System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种发光器件及其制备方法、显示装置制造方法及图纸_技高网

一种发光器件及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

技术编号:40822728 阅读:3 留言:0更新日期:2024-04-01 14:42
本申请涉及一种发光器件,包括层叠设置的底电极、像素单元和顶电极像素单元包括红色子像素单元、绿色子像素单元及蓝色子像素单元;红色子像素单元对应于第一光程,蓝色子像素单元对应于第二光程,第一光程小于第二光程;绿色子像素单元对应于第三光程,第三光程小于第二光程。本申请还涉及一种发光器件的制备方法及显示装置。本申请通过使红色子像素单元对应于第一光程,绿色子像素单元均对应于第三光程,蓝色子像素单元对应于第二光程,且第一光程和第三光程均小于第二光程,以使红色子像素单元和绿色子像素单元对应的微腔效应减弱,三者在大视角下亮度衰减程度差异减小,进而使由红光、绿光、蓝光混合形成的白光在大视角下亮度衰减速度变慢。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示,更在一些实施例中,涉及一种发光器件及其制备方法、显示装置


技术介绍

1、有机发光二极管(organic light-emitting diode,oled)通过载流子的注入和复合释放能量而发光,其发光强度与注入的电流成正比。oled与传统的液晶显示(lcd)装置相比更加轻薄,且具有更宽的视角、更快的响应速度、更丰富的色彩、更好的对比度以及可实现柔性显示等优点,因此得到了人们的广泛关注。

2、对于oled产品,通常将正视角或接近正视角的视角称为小视角,该正视角是指正对屏幕时对应的视角;将侧对屏幕时的视角称为大视角,一般正视角为0°,大视角为40°至70°。而目前的oled产品由于红色子像素单元、绿色子像素单元和蓝色子像素单元所对应的光程相同,导致当观察者侧视oled产品(如屏幕、电视),尤其是以大视角观看时,经常会出现oled产品了亮度低和白光亮度衰减过快的问题,影响体验。


技术实现思路

1、本申请至少一实施例提供一种发光器件及其制备方法、显示装置,用以解决现有技术中发光器件在大视角下亮度低或者白光亮度衰减过快的问题。

2、为了解决上述技术问题,本申请至少一实施例提供一种发光器件,采用了如下技术方案:

3、一种发光器件,包括层叠设置的底电极、像素单元和顶电极,所述像素单元包括红色子像素单元、绿色子像素单元以及蓝色子像素单元;

4、所述红色子像素单元对应于第一光程,所述蓝色子像素单元对应于第二光程,所述第一光程小于所述第二光程;

5、所述绿色子像素单元对应于第三光程,所述第三光程小于所述第二光程。

6、在本申请至少一实施例提供的发光器件中,所述红色子像素单元、所述绿色子像素单元和所述蓝色子像素单元包括像素功能层,所述红色子像素单元中像素功能层的厚度和/或所述绿色子像素单元中像素功能层的厚度小于所述蓝色子像素单元中像素功能层的厚度。

7、在本申请至少一实施例提供的发光器件中,所述红色子像素单元中像素功能层的厚度为110至140纳米;可选地,所述红色子像素单元中像素功能层的厚度为110至135纳米、110至130纳米、110至125纳米、110至120纳米、110至115纳米、115至140纳米、115至135纳米、115至130纳米、115至125纳米、115至120纳米、120至140纳米、120至135纳米、120至130纳米、120至125纳米、125至140纳米、125至135纳米、125至130纳米、130至140纳米、130至135纳米、135至140纳米;和/或,

8、所述绿色子像素单元中像素功能层的厚度为70至100纳米;可选地,所述绿色子像素单元中像素功能层的厚度为70至95纳米、70至90纳米、70至85纳米、70至80纳米、70至75纳米、75至100纳米、75至95纳米、75至90纳米、75至85纳米、75至80纳米、80至100纳米、80至95纳米、80至90纳米、80至85纳米、85至100纳米、85至95纳米、85至90纳米、90至100纳米、95至100纳米;和/或,

9、所述蓝色子像素单元中像素功能层的厚度为180至220纳米;可选地,所述蓝色子像素单元中像素功能层的厚度为180至220纳米、180至215纳米、180至210纳米、180至205纳米、180至200纳米、180至195纳米、180至190纳米、180至185纳米、185至220纳米、185至215纳米、185至210纳米、185至205纳米、185至200纳米、185至195纳米、185至190纳米、190至220纳米、190至215纳米、190至210纳米、190至205纳米、190至200纳米、190至195纳米、195至220纳米、195至215纳米、195至210纳米、195至205纳米、195至200纳米、200至220纳米、200至215纳米、200至210纳米、200至205纳米、205至220纳米、205至215纳米、205至210纳米、210至220纳米、210至215纳米、215至220纳米。

10、在本申请至少一实施例提供的发光器件中,所述像素功能层包括发光层、以及设于所述顶电极和所述发光层之间的第一光程调节层和/或设于所述底电极和所述发光层之间的第二光程调节层;

11、所述红色子像素单元中的所述第一光程调节层的厚度小于所述蓝色子像素单元中的所述第一光程调节层的厚度;和/或,所述绿色子像素单元中的所述第一光程调节层的厚度小于所述蓝色子像素单元中的所述第一光程调节层的厚度;和/或,所述红色子像素单元中的所述第二光程调节层的厚度小于所述蓝色子像素单元中的所述第二光程调节层的厚度;和/或,所述绿色子像素单元中的所述第二光程调节层的厚度小于所述蓝色子像素单元中的所述第二光程调节层的厚度。

12、在本申请至少一实施例提供的发光器件中,所述红色子像素单元中的所述第一光程调节层、所述绿色子像素单元中的所述第一光程调节层和所述蓝色子像素单元中的所述第一光程调节层的形成材料相同;和/或,所述红色子像素单元中的所述第二光程调节层、所述绿色子像素单元中的所述第二光程调节层和所述蓝色子像素单元中的所述第二光程调节层的形成材料相同。

13、在本申请至少一实施例提供的发光器件中,所述发光层为量子点发光层或有机发光层,所述量子点发光层的材料包括单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种;

14、所述单一结构量子点的材料选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种,其中,所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一种,所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete及snpbste中的至少一种,所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalp本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光器件,包括层叠设置的底电极、像素单元和顶电极,其特征在于,所述像素单元包括红色子像素单元、绿色子像素单元以及蓝色子像素单元;

2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述红色子像素单元、所述绿色子像素单元和所述蓝色子像素单元包括像素功能层,所述红色子像素单元中像素功能层的厚度和/或所述绿色子像素单元中像素功能层的厚度小于所述蓝色子像素单元中像素功能层的厚度。

3.根据权利要求2所述的发光器件,其特征在于,所述红色子像素单元中像素功能层的厚度为110至140纳米;和/或,

4.根据权利要求2或3所述的发光器件,其特征在于,所述像素功能层包括发光层、以及设于所述顶电极和所述发光层之间的第一光程调节层和/或设于所述底电极和所述发光层之间的第二光程调节层;

5.根据权利要求4所述的发光器件,其特征在于,所述红色子像素单元中的所述第一光程调节层、所述绿色子像素单元中的所述第一光程调节层和所述蓝色子像素单元中的所述第一光程调节层的形成材料相同;和/或,

6.根据权利要求4所述的发光器件,其特征在于,所述发光层为量子点发光层或有机发光层,所述量子点发光层的材料包括单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种;

7.根据权利要求4所述的发光器件,其特征在于,所述第一光程调节层包括依序叠置于所述底电极和所述发光层之间的空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一种;

8.根据权利要求4所述的发光器件,其特征在于,所述第二光程调节层包括依序叠置于所述发光层和所述顶电极之间的空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一种;

9.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件,其特征在于,所述底电极和/或所述顶电极为所述红色子像素单元、所述绿色子像素单元和所述蓝色子像素单元共用的共用电极或非共用的非共用电极。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件,其特征在于,所述底电极和/或顶电极的材料包括金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种,所述金属包括Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Yb以及Mg中的一种或多种;所述碳材料包括石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种;所述金属氧化物包括掺杂或非掺杂金属氧化物,包括ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的一种或多种,或者包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极,所述复合电极包括AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的一种或多种。

11.一种发光器件的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:

12.一种显示装置,其特征在于,包括封装薄膜、以及如权利要求1至10中任一项所述的发光器件或采用如权利要求11所述的发光器件的制备方法制备得到的发光器件,所述封装薄膜封装所述发光器件。

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【技术特征摘要】

1.一种发光器件,包括层叠设置的底电极、像素单元和顶电极,其特征在于,所述像素单元包括红色子像素单元、绿色子像素单元以及蓝色子像素单元;

2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述红色子像素单元、所述绿色子像素单元和所述蓝色子像素单元包括像素功能层,所述红色子像素单元中像素功能层的厚度和/或所述绿色子像素单元中像素功能层的厚度小于所述蓝色子像素单元中像素功能层的厚度。

3.根据权利要求2所述的发光器件,其特征在于,所述红色子像素单元中像素功能层的厚度为110至140纳米;和/或,

4.根据权利要求2或3所述的发光器件,其特征在于,所述像素功能层包括发光层、以及设于所述顶电极和所述发光层之间的第一光程调节层和/或设于所述底电极和所述发光层之间的第二光程调节层;

5.根据权利要求4所述的发光器件,其特征在于,所述红色子像素单元中的所述第一光程调节层、所述绿色子像素单元中的所述第一光程调节层和所述蓝色子像素单元中的所述第一光程调节层的形成材料相同;和/或,

6.根据权利要求4所述的发光器件,其特征在于,所述发光层为量子点发光层或有机发光层,所述量子点发光层的材料包括单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种;

7.根据权利要求4所述的发光器件,其特征在于,所述第一光程调节层包括依序叠置于所述底电极和所述发光层之间的空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一种;

8.根据权利要求4所述的发光器件,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:贾聪聪董婷
申请(专利权)人:广东聚华印刷显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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