一种用硅胶包覆GPP芯片灌封桥式整流器的制造方法技术

一种用硅胶包覆GPP芯片灌封桥式整流器的制造方法，步骤包括:将若干个GPP芯片放入分向吸盘中，所述分向吸盘包括吸盘本体，在吸盘本体上间隔设有若干排吸盘孔，所述吸盘孔为大吸盘孔和小吸盘孔间隔设置，大吸盘孔与GPP芯片的N极相配合，小吸盘孔与GPP芯片的P极相配合，晃动分向吸盘后，GPP芯片落入吸盘孔内，通过向分向吸盘孔施加负压使得GPP芯片吸附在分向吸盘上；去除了裂片、酸腐蚀、高纯水清洗绝缘硅胶高温硫化等步骤，共缩短生产周期12小时每批。台面工艺制程的GPP芯片组焊工艺，采用合金导线与芯片接触位置采用的是钉头凸点结构，此结构解决了因焊接过程中产生的气孔虚连，从而提升了器件的正向浪涌能力。

Manufacturing method of bridge rectifier with encapsulation of GPP chip with silica gel

A method for manufacturing silica gel coated GPP chip encapsulating bridge rectifier comprises the following steps: a plurality of GPP chip in to chuck, the direction sucker comprises a suction cup body, the suction body equipped with a plurality of rows of suckers hole of the suction hole for sucking holes and small sucker holes spaced large the sucker hole and the GPP chip with N poles, small sucker holes and the GPP chip with P poles, shaking to chuck, chuck GPP chip into the hole, through hole vacuum pressure to suction to the GPP chip to adsorbed on the suction cup; remove the crack, acid corrosion, high pure water cleaning insulation silicone curing steps is to shorten the production cycle of each batch of 12 hours. The GPP chip assembly welding process of the mesa process adopts the pin head structure of the contact position between the alloy wire and the chip, and the structure solves the void connection caused by the welding process, so as to enhance the forward surge capability of the device.

【技术实现步骤摘要】
一种用硅胶包覆GPP芯片灌封桥式整流器的制造方法
：本专利技术涉及一种半导体整流器件的制造方法，特别涉及一种用硅胶包覆GPP芯片灌封桥式整流器的制造方法。
技术介绍
：目前整流器的制造方法步骤为：芯片分极性→裂片→合金线分极性装填→合金线焊接→酸腐蚀铝板转换→酸腐蚀→高纯水清洗→高温烘烤→涂覆Si胶→固化→灌封→后固化→电镀→测试打印→检验→包装的工艺流程。采用这种方法制造的整流器存在以下问题：1、在焊接操作过程中，芯片的极性区分靠人工涂色区分，操作中极性方向极易出现反向不良，操作效率低，且极性反向报废不良比例大于2％。2、合金线焊接后需要经过化学试剂腐蚀，将芯片的P/N界面表层的二氧化硅腐蚀溶解，此过程会产生一定的酸液污水，影响环境防护，且化学试剂对芯片的腐蚀深度及速度受外界影响因素较多，较难控制，对于器件后续高温环境下，工作的信赖性性能存有一定的不稳定因素。3、采用化学试剂将芯片界面腐蚀后，需要用去离子超高导水进行清洗，将表面的杂质去除干净，高温烘烤后涂覆硅胶，对芯片界面进行防护防止界面污染，此时间段对生产环境温度、湿度、去离子水绝缘度、所处环境的洁净程度要求很高，且此工艺流程路本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用硅胶包覆GPP芯片灌封桥式整流器的制造方法，其特征在于：步骤包括:(1)将若干个GPP芯片放入分向吸盘中，所述分向吸盘包括吸盘本体，在吸盘本体上间隔设有若干排吸盘孔，所述吸盘孔为大吸盘孔和小吸盘孔间隔设置，大吸盘孔与GPP芯片的N极相配合，小吸盘孔与GPP芯片的P极相配合，晃动分向吸盘后，GPP芯片落入吸盘孔内，通过向分向吸盘孔施加负压使得GPP芯片吸附在分向吸盘上；(2)在焊接治具上间隔布设若干导线，每个导线的位置与吸附在分向吸盘上的在斜45°上相邻的两GPP芯片位置相对；(3)将步骤(1)吸有GPP芯片的分向吸盘覆盖在焊接治具上，除去施加在分向吸盘上的负压，分向吸盘上的GPP芯片掉落...

【技术特征摘要】
1.一种用硅胶包覆GPP芯片灌封桥式整流器的制造方法，其特征在于：步骤包括:(1)将若干个GPP芯片放入分向吸盘中，所述分向吸盘包括吸盘本体，在吸盘本体上间隔设有若干排吸盘孔，所述吸盘孔为大吸盘孔和小吸盘孔间隔设置，大吸盘孔与GPP芯片的N极相配合，小吸盘孔与GPP芯片的P极相配合，晃动分向吸盘后，GPP芯片落入吸盘孔内，通过向分向吸盘孔施加负压使得GPP芯片吸附在分向吸盘上；(2)在焊接治具上间隔布设若干导线，每个导线的位置与吸附在分向吸盘上的在斜45°上相邻的两GPP芯片位置相对；(3)将步骤(1)吸有GPP芯片的分向吸盘覆盖在焊接治具上，除去施加在分向吸盘上的负压，分向吸盘上的GPP芯片掉落在焊接治具上，在斜45°上相邻的两GPP芯片压在相应的导线上，在GPP芯片和导线之间设有焊片；(4)在步骤(3)布设好GPP芯片的焊接治具上，沿斜135°间隔布设...

【专利技术属性】
技术研发人员：史振坤，
申请(专利权)人：阳信金鑫电子有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37