能够调节操作电压的存储器设备和控制其的应用处理器制造技术

本发明专利技术提供一种能够调节操作电压的存储器设备，并且提供一种用于控制所述存储器设备的应用处理器。所述存储器设备可以包括：接收端子，所述接收端子用于从外部源接收电压控制信号，所述电压控制信号用于根据所述存储器设备的操作速度来调节操作电压电平；以及电压调节单元，所述电压调节单元用于响应于所述电压控制信号来调节所述存储器设备的操作电压的电平。所述操作电压的电平是在以对应于经调节的操作电压的操作速度执行存储器操作之前被调节。

【技术实现步骤摘要】
能够调节操作电压的存储器设备和控制其的应用处理器相关申请的交叉引用本申请要求在韩国知识产权局在2016年4月29日提交的韩国专利申请第10-2016-0053523号的权益，所述专利申请的公开通过引用整体合并于此。
本专利技术构思涉及存储器设备，并且更具体来说，涉及能够调节操作电压的存储器设备，和用于控制存储器设备的应用处理器。
技术介绍
在高性能电子系统中使用的半导体存储器设备的容量和速度已经有所提高。半导体存储器设备的示例是动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，DRAM)，其是将数据作为电荷存储在电容器中的一种类型的易失性存储器。移动系统采用应用处理器(applicationprocessor，AP)来控制半导体存储器设备和其它各种设备，并且采用电力管理集成电路(powermanagementintegratedcircuit，PMIC)来管理应用处理器中的各种功能块的电力。PMIC向移动系统中的半导体存储器设备提供恒定的电源电压，但被要求对电力的供应进行高效管理，而不降低半导体存储器设备的操作性能。
技术实现思路
本专利技术构思提供应用处理器，其能够通过预测存储器设备的操作速度来管理存储器设备，以响应于操作速度的变化而在适当的定时调节操作电压的电平。本专利技术构思提供存储器设备的操作方法，其可以防止在未在适当定时将存储器设备的操作电压改变为对于操作速度适当的操作电压时导致的存储器设备的操作特性恶化。根据本专利技术构思的一方面，提供存储器设备，其包括：接收端子，其被配置为从外部源接收用于根据存储器设备的操作速度来调节存储器设备中的操作电压的电平的电压控制信号；以及电压调节单元，其被配置为响应于所述电压控制信号而调节所述存储器设备的操作电压的电平。所述操作电压的电平是在以与电平经调节的操作电压相对应的操作速度执行存储器操作之前被调节。根据本专利技术构思的另一方面，提供应用处理器，其包括：存储器控制器，其控制存储器设备的存储器操作；动态电压和频率调整(DynamicVoltageandFrequencyScaling，DVFS)控制器，其从存储器控制器接收与操作速度相关联的状态信息、基于所述状态信息而输出电力调节命令以调节提供给存储器控制器的电源电压，并且基于所述状态信息而输出电压控制信号来调节存储器设备的操作电压的电平；以及至少一个输出端子，其向存储器设备提供所述电压控制信号。根据本专利技术构思的又一方面，应用处理器包括：存储器控制器，其被配置为控制存储器设备的存储器操作；动态电压和频率调整(DVFS)控制器，其被配置为：从所述存储器控制器接收与操作速度相关联的状态信息，基于所述状态信息而输出用于调节从外部设备提供给存储器控制器的电源电压的第一信号，并且基于所述状态信息而输出用于调节所述存储器设备的操作电压的电平的第二信号；以及一个或多个输出端子，其被配置为输出所述第一信号和第二信号。附图说明通过结合附图的以下详细描述，将更清楚地理解本专利技术构思的实施例。图1是示出数据处理系统的实施例的框图。图2是示出实施图1的应用处理器的示例的框图。图3A和图3B是示出电压控制信号的传输的示例的框图。图4是示出电压控制信号的传输的另一示例的框图。图5是示出实施图1的存储器设备的示例的框图。图6是示出其中存储器设备向应用处理器提供表格信息的示例的框图。图7是应用处理器的操作方法的实施例的流程图。图8是存储器设备的操作方法的实施例的流程图。图9是示出实施存储器设备的示例实施例的框图。图10A和图10B说明用于调节存储器设备的操作电压的示例定时布置。图11是示出在应用处理器中实施的存储器控制器的实施例的框图。图12和图13是示出数据处理系统的其它实施例的框图。图14A和图14B说明与对应于操作速度的操作电压的电平相关联的表格信息和设备信息的实施例。图15和图16是应用处理器的操作方法的实施例的流程图。图17和图18是说明应用处理器的实施例的操作的视图。图19是示出数据处理系统的实施例的框图。图20是示出包括应用处理器的计算机系统的实施例的框图。具体实施方式在本专利技术构思的领域中传统上依据功能块、单元和/或模块在附图中描述和说明本专利技术构思的一些实施例和/或组件。本领域技术人员将理解，通过可以使用基于半导体的制作技术或其它制造科技形成的例如逻辑电路、离散组件、微处理器、硬连线电路、存储器元件、接线连接等的电子(或光学)电路来物理地实施这些块、单元和/或模块。在通过微处理器或类似物实施所述块、单元和/或模块的情况下，它们可以使用软件(例如，微代码)被编程以执行本文论述的各种功能，并且可以可选地被固件和/或软件驱动。替代地，每个块、单元和/或模块可以通过专用硬件来实施，或者实施为用于执行一些功能的专用硬件与用于执行其它功能的处理器(例如，一个或多个经编程的微处理器和相关联的电路)的组合。而且，在不脱离本专利技术构思的范围的情况下，可以将实施例的每个块、单元和/或模块物理地分离为两个或更多个交互和离散的块、单元和/或模块。此外，在不脱离本专利技术构思的范围的情况下，可以将实施例的块、单元和/或模块物理地组合为更复杂的块、单元和/或模块。图1是示出数据处理系统10的实施例的框图。参看图1，数据处理系统10可以包括应用处理器100、存储器设备200，和电力管理集成电路(PMIC)300。图1中示出的数据处理系统10可以在各种计算系统上实施。根据实施例，数据处理系统10可以是包括应用处理器100的移动系统。数据处理系统10可以包括各种类型的存储器设备200。存储器设备200在各种实施例中可以是各种类型的半导体设备。根据实施例，存储器设备200可以是动态随机存取存储器(DRAM)，诸如，双倍数据速率同步动态随机存取存储器(doubledataratesynchronousdynamicrandomaccessmemory，DDRSDRAM)、低电力双倍数据速率(lowpowerdoubledatarate，LPDDR)SDRAM、图形双倍数据速率(graphicsdoubledatarate，GDDR)SDRAM、Rambus动态随机存取存储器(rambusdynamicrandomaccessmemory，RDRAM)等等。应用处理器100可以是片上系统(system-on-chip，SoC)。片上系统(SoC)可以包括根据基于预定标准总线规范的协议而操作的系统总线(未示出)、和连接到所述系统总线的各种知识产权核心。系统总线的标准规范可以是高级RISC机器(AdvancedRISCMachine，ARM)的高级微控制器总线架构(microcontrollerbusarchitecture，AMBA)协议。AMBA协议的总线类型包括高级高性能总线(AdvancedHigh-performanceBus，AHB)、高级外围总线(AdvancedPeripheralBus，APB)、高级可扩展接口(AdvancedeXtensibleInterface，AXI)、AXI4、AXI一致性扩展(AXICoherencyExtension，ACE)等。另外，可以使用其它类型的协议，例如SONIC公司的uNetwork、IBM的CoreCo本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器设备，包括：接收端子，所述接收端子被配置为从外部源接收电压控制信号，所述电压控制信号用于根据所述存储器设备的操作速度来调节所述存储器设备中的操作电压的电平；以及电压调节单元，所述电压调节单元被配置为响应于所述电压控制信号来调节所述存储器设备的操作电压的电平，其中，在以与经调节的操作电压相对应的操作速度执行存储器操作之前调节所述操作电压的电平。

【技术特征摘要】
2016.04.29 KR 10-2016-00535231.一种存储器设备，包括：接收端子，所述接收端子被配置为从外部源接收电压控制信号，所述电压控制信号用于根据所述存储器设备的操作速度来调节所述存储器设备中的操作电压的电平；以及电压调节单元，所述电压调节单元被配置为响应于所述电压控制信号来调节所述存储器设备的操作电压的电平，其中，在以与经调节的操作电压相对应的操作速度执行存储器操作之前调节所述操作电压的电平。2.如权利要求1所述的存储器设备，进一步包括接口单元，所述接口单元被配置为与外部存储器控制器通信，其中，所述接收端子包括被配置为通过所述接口单元从所述外部存储器控制器接收信号的多个端子当中的至少一个端子。3.如权利要求1所述的存储器设备，其中，从应用处理器的动态电压和频率调整DVFS控制器提供所述电压控制信号，所述DVFS控制器被配置为与所述存储器设备通信，并且所述电压调节单元被配置为通过调节由外部电力管理集成电路提供给所述存储器设备的电源电压，来生成所述经调节的操作电压。4.如权利要求3所述的存储器设备，其中，所述接收端子包括一个或多个专用端子，所述一个或多个专用端子被配置为从所述DVFS控制器直接接收所述电压控制信号。5.如权利要求1所述的存储器设备，其中，在以第一操作速度执行所述存储器操作的同时，所述操作电压的电平响应于所述电压控制信号而改变为与第二操作速度相对应的电平，并且所述接收端子被配置为在所述存储器设备接收具有与所述第二操作速度相对应的频率的时钟信号之前接收所述电压控制信号。6.如权利要求1所述的存储器设备，进一步包括频率检测器，所述频率检测器被配置为检测从存储器控制器提供给所述存储器设备的时钟信号的频率，其中，所述电压调节单元被配置为基于所确定的所述电压控制信号的结果和所检测到的所述时钟信号的频率而改变操作电压电平的调节的定时。7.如权利要求6所述的存储器设备，其中，在所述存储器操作的操作速度根据所确定的所述电压控制信号的结果从高速改变为低速时，所述操作电压的电平在接收到具有减小的频率的时钟信号之后减小，并且在所述存储器操作的操作速度根据所确定的所述电压控制信号的结果从低速改变为高速时，所述操作电压的电平在接收到具有增大的频率的时钟信号之前增大。8.如权利要求1所述的存储器设备，进一步包括存储单元，所述存储单元被配置为存储指示所述存储器设备的操作速度与操作电压之间的关系的表格信息，其中，由所述存储器设备将所述表格信息提供给外部应用处理器。9.一种应用处理器，包括：存储器控制器，所述存储器控制器被配置为控制存储器设备的存储器操作；动态电压和频率调整DVFS控制器，所述DVFS控制器被配置为：从所述存储器控制器接收与操作速度相关联的状态信息；基于所述状态信息而输出电力调节命令，以用于调节提供给所述存储器控制器的电源电压；以及基于所述状态信息而输出电压控制信号，以用于调节所述存储器设备的操作电压的电平；以及至少一个输出端子，所述至少一个输出端子被配置为将所述电压控制信号提供给所述存储器设备。10.如权利要求9所述的应用处理器，其中，与所述操作速度相关联的...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁熙甲，任明均，金秀奂，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR