抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术

本发明专利技术的课题是提供一种用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，其能够形成表示抗蚀剂图案的线宽的不均匀度的LWR比以往小的抗蚀剂图案。本发明专利技术的解决方法是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物、具有被叔丁氧基羰基保护了的氨基和未被保护的羧基的化合物或该化合物的水合物、以及溶剂，所述化合物或该化合物的水合物相对于该聚合物100质量份为0.1质量份～30质量份。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】抗蚀剂下层膜形成用组合物
本专利技术涉及一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其以相对于聚合物而言规定的比例含有具有被叔丁氧基羰基(以下在本说明书中简称为Boc基。)保护了的氨基和未被保护的羧基的化合物。此外，本专利技术涉及一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，即使在形成薄的膜厚(例如20nm以下)的抗蚀剂下层膜的情况下，其对基板的涂布性也优异，进而即使在薄膜的情况下，也会改良所形成的抗蚀剂的线图案线宽的不均匀度的大小。
技术介绍
专利文献1公开了一种抗蚀剂下层膜(防反射膜)，其不与在上层形成的抗蚀剂膜混合，在使用ArF准分子激光进行曝光的情况下，可获得期望的光学参数(k值、n值)，而且可获得相对于抗蚀剂膜而言大的干蚀刻速度的选择比。另一方面，对于采用了作为进一步微细加工技术的EUV(极紫外线的简称，波长13.5nm)曝光的光刻而言，虽然没有来自基板的反射，但是与图案微细化相伴的抗蚀剂图案侧壁的粗糙成为问题。因此，进行了众多关于用于形成矩形性高的抗蚀剂图案形状的抗蚀剂下层膜的研究。作为形成EUV、X射线、电子射线等高能量射线曝光用抗蚀剂下层膜的材料，公开了排气的产生降低了的抗蚀剂下层膜形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含：聚合物，具有被叔丁氧基羰基保护了的氨基和未被保护的羧基的化合物或该化合物的水合物，以及溶剂，所述化合物或该化合物的水合物相对于该聚合物100质量份为0.1质量份～30质量份。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.21 JP 2014-2145811.一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含：聚合物，具有被叔丁氧基羰基保护了的氨基和未被保护的羧基的化合物或该化合物的水合物，以及溶剂，所述化合物或该化合物的水合物相对于该聚合物100质量份为0.1质量份～30质量份。2.根据权利要求1所述的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述化合物是下述式(1a)或式(1b)所示的化合物，式中，A表示碳原子数为1～6的直链状烃基、脂环式烃基、芳香族烃基或芳香族杂环基，该直链状烃基可以具有至少1个杂原子，B表示氢原子或碳原子数为1～21的有机基团，该有机基团可以具有至少1个选自羰基、-OC(＝O)-基、-O-基、-S-基、磺酰基和-NH-基中的连接基团、和/或至少1个选自羟基、硫醇基、卤代基、氨基和硝基中的取代基，R0表示氢原子或甲基，Z1和Z2分别独立地表示氢原子、羟基、卤代基、氨基或硝基，m表示0～2，n表示1～4的整数。3.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物具有下述式(2)所示的结构单元和式(3)所示的结构单元，式中，Q1和Q2分别独立地表示具有可具有取代基的碳原子数为1～13的烃基的二价有机基团、具有芳香族环的二价有机基团、或...

【专利技术属性】
技术研发人员：西田登喜雄，藤谷德昌，坂本力丸，
申请(专利权)人：日产化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP