硫化镉半导体量子点的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种通过前驱体热解法获得高度单分散的油溶性硫化镉半导体量子点的制备方法。采用新颖的含长碳链双烷基硫膦酸作为金属镉离子的配体形成前驱体，经过简单的热解反应过程以及沉淀，过滤，干燥等后过程处理即可得到硫化镉半导体纳米粉。产物粒径均匀，约在５ｎｍ左右，可以溶解的形式分散于苯、甲苯、石油醚、氯仿等非极性或弱极性溶剂中形成透明的纳米分散体系；该方法所制备硫化镉纳米颗粒粉体的光学性质十分优异。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种通过单分子前驱体热解法获得高度单分散的油溶性硫化镉半导体量子点的制备方法。
技术介绍
II-VI族半导体化合物，因其具有优异的物理特性，被广泛应用在发光与显示装置、激光与红外探测、光敏传感器和光催化等领域，受到材料学家的普遍关注。CdS是II-VI族半导体化合物中研究的较多的材料，是一种直接带隙半导体材料，光电学的性能比较优异。其纳米颗粒的团聚倾向一般比较严重。半导体纳米颗粒的合成方法分为气相生长法和湿化学反应法两大类。就气相生长技术而言，多数是在固体衬底上沉积生成量子点，并且衬底多位另一种半导体。与其截然不同，利用湿化学反应方法制备纳米晶时，通常是将其反应产物分散在某种媒质中，这种媒质可以是液体、玻璃或是塑料，这样得到的量子点体系比较适合于光学应用。一般情况下，湿化学反应法的成本远远低于气相生长法，因此近年来发展很快。湿化学反应法主要包括溶胶法、溶胶凝胶法、微乳液法、水热合成法以前驱体热解法等等，其中以前驱体热解法最为引人注意。前驱体热解法主要分为有机金属前驱体法和单分子前驱体法，由于后一种方法不仅继承了前者的优点，所得量子点分散性好、尺寸均匀，而且大大降低了反本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硫化镉半导体量子点的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤：ａ、前驱体的制备：将（Ｏ，Ｏ’）－双－正烷基二硫代磷酸盐溶于乙醇中，搅拌均匀后过滤；在滤液中加入镉盐溶液，继续搅拌，在１４０～２５０℃下反应直至有浅黄白色沉淀出现，将其 滤出，干燥；ｂ、然后将浅黄白色粉体分散在低极性的有机溶剂中，氮气保护下，加热至１４０～２００℃反应４～６小时；ｃ、反应结束后，冷却并向反应液中加入沉淀剂，有大量黄色沉淀析出，陈化，过滤，洗涤，所得黄色粉末即为单分散的油溶性硫 化镉半导体量子点的粉体样品。

【技术特征摘要】
1、一种硫化镉半导体量子点的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤：a、前驱体的制备：将(O，O’)-双-正烷基二硫代磷酸盐溶于乙醇中，搅拌均匀后过滤；在滤液中加入镉盐溶液，继续搅拌，在140～250℃下反应直至有浅黄白色沉淀出现，将其滤出，干燥；b、然后将浅黄白色粉体分散在低极性的有机溶剂中，氮气保护下，加热至140～200℃反应4～6小时；c、反应结束后，冷却并向反应液中加入沉淀剂，有大量黄色沉淀析出，陈化，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈淼，娄文静，王晓波，
申请(专利权)人：中国科学院兰州化学物理研究所，
类型：发明
国别省市：62[中国|甘肃]