一种光纤倏逝波传感器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种光纤倏逝波传感器及其制备方法，尤其涉及一种基于锥+U型多模光纤直接生长二硫化钼的倏逝波传感器及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：利用光纤拉锥机与丁烷喷灯将多模石英光纤制成锥+U型，然后再利用热分解四硫代钼酸铵的方法在光纤上直接生长二硫化钼，得到基于锥+U型多模光纤直接生长二硫化钼的倏逝波传感器。该基于锥+U型多模光纤直接生长二硫化钼的倏逝波传感器用于检测乙醇，腺苷等多种样品，在生物传感器应用中拥有广阔前景。

A fiber evanescent wave sensor and its preparation method

The invention relates to an optical fiber evanescent wave sensor and a preparation method thereof, in particular to a evanescent wave sensor for directly growing molybdenum disulfide based on conical +U type multimode optical fiber and a preparation method thereof. The preparation method comprises the following steps: using fiber pulling machine and the butane blowlamp multimode silica fiber cone made of +U type, and then using the method of thermal decomposition of four ammonium thiomolybdate MoS2 grown directly on the optical fiber, multimode fiber cone type +U obtained directly the growth of two molybdenum sulphide based on evanescent evanescent wave sensor. The evanescent wave sensor based on conical +U type multimode fiber directly grows molybdenum disulfide, which can be used to detect various kinds of samples, such as ethanol and adenosine. It has broad prospects in biosensor applications.

【技术实现步骤摘要】
一种光纤倏逝波传感器及其制备方法
本专利技术属于光纤倏逝波传感器的
，涉及一种光纤倏逝波传感器及其制备方法，尤其涉及一种基于锥+U型多模光纤直接生长二硫化钼的倏逝波传感器及其制备方法。
技术介绍
光纤倏逝波传感器，其原理是基于分析物与光纤中光的倏逝场的相互作用，由于在较短的敏感区域内发生多次反射，使得它拥有比衰减式全反射点传感器更高的灵敏度。因此光纤倏逝波传感器在化学和生物分子检测中应用广泛，得到了人们的广泛关注。为了提高传感器的灵敏度，许多研究组设计研究了不同结构的光纤倏逝波传感器，例如锥形光纤，U型光纤等。锥形光纤增加了倏逝场的强度和穿透深度；U型光纤中更多的光参与跟检测分子的相互作用，并且可以检测狭小的空间。然而，现有的光纤倏逝波传感器的灵敏度需要进一步提高。作为石墨烯类似物，二硫化钼与石墨烯有着明显的相似之处。如二维超薄原子层结构和高表面积，在纳米电子学、光电子学和能量采集方面表现出了巨大的潜力。此外，二硫化钼具有高透光性、化学稳定性、生物分子亲和性和低温合成等优点，并且相比于石墨烯更容易进行生物修饰，这对倏逝波传感器来说是一种理想的材料。然而，现有技术中，并未将二硫化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于锥+U型多模光纤直接生长二硫化钼的倏逝波传感器的制备方法，其特征是：该方法包括：步骤1：将多模石英光纤制成锥型多模石英光纤；步骤2：将锥型多模石英光纤进一步制成U型的结构体，形成锥+U型多模石英光纤；步骤3：直接在锥+U型多模石英光纤生长二硫化钼，形成基于锥+U型多模光纤直接生长二硫化钼的倏逝波传感器。

【技术特征摘要】
1.一种基于锥+U型多模光纤直接生长二硫化钼的倏逝波传感器的制备方法，其特征是：该方法包括：步骤1：将多模石英光纤制成锥型多模石英光纤；步骤2：将锥型多模石英光纤进一步制成U型的结构体，形成锥+U型多模石英光纤；步骤3：直接在锥+U型多模石英光纤生长二硫化钼，形成基于锥+U型多模光纤直接生长二硫化钼的倏逝波传感器。2.如权利要求1所述的一种基于锥+U型多模光纤直接生长二硫化钼的倏逝波传感器的制备方法，其特征是：所述步骤1中，多模石英光纤采用规格为62.5/125μm的多模石英光纤。3.如权利要求1所述的一种基于锥+U型多模光纤直接生长二硫化钼的倏逝波传感器的制备方法，其特征是：所述步骤1中将多模石英光纤制成锥型多模石英光纤的制作具体步骤为：步骤1-1：取60cm的多模石英光纤，去其包层；步骤1-2：用光纤拉锥机将多模石英光纤的中间区域拉锥，由多模石英光纤制成锥型多模石英光纤。4.如权利要求3所述的一种基于锥+U型多模光纤直接生长二硫化钼的倏逝波传感器的制备方法，其特征是：所述步骤2中形成锥+U型多模石英光纤的制作具体步骤为：步骤2-1：采用丁烷喷灯喷烧步骤1-2中制成的锥型多模石英光纤；步骤2-2：在锥型多模石英光纤软化后，将锥型多模石英光纤锥形区的锥尖处制成U型的结构体，形成锥+U型多模石英光纤。5.如权利要求1所述的一种基于锥+U型多模光纤直接生长二硫化钼的倏逝波传感器的制备方法，其特征是：所述步骤3中，采用热分解四硫代钼酸铵的方法直接在锥+U型多模石英光纤生长二硫化钼；直接在锥+U型多模石英光纤生长二硫化钼的制作具体步骤为：步骤3-1：将锥...

【专利技术属性】
技术研发人员：张超，满宝元，李喆，姜守振，杨诚，郁菁，
申请(专利权)人：山东师范大学，
类型：发明
国别省市：山东,37