用于N/P调谐的鳍式FET器件制造技术

集成逻辑电路中n型与p型鳍式FET强度比可通过使用有源和虚设栅极电极中的切割区来被调谐。在一些示例中，可使用针对虚设栅极电极和有源栅极电极的分开的切割区以允许不同长度的栅极导通有源区，从而得到被恰适调谐的集成逻辑电路。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于N/P调谐的鳍式FET器件公开领域本公开一般涉及场效应晶体管(FET)，尤其但不排他地涉及鳍式FET器件。背景随着集成电路的不断缩减以及对集成电路的速度不断提高的要求，晶体管需要具有更高的驱动电流以及更小的尺寸。由此开发了鳍式场效应晶体管(鳍式FET)。鳍式FET晶体管具有增加的沟道宽度。由于晶体管的驱动电流与沟道宽度成比例，因此增加了鳍式FET的驱动电流。为了使鳍式FET的沟道宽度最大化，鳍式FET可包括多个鳍，这些鳍的端部连接到相同的源极和相同的漏极。多鳍鳍式FET的形成可包括：形成彼此平行的多个鳍，在该多个鳍上形成栅极堆叠，以及互连该多个鳍的端部以形成源极区和漏极区。栅极堆叠的形成可包括：在这些鳍上沉积材料层并且图案化经沉积的层以形成栅极堆叠。可在基板上形成彼此相邻的若干个多鳍鳍式FET，该基板可包括各鳍式FET之间的虚设栅极堆叠以辅助某些处理步骤。然而，由于整数的鳍数目，鳍式FETN/P强度比(N型鳍式FET与P型鳍式FET的比率)难以调谐。另外，设计者通常针对不同电路需要变化的N/P比。在常规的FET中，FET宽度将被用于调谐N/P强度比。通过改变FET部分的宽度，强度比可以被调谐到期望的强度比。因此，存在对在常规办法上有所改进的系统、装置和方法的需求，包括由此所提供的改进的方法、系统和装置。作为这些教导的特性的专利技术性特征、连同进一步的特征和优点从详细描述和附图中被更好地理解。每一附图仅出于解说和描述目的来提供，且并不限定本教导。概述以下给出了与本文所公开的装置和方法相关联的一个或多个方面和/或示例相关的简化概述。如此，以下概述既不应被视为与所有构想的方面和/或示例相关的详尽纵览，以下概述也不应被认为标识与所有构想的方面和/或示例相关的关键性或决定性要素或描绘与任何特定方面和/或示例相关联的范围。相应地，以下概述仅具有在以下给出的详细描述之前以简化形式呈现与关于本文所公开的装置和方法的一个或多个方面和/或示例相关的某些概念的目的。本公开的一些示例涉及用于鳍式FET的系统、装置和方法，该鳍式FET包括：垂直延伸第一距离的有源栅极电极；垂直延伸第二距离的第一虚设栅极电极，所述第一虚设栅极电极与所述有源栅极电极平行；跨所述有源栅极电极水平延伸的第一切割区；与所述第一切割区垂直间隔开并且跨所述有源栅极电极水平延伸的第二切割区；在所述第一切割区与所述第二切割区之间的有源区；沿所述第一虚设栅极电极在所述第一虚设栅极电极的端部与所述有源区之间的虚设栅极导通有源区；以及沿所述有源栅极电极在所述第一切割区与所述有源区之间的有源栅极导通有源区。本公开的一些示例涉及用于鳍式FET的系统、装置和方法，该鳍式FET包括：垂直延伸第一距离的有源栅极电极；垂直延伸第二距离的第一虚设栅极电极，所述第一虚设栅极电极与所述有源栅极电极平行；跨所述第一虚设栅极电极水平延伸的第一切割区；与所述第一切割区垂直间隔开并且水平延伸的第二切割区；在所述第一切割区与所述第二切割区之间的有源区；沿所述第一虚设栅极电极在所述第一切割区与所述有源区之间的虚设栅极导通有源区；以及沿所述有源栅极电极在所述有源栅极电极的端部与所述有源区之间的有源栅极导通有源区。本公开的一些示例涉及用于鳍式FET的系统、装置和方法，该鳍式FET包括：垂直延伸第一距离的有源栅极电极；垂直延伸第二距离的第一虚设栅极电极，所述第一虚设栅极电极与所述有源栅极电极平行；与所述第一虚设栅极电极平行延伸并且与所述第一虚设栅极电极水平间隔开的第二虚设栅极电极；跨所述第一虚设栅极电极水平延伸的第一切割区；与所述第一切割区垂直间隔开并且跨所述第一虚设栅极电极水平延伸的第二切割区；在所述第一切割区与所述第二切割区之间的有源区；沿所述第一虚设栅极电极在所述第一切割区与所述有源区之间的虚设栅极导通有源区；沿所述第二虚设栅极电极在所述第二虚设栅极电极的端部与所述有源区之间的第二虚设栅极导通有源区；以及沿所述有源栅极电极在所述有源栅极电极的端部与所述有源区之间的有源栅极导通有源区。