半导体器件以及用于形成多个半导体器件的方法技术

公开了一种半导体器件以及用于形成多个半导体器件的方法。用于形成多个半导体器件的方法包括形成从半导体晶片的第一侧向表面朝向半导体晶片的第二侧向表面延伸的多个沟槽。该方法还包括用填充材料填充多个沟槽的至少一部分。该方法还包括从半导体晶片的第二侧向表面对半导体晶片进行减薄以形成减薄的半导体晶片。该方法还包括在对半导体晶片进行减薄之后，在半导体晶片的多个半导体芯片区上形成背侧金属化层结构。该方法还包括在形成背侧金属化层结构之后，通过从多个沟槽中去除填充材料的至少一部分来使半导体晶片的半导体芯片区个体化以获得多个半导体器件。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件以及用于形成多个半导体器件的方法
本专利技术实施方案涉及使半导体器件个体化(individualizing)的研究，特别涉及半导体器件以及用于形成多个半导体器件的方法。
技术介绍
半导体晶片的半导体器件(例如，半导体管芯或半导体芯片)可能由于用于管芯分割的工艺或技术而受到各种影响。例如，可能在单个半导体器件中形成危险的毛细裂纹(criticalhairlinecrack)。此外，单个半导体器件可能由于在管芯上研磨之后的机械切割而遭受应力和/或所制备的前侧结构的污染或损坏。薄管芯(例如在4μm至50μm之间，或者例如在30μm至50μm的范围内，或者例如在10μm至80μm范围内，例如30μm、50μm或60μm或薄于40μm)可能遭受毛细裂纹的风险，例如这可能会显著降低良品率并可能导致现场的电故障。
技术实现思路
需要提供用于形成具有较高良品率和/或降低的电故障的多个半导体器件的研究。可以通过权利要求的主题来满足这样的需要。一些实施方案涉及用于形成多个半导体器件的方法。该方法包括形成从半导体晶片的第一侧向表面朝向半导体晶片的第二侧向表面延伸的多个沟槽。该方法还包括用填充材料填充本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于形成多个半导体器件的方法(100,200,300,400,500,600,700,800)，所述方法包括：形成(110)从半导体晶片的第一侧向表面朝向所述半导体晶片的第二侧向表面延伸的多个沟槽；用填充材料填充(120)所述多个沟槽的至少一部分；从所述半导体晶片的所述第二侧向表面对所述半导体晶片进行减薄(130)，以形成减薄的半导体晶片；在对所述半导体晶片进行减薄之后，在所述半导体晶片的多个半导体芯片区上形成(140)背侧金属化层结构，其中所述半导体晶片的所述多个半导体芯片区位于所述多个沟槽之间；以及在形成所述背侧金属化层结构之后通过从所述多个沟槽去除所述填充材料的至少一部分来使所述半导...

【技术特征摘要】
2016.05.18 DE 102016109165.01.一种用于形成多个半导体器件的方法(100,200,300,400,500,600,700,800)，所述方法包括：形成(110)从半导体晶片的第一侧向表面朝向所述半导体晶片的第二侧向表面延伸的多个沟槽；用填充材料填充(120)所述多个沟槽的至少一部分；从所述半导体晶片的所述第二侧向表面对所述半导体晶片进行减薄(130)，以形成减薄的半导体晶片；在对所述半导体晶片进行减薄之后，在所述半导体晶片的多个半导体芯片区上形成(140)背侧金属化层结构，其中所述半导体晶片的所述多个半导体芯片区位于所述多个沟槽之间；以及在形成所述背侧金属化层结构之后通过从所述多个沟槽去除所述填充材料的至少一部分来使所述半导体晶片的所述半导体芯片区个体化(150)，以获得所述多个半导体器件。2.根据权利要求1所述的方法，其中对所述半导体晶片(203,303)进行减薄包括从半导体晶片的所述第二侧向表面(204)去除半导体晶片材料以在所述减薄的半导体晶片的所述第二侧向表面处露出包括填充材料(207)的所述多个沟槽(201)。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中在对所述半导体晶片进行减薄之后，所述减薄的半导体晶片(203,303)的最大厚度小于100μm。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中位于所述多个半导体芯片区(205)中的相邻半导体芯片区(205)之间的所述多个沟槽(201)中的沟槽(201)的平均侧向宽度小于15μm。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括在用填充材料(207)填充所述多个沟槽(201)的所述至少一部分之后，在所述多个半导体芯片区(205)中的半导体芯片区中形成半导体器件的至少一个电结构(206)的至少一部分。6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括在对所述半导体晶片进行减薄之后，从所述半导体晶片(203,303)的所述第二侧向表面(204)蚀刻位于所述多个沟槽(201)中的所述填充材料(207)，使得包括填充材料(207)的所述多个沟槽(201)的最大深度小于所述减薄的半导体晶片的厚度。7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中对所述半导体晶片(203,303)进行减薄包括从所述半导体晶片的所述第二侧向表面对所述半导体晶片进行减薄，直到在所述减薄的半导体晶片(203,303)的所述第二侧向表面处露出所述半导体晶片的蚀刻停止层结构(315)。8.根据权利要求7所述的方法，其中所述半导体晶片的所述蚀刻停止层结构(315)在所述半导体晶片(203,303)的侧向面积的至少70％上侧向延伸。9.根据权利要求7或8所述的方法，还包括在所述半导体晶片(203,303)的所述多个半导体芯片区(205)上形成所述背侧金属化层结构(209)之前，去除所述半导体晶片(203,303)的所述蚀刻停止层结构(315)的至少一部分。10.根据权利要求7至9中任一项所述的方法，其中所述多个沟槽(201)从半导体晶片(203,303)的所述第一侧向表面(202)至少延伸到所述半导体晶片(202,303)的所述蚀刻停止层结构(315)的垂直高度(318)。11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述填充材料(207)是碳基材料、氮化硅基材料、二氧化硅基材料、...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥利弗·黑尔蒙德，约翰内斯·鲍姆加特尔，曼弗雷德·恩格尔哈特，伊里斯·莫德，英戈·穆里，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE