一种半导体激光器阵列封装结构制造技术
A semiconductor laser array packaging structure
The invention discloses a semiconductor laser array package structure, comprising a semiconductor laser array chip, solder pieces, transition heat sink, heat heat sink, the laser array chip the upper and lower sides are respectively provided with a welding sheet, welding plate heat sink are respectively welded on the laser array chip of the upper and lower surfaces, transition heat sink down both sides are respectively welded on the heat sink again. The invention is provided with heat between the laser array chip and heat sink thermal expansion coefficient, heat sink, to prevent the operation of laser bending deformation of light-emitting surface, improve the stability of laser array chip welding, laser array chip on each side is provided with a cooling heat sink for improving radiation performance of laser.
【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光器阵列封装结构
本申请属于激光
，具体地说，涉及一种半导体激光器阵列封装结构。
技术介绍
半导体激光器具有电光转化效率高、波段范围广、寿命长、体积小、重量轻等优点，在军事、航空、生物医疗、空间激光通信等领域具有广泛应用。随着实际工程应用需求的发展，对半导体激光器输出功率水平要求越来越高，目前实现高功率的半导体激光器通常采用两种方式：一是采用光学透镜器件将多个半导体激光器芯片发生的光进行准直聚焦耦合到光纤输出，受限于激光芯片数量增多对光斑大小的影响，采用该方式可以实现百瓦级的激光输出，但对于更高功率的激光输出就变得尤为困难；另一种方法是对半导体激光阵列结构的芯片进行光束整形聚焦，半导体激光阵列芯片通常有19-25个发光单元构成，单个阵列芯片可实现50-75W的激光输出，半导体激光阵列的垂直叠阵的应用使输出功率达几百上千瓦。半导体激光器阵列结构的研究促进了半导体激光器的应用。在半导体激光器阵列中电光转化效率一般小于50%，在应用中将有50%的电功率将转化成热的形式耗散，该部分热量的存在将导致激光输出功率的降低、输出光谱的展宽。同时激光阵列芯片和热沉...
【技术保护点】
一种半导体激光器阵列封装结构，其特征在于，包括：激光器阵列芯片；分别焊接于所述激光器阵列芯片两侧的焊片；焊接于两侧所述焊片的过渡热沉；支撑一侧所述过渡热沉的第一散热热沉；以及覆盖另一侧所述过渡热沉的第二散热热沉；其中，所述第一散热热沉与所述第二散热热沉远离所述激光器阵列芯片的一端通过绝缘层相互连接。
【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器阵列封装结构，其特征在于，包括：激光器阵列芯片；分别焊接于所述激光器阵列芯片两侧的焊片；焊接于两侧所述焊片的过渡热沉；支撑一侧所述过渡热沉的第一散热热沉；以及覆盖另一侧所述过渡热沉的第二散热热沉；其中，所述第一散热热沉与所述第二散热热沉远离所述激光器阵列芯片的一端通过绝缘层相互连接。2.根据权利要求1所述的半导体激光器阵列封装结构，其特征在于，其中所述激光器阵列芯片两侧蒸镀有Ti-Pt-Au金属层，所述Ti-Pt-Au金属层包括Ti粘附层，Pt阻挡层及Au浸润层。3.根据权利要求1所述的半导体激光器阵列封装结构，其特征在于，其中所述焊片由3μm厚的预成型AuSn合金焊...
【专利技术属性】
技术研发人员：李军，席道明，陈云，吕艳钊，魏皓，
申请(专利权)人：江苏天元激光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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