一种蓝紫光纳米光储存材料及制备方法技术

本发明专利技术涉及光信息存储技术，是一种发光型蓝光纳米光存储材料及其制备方法。本发明专利技术利用纳米材料具有较多的表面态特点，设计出一类特殊纳米光学材料，在紫外光辐照下，表面态发生性质改变，引起材料发光强度发生显著永久变化，从而可利用辐照前后发光强度的显著变化，实现蓝紫光光存储。所述的材料为纳米ＺｎＳ：Ｍｎ，采用化学共沉淀方法合成纳米颗粒或进一步制成薄膜。此种光存储材料与其它发光型光存储材料相比，具有多次读出性能好的优点。而且，由于蓝紫光具有较短波长及材料由纳米单元组成，存储密度高。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电子材料
，涉及一种光信息存储材料，具体地说是一种蓝紫光纳米光存储材料及其制备方法，更确切地说是一种发光型光存储材料。目前，发光型光存储材料只有电子俘获体材料。电子俘获材料中存在发光中心和电子陷阱，利用蓝绿光写入，红外光读出。光存储时，蓝绿光激发介质使发光中心离子离化，释放的电子被电子陷阱中心俘获。读出时，红外光激发了陷阱中的电子，使电子脱离陷阱重新回到发光中心，从而产生红色发光。这样，只有被写入的地方在红外光读出时才有红光发射，来进行光存储。电子俘获的光存储存在一个严重问题在红外光读出时，电子俘获材料发光来自信息写入时存储于材料中的光能，即发光强度正比于陷阱中电子的数目，由于存储电子数目有限，因此，信息写入后读出次数少。当写入的光能经过几次读出全部以发光形式释放后，写入的信息消失，不能再读出。另外，由于波长的限制，利用红外光读出也限制了存储密度。纳米材料具有与一般体材料不同的物理性质，其中包括发光和光学性质，具有开发多种新型功能材料的巨大潜力。但纳米材料作为光存储材料，尤其是作为蓝紫光纳米光存储材料还未见报道。通常的非纳米ZnSMn粉末材料是一种很好的黄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蓝紫光纳米光储存材料，其特征是用化学共沉淀合成的纳米ＺｎＳ∶Ｍｎ，纳米尺寸小于５０ｎｍ，在蓝紫光辐照下，５８０ｎｍ发光强度大幅增强，未被辐照的区域发光很弱；所述的纳米ＺｎＳ∶Ｍｎ用蓝紫光对待存储区进行一定剂量的辐照，５８０ｎｍ的光信息被写入，用小剂量蓝紫光激发待存储区探测５８０ｎｍ发光，５８０ｎｍ光信息被读出。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张家骅，黄世华，虞家琪，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：82[中国|长春]