电致发光器件及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种电致发光器件及其制作方法。该电致发光器件，包括衬底、图案化的阳极层、像素界定层、发光功能层、阴极层及反射层；阳极层设在衬底上；像素界定层设在衬底及阳极层上，像素界定层对应阳极层的图案区域设有贯穿至阳极层的像素坑，且对应阳极层的空白区域设有阻断坑，阻断坑的深度不小于像素坑的深度，阻断坑的侧表面及上表面设有反射层；发光功能层设在像素坑内且不高于像素坑的深度；阴极层设在发光功能层上。该电致发光器件通过在相邻的发光层功能层之间设置阻断坑，且阻断坑的侧表面及上表面设有反射层，从而可以有效防止发光功能层之间光横向传播发生串扰的现象，有利于提高器件的对比度及发光或显示性能。

Electroluminescent device and its manufacturing method

The invention relates to an electroluminescent device and a method for making the same. The electroluminescent device includes a substrate, an anode layer, a patterned pixel defining layer, luminescent layer and a cathode layer and a reflective layer; the anode layer is arranged on the substrate; the pixel defining layer is arranged on the substrate and anode layer, the pixel defining pixel pit pattern area layer corresponding to the anode layer has penetrated to the anode layer, and the blank area corresponding to the anode layer with blocking blocking pit, pit depth of not less than the pixel depth of the pit, the pit block side surface and the upper surface is provided with a reflecting layer; light-emitting layer in the pixel in the pit and not higher than the pixel depth of the pit; the cathode layer is arranged on the luminous layer function. The electroluminescent device by setting the blocking pit between the emitting layer and function layer adjacent to the blocking pit side surface and the upper surface is provided with a reflecting layer, which can effectively prevent the functional layer between the light emitting light horizontal propagation of crosstalk phenomenon, can improve the contrast of the device and luminous or display performance.

【技术实现步骤摘要】
电致发光器件及其制作方法
本专利技术涉及发光及显示器件领域，尤其是涉及一种电致发光器件及其制作方法。
技术介绍
印刷型电致发光器件在制备过程中，须使用一层用于界定像素的材料，该材料层通常被称为像素界定层(Bank)。像素界定层上有众多的像素坑作为墨水的“容器”，每个像素坑对应于一个像素，如图1所示，衬底11上设有图案化的阳极层12，像素界定层13设在衬底11及阳极层12之上且之间形成多个像素坑，像素坑填充有发光层14，阴极层15覆盖像素界定层13及发光层14。这类器件普遍采用的工艺流程是采用喷墨打印工艺将墨水填入每个像素坑，墨水在像素界定层13所围绕的像素坑内铺展；随后，在一定温度(例如低温)下进行真空干燥，通过严格控制溶剂的挥发速率、溶剂蒸汽压等参数以尽量保证像素内不同区域、不同像素之间获得均匀的干燥；最后，通过烘烤使薄膜彻底干燥。对于每一个像素，发光层14发出的光除了向垂直于衬底11的方向传播，还会横向地向平行于衬底11平面的各个方向传播。此外，透明ITO阳极层12的波导效应也会使一部分光横向传播。这些横向传播的光有可能进入相邻的像素中，造成不同像素之间发光的串扰、对比度下降等问题。像素界定层通常采用高分子材料制备，例如最常见的聚酰亚胺(PI)类材料。由于聚酰亚胺类像素界定材料的透明性，无法阻止一个像素中发出的光或者ITO阳极层12中以波导模式横向传播的光进入到相邻的像素。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种能够有效防止像素之间发光串扰的电致发光器件及其制作方法。一种电致发光器件，包括衬底、图案化的阳极层、像素界定层、发光功能层、阴极层及反射层；所述阳极层设在所述衬底上；所述像素界定层设在所述衬底及所述阳极层上，所述像素界定层对应所述阳极层的图案区域设有贯穿至所述阳极层的像素坑，且对应所述阳极层的空白区域设有阻断坑，所述阻断坑的深度不小于所述像素坑的深度，所述阻断坑的侧表面和上表面设有所述反射层；所述发光功能层设在所述像素坑内且不高于所述像素坑的深度；所述阴极层设在所述发光功能层上。在其中一个实施例中，所述阻断坑的侧表面与所述衬底之间所成的夹角小于90°且大于20°。在其中一个实施例中，所述阻断坑的侧表面与所述衬底之间所成的夹角在20°～60°之间。在其中一个实施例中，所述阻断坑的侧表面与所述衬底之间所成的夹角为45°。在其中一个实施例中，所述阻断坑的深度等于所述像素坑的深度与所述阳极层的厚度之和。在其中一个实施例中，所述反射层覆盖所述像素界定层的所有表面。在其中一个实施例中，所述反射层的材料与所述阴极层的材料相同，且所述反射层与所述阴极层为一体成型的层。在其中一个实施例中，所述发光功能层包括红色发光层、绿色发光层及蓝色发光层中的至少一种颜色的发光层。在其中一个实施例中，所述发光功能层还包括位于所述阳极层与所述发光层之间的空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一层；和/或所述发光功能层还包括位于所述发光层与所述阴极层之间的电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层中的至少一层。一种电致发光器件的制作方法，包括如下步骤：在衬底上形成图案化的阳极层；在具有图案化的阳极层的衬底上形成像素界定母层；在所述像素界定母层的预设区域覆盖光罩，进行曝光、显影处理，以在对应所述阳极层的图案区域形成贯穿至所述阳极层的像素坑，并在对应所述阳极层的空白区域形成深度不小于所述像素坑的深度的阻断坑，得到像素界定层；在所述像素坑的阳极层表面形成发光功能层；在所述发光功能层上形成阴极层，并在所述阻断坑的侧表面及上表面形成一体式的反射层。上述电致发光器件通过在相邻的发光层功能层之间设置阻断坑，阻断坑的深度不小于像素坑的深度，且阻断坑的侧表面及上表面设有反射层，从而可以有效防止发光功能层之间光横向传播发生串扰的现象，有利于提高器件的对比度及发光或显示性能。阻断坑的侧表面与衬底之间所成的夹角小于90°，以避免因为角度过大而导致阴极与反射层之间的连接断开，夹角大于20°，以避免因为角度过小而导致阻断坑需要占用较大的横截面而导致发光像素所占面积减小；优选地，阻断坑的侧表面的倾斜角度的范围在20°与60°之间；更优选地，倾斜角度可以为45°，从而可以将平行于衬底方向传播的光反射，然后使光沿着垂直于衬底的方向射出。进一步，该阻断坑的深度等于所述像素坑的深度与所述阳极层的厚度之和，也即阻断坑贯穿至衬底，从而设置在阻断坑侧表面的反射层也可以阻断阳极层的波导效应导致的横向光，进一步有利于提高器件的对比度及发光或显示性能。附图说明图1为传统的电致发光器件的结构示意图；图2为本专利技术一实施方式的电致发光器件的结构示意图；图3为图2所示电致发光器件的制备流程示意图。具体实施方式为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的较佳实施例。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容的理解更加透彻全面。需要说明的是，当元件被称为“设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。如图2所示，一实施方式的电致发光器件20包括衬底21、阳极层22、像素界定层23、发光功能层24、阴极层25及反射层26。衬底21用于承载其他结构层，及显示装置的其他结构。在本实施方式中，衬底21可以是无源矩阵型(PM)显示衬底或有源矩阵型(AM)显示衬底。其中，有源矩阵型显示衬底包括基板和设在基板另一表面(即与设有阳极层22的表面相对的表面)的薄膜晶体管(TFT)。基板可以是刚性基板或柔性基板。刚性基板可以是陶瓷材质或各类玻璃材质等。柔性基板可以是聚酰亚胺薄膜(PI)及其衍生物、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、磷酸烯醇式丙酮酸(PEP)或二亚苯基醚树脂等。阳极层22位于衬底11上。在本实施方式中，阳极层22是透明的电极层。阳极层22的材料可选自ITO、AZO、TZO、纳米银线薄膜或石墨烯等。进一步，在本实施方式中，该阳极层22是图案化的电极层。图案化的处理过程可以由光刻工艺实现。像素界定层23部分设于衬底21上且部分设于阳极层22上。像素界定层23对应阳极层22的图案区域(即具有阳极导电材料的区域)设有贯穿至阳极层22的像素坑232，且对应阳极层22的空白区域设有阻断坑234。像素坑232用于填入墨水等材料形成发光功能层24。发光功能层24不高于像素坑232的深度。阴极层25设在发光功能层24上。在本实施方式中，发光功能层24包括红色发光层、绿色发光层及蓝色发光层中的至少一种颜色的发光层。优选的，发光功能层24同时具有红色发光层、绿色发光层及蓝色发光层，以用于发出白光，应用于白光照明或显示装置中。发光层的材料可以是有机电致发光材料，如不含金属元素的有机荧光材料，或者含有Ir、Pt等金属元素的磷光材料，也可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电致发光器件，其特征在于，包括衬底、图案化的阳极层、像素界定层、发光功能层、阴极层及反射层；所述阳极层设在所述衬底上；所述像素界定层设在所述衬底及所述阳极层上，所述像素界定层对应所述阳极层的图案区域设有贯穿至所述阳极层的像素坑，且对应所述阳极层的空白区域设有阻断坑，所述阻断坑的深度不小于所述像素坑的深度，所述阻断坑的侧表面和上表面设有所述反射层；所述发光功能层设在所述像素坑内且不高于所述像素坑的深度；所述阴极层设在所述发光功能层上。

【技术特征摘要】
1.一种电致发光器件，其特征在于，包括衬底、图案化的阳极层、像素界定层、发光功能层、阴极层及反射层；所述阳极层设在所述衬底上；所述像素界定层设在所述衬底及所述阳极层上，所述像素界定层对应所述阳极层的图案区域设有贯穿至所述阳极层的像素坑，且对应所述阳极层的空白区域设有阻断坑，所述阻断坑的深度不小于所述像素坑的深度，所述阻断坑的侧表面和上表面设有所述反射层；所述发光功能层设在所述像素坑内且不高于所述像素坑的深度；所述阴极层设在所述发光功能层上。2.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述阻断坑的侧表面与所述衬底之间所成的夹角小于90°且大于20°。3.如权利要求2所述的电致发光器件，其特征在于，所述阻断坑的侧表面与所述衬底之间所成的夹角在20°～60°之间。4.如权利要求3所述的电致发光器件，其特征在于，所述阻断坑的侧表面与所述衬底之间所成的夹角为45°。5.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述阻断坑的深度等于所述像素坑的深度与所述阳极层的厚度之和。6.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述反射层覆盖所述像素界定层的所有表面。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：李哲，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44