【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，更具体的，涉及一种薄膜封装结构及其制备方法和发光器件。
技术介绍
1、发光器件例如oled、qled等目前被广泛地应用于手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等领域，受到行业的广泛关注。由于发光器件中的发光材料和金属对氧气及水气相当敏感，因此在其制备过程中需经过封装保护处理。薄膜封装(tfe)便是适用于窄边框和柔性oled等显示面板的封装技术，其用于确保水氧不能渗透到产品内部，避免引起显示异常，因此封装效果直接影响着产品质量。
2、然而，对于现有的薄膜封装结构而言，当发光器件在使用一段时间后，现有封装结构中的有机层和无机层之间的粘附力变弱，导致发光器件的封装失效，尤其当发光器件在高温/高湿环境下使用时，封装结构中的有机层和无机层之间的粘附性能衰减加快，有机层和无机层的粘附性能差，影响发光器件的使用寿命。
技术实现思路
1、本申请实施例至少一实施例提供一种薄膜封装结构及其制备方法和发光器件，以用于解决现有技术中有机层和无机层的粘附性能差的问题。
2、为了解决上述技术问题，本申请实施例至少一实施例提供一种薄膜封装结构，采用了如下所述的技术方案：
3、一种薄膜封装结构，包括第一无机层、界面修饰层以及有机层；
4、所述界面修饰层和所述有机层依序叠置于所述第一无机层上；所述界面修饰层的材料为氮氧化硅，且所述界面修饰层中氧元素的质量百分比大于或等于20％。
5、进一步的，所述界面修饰层中氧元素的质量百分比为20％至25％。p>
6、进一步的，所述氮氧化硅的化学式为sioxny，所述sioxny中的x与y满足条件：
7、进一步的，所述sioxny中的x与y满足条件：
8、进一步的，所述第一无机层的厚度为100至1000纳米；
9、和/或，所述界面修饰层的厚度为20至100纳米；
10、和/或，所述有机层的厚度为4至16微米；
11、和/或，所述第一无机层的材料包括氮氧化物和/或氮化物；
12、和/或，所述有机层的材料为有机高分子聚合物。
13、进一步的，所述第一无机层的材料包括氮氧化物和/或氮化物，所述氮氧化物选自氮氧化硅、氮氧化铝和氮氧化钛中的至少一种；和/或，所述氮化物选自氮化硅、氮化铝和氮化钛中的至少一种；
14、和/或，所述有机层的材料为有机高分子聚合物，所述有机高分子材料为环氧树脂、丙烯酸树脂、丙烯醛基树脂、聚酰亚胺树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一种。
15、进一步的，所述界面修饰层靠近所述有机层的一面为粗糙面；
16、所述粗糙面的粗糙度为3至6纳米；和/或，所述粗糙面的折射率为1.59至1.79。
17、进一步的，所述薄膜封装结构还包括界面修复层以及第二无机层，所述界面修复层叠置于所述有机层远离所述界面修饰层的一侧，所述第二无机层叠置于所述界面修饰层远离所述有机层的一侧；
18、所述界面修复层的材料为无机氧化物。
19、进一步的，所述界面修复层的厚度为5至20纳米；
20、和/或，所述第二无机层的厚度为100至1000纳米；
21、和/或，所述界面修复层中的无机氧化物选自氧化铝、氧化镁、氧化硅、氧化锆、氧化锌、氧化钛、氧化钡、氧化镍、氧化锡、氧化钽、氧化镍、氧化钛锂、氧化锌铝、氧化锌锰、氧化锌锡、氧化锌锂、氧化铟锡中的至少一种；
22、和/或，所述第二无机层的材料为氮氧化物和/或氮化物。
23、进一步的，所述第二无机层的材料包括氮氧化物和/或氮化物，所述氮氧化物选自氮氧化硅、氮氧化铝和氮氧化钛中的至少一种；和/或，所述氮化物选自氮化硅、氮化铝和氮化钛中的至少一种。
24、为了解决上述技术问题，本申请实施例至少一实施例提供一种薄膜封装结构的制备方法，采用了如下所述的技术方案：
25、所述制备方法包括下述步骤：
26、形成第一无机层；
27、通入混合气体，于所述第一无机层上沉积形成界面修饰层，其中，所述界面修饰层的材料为氮氧化硅，且所述界面修饰层中氮元素的质量百分比大于或等于20％；
28、于所述界面修饰层上形成有机层。
29、进一步的，所述界面修饰层中氧元素的质量百分比为20％至25％。
30、进一步的，所述氮氧化硅的化学式为sioxny，所述sioxny中的x与y满足条件：
31、进一步的，所述sioxny中的x与y满足条件：
32、进一步的，通入的混合气体中硅烷、一氧化二氮和所述氨气三者的体积流量比例为1:(0.26至0.95):(0.4至0.55)。
33、进一步的，通入惰性气体，于所述界面修饰层上形成粗糙面。
34、进一步的，所述惰性气体通入的体积流量为9000至18000sccm；
35、和/或，所述惰性气体选自氮气、氦气，氖气，氩气，氪气，氙气，氡气，og气体中的至少一种；
36、和/或，所述粗糙面的粗糙度为3至6纳米；
37、和/或，所述粗糙面的折射率为1.59至1.79。
38、进一步的，在所述于所述界面修饰层上形成有机层的步骤之后，还包括：
39、于所述有机层上形成界面修复层；
40、于所述界面修复层上形成第二无机层。
41、进一步的，所述第一无机层的厚度为100至1000纳米；
42、和/或，所述界面修饰层的厚度为20至100纳米；
43、和/或，所述有机层的厚度为4至16微米；
44、和/或，所述界面修复层的厚度为5至20纳米；
45、和/或，所述第二无机层的厚度为100至1000纳米；
46、和/或，所述第一无机层的材料包括氮氧化物和/或氮化物；
47、和/或，所述有机层的材料为有机高分子聚合物；
48、和/或，所述界面修复层的材料为无机氧化物；
49、和/或，所述第二无机层的材料包括氮氧化物和/或氮化物。
50、进一步的，所述第一无机层的材料包括氮氧化物和/或氮化物，所述氮氧化物选自氮氧化硅、氮氧化铝和氮氧化钛中的至少一种；和/或，所述氮化物选自氮化硅、氮化铝和氮化钛中的至少一种；
51、和/或，所述有机层的材料为有机高分子聚合物，所述有机高分子材料为环氧树脂、丙烯酸树脂、丙烯醛基树脂、聚酰亚胺树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一种；
52、和/或，所述界面修复层的材料为无机氧化物，所述无机氧化物选自氧化铝、氧化镁、氧化硅、氧化锆、氧化锌、氧化钛、氧化钡、氧化镍、氧化锡、氧化钽、氧化镍、氧化钛锂、氧化锌铝、氧化锌锰、氧化锌锡、氧化锌锂、氧化铟锡中的至少一种；
53、和/或，所述第二无机层的材料包括氮氧化物和/或氮化物本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种薄膜封装结构，其特征在于，包括第一无机层、界面修饰层以及有机层；
2.根据权利要求1所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述界面修饰层中氧元素的质量百分比为20％至25％。
3.根据权利要求1所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述氮氧化硅的化学式为SiOxNy，所述SiOxNy中的x与y满足条件：
4.根据权利要求3所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述SiOxNy中的x与y满足条件：
5.根据权利要求1至4中任一项所述的薄膜封装结构，其特征在于，
6.根据权利要求1至4中任一项所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述界面修饰层靠近所述有机层的一面为粗糙面；
7.根据权利要求1至4中任一项所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述薄膜封装结构还包括界面修复层以及第二无机层，所述界面修复层叠置于所述有机层远离所述界面修饰层的一侧，所述第二无机层叠置于所述界面修饰层远离所述有机层的一侧；
8.根据权利要求7所述的薄膜封装结构，其特征在于，
9.一种薄膜封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括
10.根据权利要求9所述的薄膜封装结构的制备方法，其特征在于，所述界面修饰层中氧元素的质量百分比为20％至25％。
11.根据权利要求9所述的薄膜封装结构的制备方法，其特征在于，所述氮氧化硅的化学式为SiOxNy，所述SiOxNy中的x与y满足条件：
12.根据权利要求11所述的薄膜封装结构的制备方法，其特征在于，所述SiOxNy中的x与y满足条件：
13.根据权利要求9至12中任一项所述的薄膜封装结构的制备方法，其特征在于，所述通入混合气体，于所述第一无机层上沉积形成界面修饰层的步骤包括：
14.根据权利要求13所述的薄膜封装结构的制备方法，其特征在于，通入的混合气体中硅烷、一氧化二氮和所述氨气三者的体积流量比例为1∶(0.26至0.95)∶(0.4至0.55)。
15.根据权利要求9至12中任一项所述的薄膜封装结构的制备方法，其特征在于，在所述于所述界面修饰层上形成有机层的步骤之前，还包括：
16.根据权利要求15所述的薄膜封装结构的制备方法，其特征在于，
17.根据权利要求9至12中任一项所述的薄膜封装结构的制备方法，其特征在于，在所述于所述界面修饰层上形成有机层的步骤之后，还包括：
18.根据权利要求17所述的薄膜封装结构的制备方法，其特征在于，
19.一种发光器件，其特征在于，包括基板、待封装单元、以及如权利要求1至8中任一项所述的薄膜封装结构或采用如权利要求9至18中任一项所述的薄膜封装结构的制备方法制备的薄膜封装结构；
...【技术特征摘要】
1.一种薄膜封装结构，其特征在于，包括第一无机层、界面修饰层以及有机层；
2.根据权利要求1所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述界面修饰层中氧元素的质量百分比为20％至25％。
3.根据权利要求1所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述氮氧化硅的化学式为sioxny，所述sioxny中的x与y满足条件：
4.根据权利要求3所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述sioxny中的x与y满足条件：
5.根据权利要求1至4中任一项所述的薄膜封装结构，其特征在于，
6.根据权利要求1至4中任一项所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述界面修饰层靠近所述有机层的一面为粗糙面；
7.根据权利要求1至4中任一项所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述薄膜封装结构还包括界面修复层以及第二无机层，所述界面修复层叠置于所述有机层远离所述界面修饰层的一侧，所述第二无机层叠置于所述界面修饰层远离所述有机层的一侧；
8.根据权利要求7所述的薄膜封装结构，其特征在于，
9.一种薄膜封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括下述步骤：
10.根据权利要求9所述的薄膜封装结构的制备方法，其特征在于，所述界面修饰层中氧元素的质量百分比为20％至25％。
11.根据权利要求9所述的薄膜封装结构的制备...
【专利技术属性】
技术研发人员：柳开郎，孙贤文，付东，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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