用于光刻图案化的方法技术

本发明专利技术的实施例公开了用于光刻图案化的方法。该方法包括提供衬底，在衬底上方形成沉积增强层(DEL)并且使有机气体在DEL的表面附近流动。在有机气体的流动期间，该方法还包括用图案化的辐射辐照DEL和有机气体。有机气体的元素通过图案化的辐射而聚合，从而在DEL上方形成光刻胶图案。该方法还包括用光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻DEL，从而形成图案化的DEL。

Method for lithography patterning

Embodiments of the present invention disclose methods for lithography patterning. The method includes providing a substrate, forming a deposition enhancement layer (DEL) over the substrate, and enabling the organic gas to flow near the surface of the DEL. The method also includes irradiation of DEL and organic gas with patterned radiation during the flow of organic gas. The elements of organic gas are polymerized by patterned radiation to form photoresist patterns over the DEL. The method also includes etching the DEL with an photoresist pattern as an etch mask, thereby forming patterned DEL.

【技术实现步骤摘要】
用于光刻图案化的方法
本专利技术的实施例涉及用于光刻图案化的方法。
技术介绍
在过去的几十年中，半导体集成电路(IC)工业已经经历了快速增长。半导体材料和设计中的技术进步已经产生了越来越小和更复杂的电路。由于涉及处理和制造的技术已经经历了技术改进，因此这些材料和设计的改进已经成为可能。由于最小组件的尺寸已经减小，因此许多挑战已经出现。例如，实施更高分辨率光刻图案化的需求增长。诸如极紫外线(EUV)光刻的技术已被用于支持纳米级半导体器件的高分辨率需求。EUV光刻采用了EUV区域中的辐射(具有约1-100nm的波长)，从而提供了比传统辐射源(诸如KrF和ArF)更高的分辨率。然而，实现EUV光刻可以提供的所有益处仍存在挑战。一种挑战存在于用于EUV光刻的光刻胶材料和光刻胶图案化工艺中。光刻的常用光刻胶材料是化学增强的光刻胶(CAR)(包含由酸不稳定基团(ALG)保护的主链聚合物)。CAR还包含光产酸剂(在辐射之后产生酸)。诸如在曝光后烘烤工艺中，该酸可以催化ALG从主链聚合物的裂解。光刻胶的脱保护部分溶解在液体显影剂中，留下光刻胶的保留部分作为光刻胶图案。问题可能出现在光刻胶的曝光和显影本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于光刻图案化的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上方形成沉积增强层(DEL)；使有机气体在所述沉积增强层的表面附近流动；在所述有机气体的流动期间，用图案化的辐射辐照所述沉积增强层和所述有机气体，其中，所述有机气体的元素通过所述图案化的辐射而聚合，从而在所述沉积增强层上方形成光刻胶图案；以及用所述光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻所述沉积增强层，从而形成图案化的沉积增强层。

【技术特征摘要】
2016.03.04 US 15/061,8601.一种用于光刻图案化的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上方形成沉积增强层(DEL)；使有机气体在所述沉积增强层的表面附近流动；在所述有机...

【专利技术属性】
技术研发人员：张书豪，高国璋，黄建元，陈政宏，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71