光刻用下层膜形成用材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜、抗蚀图案形成方法、及电路图案形成方法技术

本发明专利技术提供包含将改性萘甲醛树脂氰酸酯化而得到的氰酸酯化合物的光刻用下层膜形成用材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光刻用下层膜形成用材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜、抗蚀图案形成方法、及电路图案形成方法
本专利技术涉及光刻用下层膜形成用材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜、抗蚀图案形成方法、及电路图案形成方法。
技术介绍
在半导体器件的制造中，进行了基于使用光致抗蚀剂材料的光刻的微细加工，但近年来随着LSI的高集成化和高速化，要求基于图案规则进一步的微细化。而且，在使用了目前作为通用技术使用的光曝光的光刻中，正逐渐接近源自光源的波长在本质上的分辨率的界限。抗蚀图案形成时使用的光刻用的光源是由KrF准分子激光(248nm)被短波长化为ArF准分子激光(193nm)的。然而，抗蚀图案微细化发展时，会产生分辨率的问题或在显影后抗蚀图案倒塌的问题，因此期望抗蚀剂的薄膜化。然而，若仅进行抗蚀剂的薄膜化，则变得难以得到足以进行基板加工的抗蚀图案膜厚。因此，不仅抗蚀图案需要，在抗蚀剂和所加工的半导体基板之间制作抗蚀剂下层膜，对于该抗蚀剂下层膜也需要使其具有在基板加工时作为掩模功能的工艺。现在，作为这样的工艺用的抗蚀剂下层膜，已知有各种抗蚀剂下层膜。例如，作为实现与以往的蚀刻速度快的抗蚀剂下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻用下层膜形成用材料，其包含将改性萘甲醛树脂氰酸酯化而得到的氰酸酯化合物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.03 JP 2015-0413701.一种光刻用下层膜形成用材料，其包含将改性萘甲醛树脂氰酸酯化而得到的氰酸酯化合物。2.根据权利要求1所述的光刻用下层膜形成用材料，其中，所述氰酸酯化合物为下述式(1)所示的化合物，式(1)中，Ar1各自独立地表示芳香环结构；R1各自独立地表示亚甲基、亚甲基氧基、亚甲基氧基亚甲基、或氧亚甲基、或它们连结而成的结构；R2各自独立地表示作为一价取代基的氢原子、烷基或芳基；R3各自独立地表示碳数为1～3的烷基、芳基、羟基、或羟基亚甲基；m表示1以上的整数；n表示0以上的整数；各重复单元的排列是任意的，k表示氰酸酯基的键合个数即1～3的整数，x表示R2的键合个数即“将Ar1能键合的个数减去(k+2)后得到”的整数，y表示0～4的整数。3.根据权利要求1或2所述的光刻用下层膜形成用材料，其中，所述改性萘甲醛树脂是使用羟基取代芳香族化合物使萘甲醛树脂、或脱缩醛键萘甲醛树脂改性而得到的树脂。4.根据权利要求3所述的光刻用下层膜形成用材料，其中，所述羟基取代芳香族化合物为选自由苯酚、2,6-二甲苯酚、萘酚、二羟基萘、联苯酚、羟基蒽、及二羟基蒽组成的组中的1种或2种以上。5.根据权利要求1～4中任一项所述的光刻用下层膜形成用材料，其中，所述氰酸酯化合物的重均分子量为200以上且25000以下。6.根据权利要求2～5中任一项所述的光刻用下层膜形成用材料，其中，所述式(1)所示的化合物为下述式(1-1)所示的化合物，式(1-1)中，R1～R3...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈田佳奈，牧野嶋高史，越后雅敏，东原豪，大越笃，
申请(专利权)人：三菱瓦斯化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP