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半导体器件以及用于形成多个半导体器件的方法技术
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文档序号:16664340
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公开了一种半导体器件以及用于形成多个半导体器件的方法。用于形成多个半导体器件的方法包括形成从半导体晶片的第一侧向表面朝向半导体晶片的第二侧向表面延伸的多个沟槽。该方法还包括用填充材料填充多个沟槽的至少一部分。该方法还包括从半导体晶片的第二侧...
该专利属于英飞凌科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过英飞凌科技股份有限公司授权不得商用。
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