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公开的示例提供了在单个集成电路(100，300)中的磁阻传感器(182)和霍尔效应传感器(106，306)的晶片级集成，其中一个或多个竖直和/或水平的霍尔传感器(106，306)与晶体管和其它电路系统一起形成在衬底(102，302)上或衬底...
该专利属于德克萨斯仪器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德克萨斯仪器股份有限公司授权不得商用。

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