The utility model discloses a high purity silicon purification by coagulation device, which comprises a furnace body, a furnace cover, graphite crucible, heating device, gas supply device and a cooling device; the heating device comprises a graphite crucible surrounded by three circles of silicon carbide heating control group, and each ring of silicon carbide group work control module; the three circle of silicon carbide group includes: the area under the central group, silicon carbide silicon carbide and silicon carbide group area group; the furnace cover is arranged on the furnace body for exhaust exhaust port. The separation device for purifying high-purity silicon has the advantages of reasonable structure, and can realize the separation of silicon liquid, and is convenient for purifying high-purity silicon.
【技术实现步骤摘要】
高纯硅提纯用分凝装置
本技术涉及高纯硅提纯用分凝装置。
技术介绍
国内生产工业硅或高纯硅时,需要通过分凝工艺来提纯硅,需要特别设计适于提纯高纯硅的分凝装置。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种高纯硅提纯用分凝装置,其结构合理,能实现硅液的分凝,便于提纯高纯硅。为实现上述目的,本技术的技术方案是设计一种高纯硅提纯用分凝装置,包括:顶部开口的竖置炉体,将炉体顶部开口封闭的平置炉盖,设于炉体内的硅料容纳装置,用于加热硅料容纳装置的加热装置,向硅料容纳装置通入保护气体的供气装置,以及用于冷却硅料容纳装置的冷却装置;所述炉体包括:由陶瓷纤维块砌成的炉壳,以及由耐火砖砌成的炉内壁;所述硅料容纳装置包括:顶部开口的竖置圆筒状石墨坩埚,以及包裹石墨坩埚外壁的耐火材料打结层;所述加热装置包括:包围石墨坩埚的三圈硅碳棒组,以及控制各圈硅碳棒组工作的加热控制模块;各圈硅碳棒组中的硅碳棒竖置,且硅碳棒的顶端都固定于炉盖上;各圈硅碳棒组中的硅碳棒都位于石墨坩埚与炉内壁之间,且各圈硅碳棒组中的硅碳棒都以石墨坩埚周向均布;所述三圈硅碳棒组包括由内至外依次包围石墨坩埚的:下区硅碳棒组、中区硅碳棒组和上区硅碳棒组;所述下区硅碳棒组中各硅碳棒的长度大于中区硅碳棒组中各硅碳棒的长度;所述中区硅碳棒组中各硅碳棒的长度大于上区硅碳棒组中各硅碳棒的长度;所述石墨坩埚底部设有保护气体输入口,该保护气体输入口由透气砖封闭;所述供气装置包括:贯穿耐火材料打结层后与透气砖连接的输气管,向输气管提供保护气体的混气包,以及设于输气管上的过滤器、减压稳压阀、流量调节阀、流量变送器和常开控制阀;所述炉盖上还设有用于排出 ...
【技术保护点】
高纯硅提纯用分凝装置,其特征在于,包括:顶部开口的竖置炉体,将炉体顶部开口封闭的平置炉盖,设于炉体内的硅料容纳装置,用于加热硅料容纳装置的加热装置,向硅料容纳装置通入保护气体的供气装置,以及用于冷却硅料容纳装置的冷却装置;所述炉体包括:由陶瓷纤维块砌成的炉壳,以及由耐火砖砌成的炉内壁;所述硅料容纳装置包括:顶部开口的竖置圆筒状石墨坩埚,以及包裹石墨坩埚外壁的耐火材料打结层;所述加热装置包括:包围石墨坩埚的三圈硅碳棒组,以及控制各圈硅碳棒组工作的加热控制模块;各圈硅碳棒组中的硅碳棒竖置,且硅碳棒的顶端都固定于炉盖上;各圈硅碳棒组中的硅碳棒都位于石墨坩埚与炉内壁之间,且各圈硅碳棒组中的硅碳棒都以石墨坩埚周向均布;所述三圈硅碳棒组包括由内至外依次包围石墨坩埚的:下区硅碳棒组、中区硅碳棒组和上区硅碳棒组;所述下区硅碳棒组中各硅碳棒的长度大于中区硅碳棒组中各硅碳棒的长度;所述中区硅碳棒组中各硅碳棒的长度大于上区硅碳棒组中各硅碳棒的长度;所述石墨坩埚底部设有保护气体输入口,该保护气体输入口由透气砖封闭;所述供气装置包括:贯穿耐火材料打结层后与透气砖连接的输气管,向输气管提供保护气体的混气包,以及设 ...
【技术特征摘要】
1.高纯硅提纯用分凝装置,其特征在于,包括:顶部开口的竖置炉体,将炉体顶部开口封闭的平置炉盖,设于炉体内的硅料容纳装置,用于加热硅料容纳装置的加热装置,向硅料容纳装置通入保护气体的供气装置,以及用于冷却硅料容纳装置的冷却装置;所述炉体包括:由陶瓷纤维块砌成的炉壳,以及由耐火砖砌成的炉内壁;所述硅料容纳装置包括:顶部开口的竖置圆筒状石墨坩埚,以及包裹石墨坩埚外壁的耐火材料打结层;所述加热装置包括:包围石墨坩埚的三圈硅碳棒组,以及控制各圈硅碳棒组工作的加热控制模块;各圈硅碳棒组中的硅碳棒竖置,且硅碳棒的顶端都固定于炉盖上;各圈硅碳棒组中的硅碳棒都位于石墨坩埚与炉内壁之间,且各圈硅碳棒组中的硅碳棒都以石墨坩埚周向均布;所述三圈硅碳棒组包括由内至外依次包围石墨坩埚的:下区硅碳棒组、中区硅碳棒组和上区硅碳棒组;所述下区硅碳棒组中各硅碳棒的长度大于中区硅碳棒组中各硅碳棒的长度;所述中区硅碳棒组中各硅碳棒的长度大于上区硅碳棒组中各硅碳棒的长度;所述石墨坩埚底部设有保护气体输入口,该保护气体输入口由透...
【专利技术属性】
技术研发人员:韩至成,陈睿,朱兴发,李亚逸,
申请(专利权)人:苏州振吴电炉有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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