The invention provides an adhesion promoter for non etching photoresist, which is mainly made up of 0.05 to 1% of the total mass of the accelerator, and the chemical formula is (R3SiO1/2) a (R)
【技术实现步骤摘要】
非蚀刻性光致抗蚀剂用附着力促进剂
本专利技术涉及一种改善附着力的助剂，尤其涉及一种非蚀刻性光致抗蚀剂用附着力促进剂，适用于改善PCB制程中铜与光致抗蚀膜层之间的附着力，属于精细化工领域。
技术介绍
在印制电路板（PCB）的制程中，PCB铜层的表面贴装有一层光致抗蚀剂，该光致抗蚀剂与上述铜层之间的附着力要求有持久的稳定性，以防在曝光、显影、蚀刻、铜电镀（在铜结构体产生）及焊接等后续工艺过程中，基底铜发生“底切（undercut）”现象。因此为了保证铜表面与光致抗蚀剂之间有良好的附着力，目前工业上较广泛使用的方法是先通过机械刷磨或化学蚀刻等方法对铜表面进行处理，在铜表面形成凹凸不平的形貌，提高铜与光致抗蚀剂的有效接触面积，增加铜与光致抗蚀剂之间的锚合力，从而提高两种材料的附着力；其中以化学蚀刻的方法应用最广。然而随着电路板表面铜导电图形线宽的缩小，导致铜导电图形面积相应缩小，这对铜表面与光致抗蚀层之间的结合力提出了更高的要求。特别是当导电图形的线距和线宽小于10μm时，导体表面是否光滑对高频信号的传输非常关键，而经过刷磨或微蚀刻的表面粗化的导体会造成信号在传输过程中完...
【技术保护点】
一种非蚀刻性光致抗蚀剂用附着力促进剂，该促进剂包括由水溶性醇和水混合均匀配制而成的溶剂，其中水溶性醇占该溶剂总质量的50～95％，水占该溶剂总质量的5～50％，其特征在于：该促进剂还包括占该促进剂总质量0.05～1.0％且化学通式为(Ⅰ)的有机硅聚合物；(R3SiO1/2)a(R
【技术特征摘要】
1.一种非蚀刻性光致抗蚀剂用附着力促进剂，该促进剂包括由水溶性醇和水混合均匀配制而成的溶剂，其中水溶性醇占该溶剂总质量的50～95％，水占该溶剂总质量的5～50％，其特征在于：该促进剂还包括占该促进剂总质量0.05～1.0％且化学通式为(Ⅰ)的有机硅聚合物；(R3SiO1/2)a(R1SiO3/2)b(R2SiO3/2)c(R3SiO3/2)d(Ⅰ)其中：R为1～2个碳原子的烷烃基团，R1为含巯基的脂肪族基团或含巯基的芳香族基团；R2为含芳胺基或含氮杂环的脂肪族基团；R3为含乙烯基、丙烯酸酯基和甲基丙烯酸酯基中的一种的脂肪族基团；且a＝0～0.8、b+c+d＝0.2～0.98、c＝0.2～0.88、d＝0.02～0.4，a+b+c+d＝1。2.根据权利要求1所述非蚀刻性光致抗蚀剂用附着力促进剂，其特征在于：所述有机硅聚合物为R3SiOX、R1Si(OX)3、R2Si(OX)3和R3Si(OX)3的混合物在酸性条件下水解得到的产物，其中X为1～6个碳原子的烷烃基。3.根据权利要求2所述非蚀刻性光致抗蚀剂用附着力促进剂，其特征在于：所述X为甲基或乙基。4.根据权利要求3所述非蚀刻性光致抗蚀剂用附着力促进剂，其特征在于：所述R3SiOX为三甲基乙氧基硅烷和三甲基甲氧基硅烷中的一种。5.根据权利要求2所述非蚀刻性光致抗蚀剂用附着力促进剂，其特征在于：所述R1Si(OX)3为γ-巯丙基三乙氧基硅烷、γ-巯丙基三甲氧基硅烷、双-[γ-(三乙氧基硅)丙基]四硫化物、双-[γ-(三甲氧基硅)丙...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈修宁，张艳华，黄志齐，黄京华，王淑萍，贺承相，李建，
申请(专利权)人：昆山市板明电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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