半导体激光装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够改善波导构造的温度特性而实现稳定的发光图案及高输出化的半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置(1)包括：n型披覆层(5)，积层在衬底(2)上；活性层(6)，积层在n型披覆层(5)上；p型披覆层(7)，积层在活性层(6)上；及多个波导构造(8)，形成在p型披覆层(7)上，具有俯视喇叭形状的隆起缘。在该构成中，在相互相邻的波导构造(8)之间形成有分断构造(29)，该分断构造(29)包括：槽(30)，分断活性层(6)；及散热材料(34)，填充在该槽(30)中，且具有比半导体层(4)的热导率高的热导率。

Semiconductor laser device and its manufacturing method

The invention provides a stable luminescence pattern and a high output semiconductor laser device which can improve the temperature characteristics of the waveguide structure and the manufacturing method thereof. A semiconductor laser device (1) includes: n cladding layer on a substrate (5), (2); active layer (6), laminated covering layer in N type (5); P type cladding layer (7), (6) layer in the active layer; and a plurality of the waveguide structure (8), forming a covering layer in P type (7), with a trumpet shaped ridge overlooking. A split structure (29) is formed between the adjacent waveguide structures (8). The split structure (29) includes a slot (30), a broken active layer (6), and a heat dissipating material (34), filled in the groove (30), and has a high thermal conductivity higher than that of the semiconductor layer (4).

【技术实现步骤摘要】
半导体激光装置及其制造方法
本专利技术涉及半导体激光装置及其制造方法。
技术介绍
近年，在半导体激光装置领域，要求产生的光(激光)高输出化，伴随此提出有各种形态。例如，作为可实现高输出化的一个形态，在专利文献1中揭示有具备具有俯视喇叭形状的隆起缘的波导构造的半导体激光装置。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利特开平8－23133号公报
技术实现思路
[专利技术所要解决的问题]本专利技术者为了实现半导体激光装置的进一步高输出化，而研究在同一衬底上设置多个具有俯视喇叭形状的隆起缘的波导构造的构成。认为其原因在于，通过设置多个波导构造，在理论上能够对应于波导构造的个数而使光输出成比例地增加。然而，在设置有多个波导构造的构成中，由于这些多个波导构造同时振荡，因此在一个波导构造产生的热传导至邻接的波导构造的结果，有因热干涉而波导构造成为超过动作温度的高温的顾虑。当波导构造成为高温时，会引起半导体激光装置的光输出下降。此外，当在多个波导构造间产生温度差时，在其等之间光输出产生不均，结果无法获得设计的光输出，也会损害发光图案的稳定性。由此，本专利技术的目的在于，提供一种能够改善波导构造的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光装置，包括：衬底；第一导电型的披覆层，积层在衬底上；活性层，积层在所述第一导电型的披覆层上；第二导电型的披覆层，积层在所述活性层上；及多个波导构造，形成在所述第二导电型的披覆层上，且具有俯视喇叭形状的隆起缘；在相互相邻的所述波导构造之间形成有分断构造，该分断构造包括：槽，分断所述活性层；及散热材料，填充在该槽中，且具有比所述半导体层的热导率高的热导率。

【技术特征摘要】
2016.05.17 JP 2016-0985361.一种半导体激光装置，包括：衬底；第一导电型的披覆层，积层在衬底上；活性层，积层在所述第一导电型的披覆层上；第二导电型的披覆层，积层在所述活性层上；及多个波导构造，形成在所述第二导电型的披覆层上，且具有俯视喇叭形状的隆起缘；在相互相邻的所述波导构造之间形成有分断构造，该分断构造包括：槽，分断所述活性层；及散热材料，填充在该槽中，且具有比所述半导体层的热导率高的热导率。2.一种半导体激光装置，包括：衬底；第一导电型的披覆层，积层在衬底上；活性层，积层在所述第一导电型的披覆层上；第二导电型的披覆层，积层在所述活性层上；及至少10个波导构造，形成在所述第二导电型的披覆层上，且具有俯视喇叭形状的隆起缘；在相互相邻的所述波导构造之间形成有分断构造，该分断构造包括：槽，分断所述活性层；及散热材料，填充在该槽中，且具有比所述半导体层的热导率高的热导率。3.一种半导体激光装置，包括：衬底；第一导电型的披覆层，积层在衬底上；活性层，积层在所述第一导电型的披覆层上；第二导电型的披覆层，积层在所述活性层上；蚀刻终止层，积层在所述第二导电型的披覆层上；及多个波导构造，形成在所述蚀刻终止层上，且具有俯视喇叭形状的隆起缘；在相互相邻的所述波导构造之间形成有分断构造，该分断构造包括：槽，分断所述活性层；及散热材料，填充在该槽中，且具有比所述半导体层的热导率高的热导率。4.根据权利要求3所述的半导体激光装置，其中所述蚀刻终止层包含对所述波导构造具有蚀刻选择比的半导体材料。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：北嶋久义，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP