低噪声放大器及射频终端制造技术

一种低噪声放大器及射频终端，所述低噪声放大器包括：低噪声放大单元和输出阻抗调节单元，所述输出阻抗调节单元的第一输入端耦接所述低噪声放大单元的输出端，所述输出阻抗调节单元的第二输入端接收调节电压，所述输出阻抗调节单元的输出端直接或间接地耦接所述低噪声放大器的输出端，所述输出阻抗调节单元适于在所述调节电压的控制下改变所述低噪声放大器的输出阻抗。本专利方案可以调节低噪声放大器的输出阻抗，使得低噪声放大器可以更好地满足对其进行测试的测试设备的匹配要求。

【技术实现步骤摘要】
低噪声放大器及射频终端
本专利技术涉及射频终端设计领域，特别涉及一种低噪声放大器及射频终端。
技术介绍
射频收发机被广泛地运用在车辆监控、遥控、遥测、小型无线网络、无线抄表、门禁系统、小区传呼、工业数据采集系统、无线标签、小型无线数据终端、安全防火系统、无线遥控系统、生物信号采集、水文气象监控、数据通信、数字音频以及数字图像传输等诸多领域中。在以射频收发机为例的射频终端中，低噪声放大器是一般为终端设备中的第一级电路，其功能为在产生尽可能低的噪声的前提下对射频信号进行放大，以降低噪声对其后端的各级电路产生影响。专利文献CN1787364A中公开一种具有低噪声和高增益的低噪声放大器。参照图1所示的低噪声放大器的电路图，所公开的低噪声放大器100包括两级放大器，分别为差分放大电路34、前置放大电路32以及阻抗匹配网络36。其中，所述前置放大电路32可以包括晶体管M1、负载Z1和Z2；所述差分放大电路34可以包括晶体管M2和M3、负载Z4和Z5以及负载电流源Is；所述阻抗匹配网络36可以包括负载Z6；所述低噪声放大器100还可以包括输入耦合阻抗Z3和电容C1。由于低噪声放大器100结构简单，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低噪声放大器，包括：低噪声放大单元；其特征在于，还包括：输出阻抗调节单元，所述输出阻抗调节单元的第一输入端耦接所述低噪声放大单元的输出端，所述输出阻抗调节单元的第二输入端接收调节电压，所述输出阻抗调节单元的输出端直接或间接地耦接所述低噪声放大器的输出端，所述输出阻抗调节单元适于在所述调节电压的控制下改变所述低噪声放大器的输出阻抗。

【技术特征摘要】
1.一种低噪声放大器，包括：低噪声放大单元；其特征在于，还包括：输出阻抗调节单元，所述输出阻抗调节单元的第一输入端耦接所述低噪声放大单元的输出端，所述输出阻抗调节单元的第二输入端接收调节电压，所述输出阻抗调节单元的输出端直接或间接地耦接所述低噪声放大器的输出端，所述输出阻抗调节单元适于在所述调节电压的控制下改变所述低噪声放大器的输出阻抗。2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述输出阻抗调节单元包括：源极跟随器和压控电流源，其中，所述源极跟随器的第一输入端耦接所述输出阻抗调节单元的第一输入端，所述源极跟随器的第二输入端耦接电源，所述源极跟随器的输出端耦接所述输出阻抗调节单元的输出端；所述压控电流源的输出端耦接所述源极跟随器的输出端，所述压控电流源的输入端耦接所述输出阻抗调节单元的第二输入端，所述压控电流源在所述调节电压的控制下在所述输出端提供电流。3.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述源极跟随器包括第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管的栅极耦接所述源极跟随器的第一输入端，所述第一NMOS晶体管的漏极耦接所述源极跟随器的第二输入端，所述第一NMOS晶体管的源极耦接所述源极跟随器的输出端。4.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述压控电流源包括第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管的栅极耦接所述压控电流源的输入端，所述第二NMOS晶体管的漏极耦接所述压控电流源的输出端，所述第二NMOS晶体管的源极接地。5.根据权利要求1至4任一项所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大单元包括：第三NMOS晶体管，所述第三NMOS晶体管的漏极耦接所述低噪声放大单元的输出端；第四NMOS晶体管，所述第四NMOS晶体管的漏极耦接所述第三NMOS晶体管的源极，所述第四NMOS晶体管的栅极直接或间接地耦接所述低噪声放大器的输入端；第一电感，所述第一电感的第一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱红卫，南永龙，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31