本公开的一些示例涉及用于鳍式FET的系统、装置和方法，该鳍式FET包括：垂直延伸第一距离的有源栅极电极；垂直延伸第二距离的第一虚设栅极电极，所述第一虚设栅极电极与所述有源栅极电极平行；跨所述有源栅极电极和所述第一虚设栅极电极水平延伸的第一切割区；与所述第一切割区垂直间隔开并且跨所述有源栅极电极和所述第一虚设栅极电极水平延伸的第二切割区；在所述第一切割区与所述第二切割区之间的有源区；沿所述第一虚设栅极电极在所述第一切割区与所述有源区之间的虚设栅极导通有源区；以及沿所述有源栅极电极在所述第一切割区与所述有源区之间的有源栅极导通有源区。基于附图和详细描述，与本文公开的装置和方法相关联的其它特征和优点对本领域技术人员而言将是明了的。附图简述对本公开的各方面及其许多伴随优点的更完整领会将因其在参考结合附图考虑的以下详细描述时变得更好理解而易于获得，附图仅出于解说目的被给出而不对本公开构成任何限定，并且其中：图1A-D解说了根据本公开的一些示例的示例性鳍式FET配置。图2A和B解说了根据本公开的一些示例的针对某些鳍式FET配置的晶体管有效电流变化的示例性图。图3A和3B解说了根据本公开的一些示例的NAND集成逻辑电路的示例性电路图和物理布局。图4A和4B解说了根据本公开的一些示例的NOR集成逻辑电路的示例性电路图和物理布局。根据惯例，附图所描绘的特征可能并非按比例绘制。相应地，为了清晰起见，所描绘的特征的尺寸可能被任意放大或缩小。根据惯例，为了清楚起见，一些附图被简化。由此，附图可能未绘制特定装置或方法的所有组件。此外，类似附图标记贯穿说明书和附图标示类似特征。详细描述本文所公开的示例性方法、装置和系统有利地解决了长期以来的业界需求、以及其它先前未标识出的需求，并且缓解了常规方法、装置和系统的不足。措辞“示例性”在本文中用于表示“用作示例、实例或解说”。本文中描述为“示例性”的任何细节不必被解释为优于或胜过其他示例。同样，术语“示例”并不要求所有示例都包括所讨论的特征、优点、或工作模式。术语“在一个示例中”、“示例”、“在一个特征中”和/或“特征”在本说明书中的使用并非必然引述相同特征和/或示例。此外，特定特征和/或结构可以与一个或多个其他特征和/或结构组合。此外，所描述的装置的至少一部分由此可以被配置成执行由此所描述的方法的至少一部分。本文中所使用的术语是仅出于描述特定示例的目的，且并非旨在限制本公开的各示例。如本文所使用的，单数形式的“一”、“某”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外明确指示。将进一步理解，术语“包括”、“具有”、“包含”和/或“含有”在本文中使用时指明所陈述的特征、整数、步骤、操作、元素、和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元素、组件和/或其群组的存在或添加。应该注意，术语“连接”、“耦合”或其任何变体意指在元件之间的直接或间接的任何连接或耦合，且可涵盖两个元件之间中间元件的存在，这两个元件经由该中间元件被“连接”或“耦合”在一起。元件之间的耦合和/或连接可以是物理的、逻辑的、或其组合。如本文所采用的，元件可例如通过使用一条或多条导线、电缆、和/或印刷电气连本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种鳍式FET，包括：垂直延伸第一距离的有源栅极电极；垂直延伸第二距离的第一虚设栅极电极，所述第一虚设栅极电极与所述有源栅极电极平行；跨所述有源栅极电极水平延伸的第一切割区；与所述第一切割区垂直间隔开并且跨所述有源栅极电极水平延伸的第二切割区；在所述第一切割区与所述第二切割区之间的有源区；沿所述第一虚设栅极电极在所述第一虚设栅极电极的端部与所述有源区之间的虚设栅极导通有源区；以及沿所述有源栅极电极在所述第一切割区与所述有源区之间的有源栅极导通有源区。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.25 US 14/668,4761.一种鳍式FET，包括：垂直延伸第一距离的有源栅极电极；垂直延伸第二距离的第一虚设栅极电极，所述第一虚设栅极电极与所述有源栅极电极平行；跨所述有源栅极电极水平延伸的第一切割区；与所述第一切割区垂直间隔开并且跨所述有源栅极电极水平延伸的第二切割区；在所述第一切割区与所述第二切割区之间的有源区；沿所述第一虚设栅极电极在所述第一虚设栅极电极的端部与所述有源区之间的虚设栅极导通有源区；以及沿所述有源栅极电极在所述第一切割区与所述有源区之间的有源栅极导通有源区。2.如权利要求1所述的鳍式FET，其特征在于，所述有源栅极导通有源区是大致0.326μm、0.1μm、0.042μm或0.035μm中的一者。3.如权利要求2所述的鳍式FET，其特征在于，所述虚设栅极导通有源区比所述有源栅极导通有源区长并且是大致0.326μm、0.1μm、0.042μm或0.035μm中的一者。4.如权利要求3所述的鳍式FET，其特征在于，所述第一切割区包括跨所述有源栅极电极延伸的第一部分以及跨所述第一虚设栅极电极延伸的第二部分，所述虚设栅极导通有源区在所述第一切割区的所述第二部分与所述有源区之间。5.如权利要求4所述的鳍式FET，其特征在于，所述第一切割区的所述第一部分所具有的宽度比所述第一切割区的所述第二部分的宽度小。6.如权利要求4所述的鳍式FET，其特征在于，所述第一切割区的所述第一部分所具有的宽度比所述第一切割区的所述第二部分的宽度大。7.如权利要求4所述的鳍式FET，其特征在于，所述鳍式FET被纳入到选自包括以下各项的组的设备中：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、以及计算机，并且进一步包括所述设备。8.一种鳍式FET，包括：垂直延伸第一距离的有源栅极电极；垂直延伸第二距离的第一虚设栅极电极，所述第一虚设栅极电极与所述有源栅极电极平行；跨所述第一虚设栅极电极水平延伸的第一切割区；与所述第一切割区垂直间隔开并且跨所述第一虚设栅极电极水平延伸的第二切割区；在所述第一切割区与所述第二切割区之间的有源区；沿所述第一虚设栅极电极在所述第一切割区与所述有源区之间的虚设栅极导通有源区；以及沿所述有源栅极电极在所述有源栅极电极的端部与所述有源区之间的有源栅极导通有源区。9.如权利要求8所述的鳍式FET，其特征在于，所述有源栅极导通有源区是大致0.326μm、0.1μm、0.042μm或0.035μm中的一者。10.如权利要求9所述的鳍式FET，其特征在于，所述虚设栅极导通有源区比所述有源栅极导通有源区短并且是大致0.326μm、0.1μm、0.042μm或0.035μm中的一者。11.如权利要求10所述的鳍式FET，其特征在于，所述第一切割区包括跨所述有源栅极电极延伸的第一部分以及跨所述第一虚设栅极电极延伸的第二部分，所述有源栅极导通有源区在所述第一切割区的所述第一部分与所述有源区之间。12.如权利要求11所述的鳍式FET，其特征在于，所述第一切割区的所述第一部分所具有的宽度比所述第一切割区的所述第二部分的宽度小。13.如权利要求11所述的鳍式FET，其特征在于，所述第一切割区的所述第一部分所具有的宽度比所述第一切割区的所述第二部分的宽度大。14.如权利要求11所述的鳍式FET，其特征在于，所述鳍式FET被纳入到选自下包括以下各项的组的设备中：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、以及计算机，并且进一步包括所述设备。15.一种鳍式FET，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：Y·刘，H·杨，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US