1电极朝向上述第2电极的方向沿着上述结晶层的<110>方向及<100>方向中的某个方向。9.如权利要求6所述的传感器，上述第1检测元件包括：含有杂质在内的硅的结晶层；与上述结晶层的一部分连接的第1电极；以及与上述结晶层的另一部分连接的第2电极，上述液体的移位包括含有第1波长的表面波，上述第1电极与上述第2电极之间的距离是上述第1波长的0.4倍以上且0.6倍以下、或是上述第1波长的0.22倍以上且0.28倍以下。10.如权利要求1～9中任一项所述的传感器，上述液体具有上述膜部侧的第1...

【专利技术属性】
技术研发人员：下山勋，松本洁，阮平谦，高桥英俊，阮明勇，田村洋人，范光康，大森隆广，西村修，笠原章裕，
申请(专利权)人：国立大学法人东京大学，株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP