图案形成方法、抗蚀剂图案、电子器件的制造方法及上层膜形成用组合物技术

本发明专利技术提供一种图案形成方法、通过上述图案形成方法而形成的抗蚀剂图案、包含上述图案形成方法的电子器件的制造方法，并且通过上述上层膜形成用组合物以高级别兼顾DOF、EL及液残留缺陷性能，所述图案形成方法具备：工序a，将感光化射线性或感放射线性树脂组合物涂布于基板上，从而形成抗蚀剂膜；工序b，利用上层膜形成用组合物而在抗蚀剂膜上形成上层膜；工序c，将形成有上层膜的抗蚀剂膜进行曝光；及工序d，使用含有有机溶剂的显影液对经曝光的抗蚀剂膜进行显影来形成图案，所述图案形成方法中，上层膜形成用组合物含有ClogP值为2.85以上的具有重复单元(a)的树脂及ClogP为1.30以下的化合物(b)，上层膜相对于水的后退接触角为70度以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】图案形成方法、抗蚀剂图案、电子器件的制造方法及上层膜形成用组合物
本专利技术涉及一种图案形成方法、通过上述图案形成方法而形成的抗蚀剂图案、包含上述图案形成方法的电子器件的制造方法及通过上述电子器件的制造方法而制造的电子器件。更详细而言，本专利技术涉及一种在集成电路(IC)等的半导体制造工序、液晶、热能头等电路基板的制造中使用，进而在其他的感光蚀刻加工的光刻(lithography)工序中使用的图案形成方法、通过上述图案而形成的抗蚀剂图案、包含上述图案形成方法的电子器件的制造方法及通过上述电子器件的制造方法而制造的电子器件。
技术介绍
以往，在IC等半导体器件的制造工序中，通过使用了各种抗蚀剂组合物的光刻法进行微细加工。例如，专利文献1中记载有“一种形成电子器件的方法，其包含：(a)提供包含进行图案形成的1个以上的层的半导体基体；(b)在上述进行图案形成的1个以上的层上形成光致抗蚀剂层；(c)在上述光致抗蚀剂层上涂布光致抗蚀剂上涂组合物，上述上涂组合物包含碱性淬灭剂(quencher)、聚合物及有机溶剂；(d)将上述层曝光于光化射线；及(e)以有机溶剂显影剂对上述经曝光的膜进行显影”。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图案形成方法，其具备：工序a，将感光化射线性或感放射线性树脂组合物涂布于基板上，从而形成抗蚀剂膜；工序b，利用上层膜形成用组合物而在所述抗蚀剂膜上形成上层膜；工序c，将形成有所述上层膜的所述抗蚀剂膜进行曝光；及工序d，使用含有有机溶剂的显影液对所述经曝光的所述抗蚀剂膜进行显影来形成图案，所述图案形成方法中，所述上层膜形成用组合物含有ClogP值为2.85以上的具有重复单元(a)的树脂及ClogP为1.30以下的化合物(b)，所述上层膜相对于水的后退接触角为70度以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.27 JP 2015-0667311.一种图案形成方法，其具备：工序a，将感光化射线性或感放射线性树脂组合物涂布于基板上，从而形成抗蚀剂膜；工序b，利用上层膜形成用组合物而在所述抗蚀剂膜上形成上层膜；工序c，将形成有所述上层膜的所述抗蚀剂膜进行曝光；及工序d，使用含有有机溶剂的显影液对所述经曝光的所述抗蚀剂膜进行显影来形成图案，所述图案形成方法中，所述上层膜形成用组合物含有ClogP值为2.85以上的具有重复单元(a)的树脂及ClogP为1.30以下的化合物(b)，所述上层膜相对于水的后退接触角为70度以上。2.根据权利要求1所述的图案形成方法，其中，所述上层膜形成用组合物中所含有的树脂为具有含有脂环式烃基的重复单元的树脂。3.根据权利要求1或2所述的图案形成方法，其中，所述上层膜形成用组合物中所含有的树脂为具有含有酸分解性基团的重复单元的树脂。4.根据权利要求1至3中任一项所述的图案形...

【专利技术属性】
技术研发人员：畠山直也，井上尚纪，丹吴直纮，白川三千纮，后藤研由，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP