金属膜镀制方法、薄膜晶体管和阵列基板的制作方法技术

本发明专利技术提供了一种金属膜镀制方法，其包括步骤：提供一基板；在所述基板上镀制形成第一金属膜层；暂停预定时间之后，在所述第一金属膜层上镀制形成第二金属膜层；其中，所述第一金属膜层的镀制材料与所述第二金属膜层的镀制材料相同。本发明专利技术还提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法。本发明专利技术在金属膜沉积的过程中暂停预定时间再继续沉积金属膜，可以防止金属膜因持续成膜而温度升高，从而可以避免金属膜表面被氧化而出现表面花纹，进而提高金属膜的品质。

Method for producing metal film, method for manufacturing thin film transistor and array substrate

The invention provides a metal film coating method, which comprises the following steps: providing a substrate; depositing on the substrate to form a first metal film; suspended after a predetermined time, deposited on the first metal layer is formed on the second metal layer; the first metal film plated material layer and the the second metal film the same plating material. The invention also provides a thin film transistor and the manufacturing method, the array substrate and the manufacturing method thereof. In the process of metal film deposition, the metal film is suspended for a predetermined time, and then the metal film can be prevented from being heated due to the continuous film forming, so as to avoid the surface pattern of the metal film being oxidized and improve the quality of the metal film.

【技术实现步骤摘要】
金属膜镀制方法、薄膜晶体管和阵列基板的制作方法
本专利技术属于薄膜制作
，具体地讲，涉及一种金属膜镀制方法、薄膜晶体管和阵列基板的制作方法。
技术介绍
目前金属膜的制作过程是：在充氩(Ar)气的真空条件下，使氩气进行辉光放电，这时氩原子电离成氩离子(Ar+)，氩离子在电场的作用下，加速轰击以镀制的金属材料制作的阴极靶材，靶材的金属材料会被溅射出来而沉积到玻璃基板之上，从而形成金属膜。金属膜在沉积过程中，溅射出的金属材料是轰击到玻璃基板上然后沉积下来，随着金属膜厚的增加，金属膜温度也随之升高，从而高温的金属膜的表面易被被氧化而出现表面花纹，从而影响金属膜的品质。
技术实现思路
为了解决上述现有技术存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种能够避免金属膜表面出现表面花纹的金属膜镀制方法、薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法。根据本专利技术的一方面，提供了一种金属膜镀制方法，其包括步骤：提供一基板；在所述基板上镀制形成第一金属膜层；暂停预定时间之后，在所述第一金属膜层上镀制形成第二金属膜层；其中，所述第一金属膜层的镀制材料与所述第二金属膜层的镀制材料相同。根据本专利技术的另一方面，还提供了一种薄膜晶体管的制作方法，其包括步骤：提供一基板：在所述基板上形成第一栅极金属层；暂停预定时间之后，在所述第一栅极金属层上制作形成第二栅极金属层；对所述第二栅极金属层和所述第一栅极金属层进行曝光、显影及刻蚀处理，以形成栅极；在所述基板和所述栅极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成与所述栅极相对的有源层；在所述有源层和所述栅极绝缘层上形成彼此间隔的源极和漏极。根据本专利技术的又一方面，又提供了一种由上述的薄膜晶体管的制作方法制作的薄膜晶体管。根据本专利技术的又一方面，又提供了一种阵列基板的制作方法，其包括步骤：提供一基板：在所述基板上形成第一栅极金属层；暂停预定时间之后，在所述第一栅极金属层上制作形成第二栅极金属层；对所述第二栅极金属层和所述第一栅极金属层进行曝光、显影及刻蚀处理，以形成栅极；在所述基板和所述栅极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成与所述栅极相对的有源层；在所述有源层和所述栅极绝缘层上形成彼此间隔的源极和漏极；在所述有源层、所述栅极绝缘层、所述源极和所述漏极上形成钝化层；在所述钝化层中形成暴露所述漏极的过孔；在所述钝化层上形成通过所述过孔与所述漏极接触的像素电极。根据本专利技术的又一方面，又提供了一种由上述的阵列基板的制作方法制作的阵列基板。进一步地，所述“在所述有源层和所述栅极绝缘层上形成彼此间隔的源极和漏极”的方法包括步骤：在所述有源层和所述栅极绝缘层上形成第一源漏极金属层；暂停预定时间之后，在所述第一源漏极金属层上形成第二源漏极金属层；对所述第一源漏极金属层和所述第二源漏极金属层进行曝光、显影及刻蚀处理，以形成所述源极和所述漏极。进一步地，所述预定时间为10秒至20秒。本专利技术的有益效果：本专利技术在金属膜沉积的过程中暂停预定时间再继续沉积金属膜，可以防止金属膜因持续成膜而温度升高，从而可以避免金属膜表面被氧化而出现表面花纹，进而提高金属膜的品质。附图说明通过结合附图进行的以下描述，本专利技术的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：图1是根据本专利技术的实施例的金属膜镀制方法的制程图；图2是根据本专利技术的实施例的薄膜晶体管的制作方法的制程图；图3是根据本专利技术的实施例的阵列基板的制作方法的制程图；图4是根据本专利技术的实施例的源极和漏极的制作方法的制程图。具体实施方式以下，将参照附图来详细描述本专利技术的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本专利技术，并且本专利技术不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本专利技术的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本专利技术的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区域的厚度。相同的标号在整个说明书和附图中表示相同的元器件。图1是根据本专利技术的实施例的金属膜镀制方法的制程图。根据本专利技术的实施例的金属膜镀制方法包括：步骤一：参照图1中的(a)图，提供一基板110。在本实施例中，该基板110可例如是玻璃基板，但本专利技术并不限制于此。步骤二：参照图1中的(b)图，在基板110上制作形成第一金属膜层120。具体地，在充氩气的真空条件下，使氩气进行辉光放电，这时氩原子电离成氩离子(Ar+)，氩离子在电场的作用下，加速轰击以镀制的金属材料制作的阴极靶材，靶材的金属材料会被溅射出来而沉积到基板110之上，从而形成第一金属膜层120。步骤三：参照图1中的(c)图，暂停预定时间之后，在第一金属膜层120上镀制形成第二金属膜层130；其中，第一金属膜层120的镀制材料与第二金属膜层130的镀制材料相同。具体地，在制作完第一金属膜层120的预定时间之后，继续在充氩气的真空条件下，使氩气进行辉光放电，这时氩原子电离成氩离子(Ar+)，氩离子在电场的作用下，加速轰击以镀制的金属材料制作的阴极靶材，靶材的金属材料会被溅射出来而沉积到第一金属膜层120之上，从而形成第二金属膜层130。在本实施例中，优选地，预定时间为10秒至20秒。这是因为如果暂停的时间太长，将会导致基板110及第一金属膜层120的温度下降太多，从而在形成第二金属膜层130时由于温度下降太多而导致第二金属膜层130与第一金属膜层120之间的吸附力下降，进而造成第二金属膜层130易脱落的现象。然而，如果暂停的时间太短，温度下降程度不够，第二金属膜层130的表面依然易被氧化而出现表面花纹，从而影响第二金属膜层130的品质。以上的金属膜的镀制方法可以利用于阵列基板的薄膜晶体管中金属膜层的镀制。以下将对阵列基板和薄膜晶体管的制作方法进行详细描述。应当说明的是，这里是以非晶硅薄膜晶体管为例进行说明，但本专利技术并不限制于此，例如金属氧化物薄膜晶体管或者低温多晶硅薄膜晶体管等均适用。图2是根据本专利技术的实施例的薄膜晶体管的制作方法的制程图。根据本专利技术的实施例的薄膜晶体管的制作方法包括：步骤一：参照图2中的(a)图，提供一基板210。在本实施例中，该基板210可例如是玻璃基板，但本专利技术并不限制于此。步骤二：参照图2中的(b)图，在基板210上形成第一栅极金属层220a。步骤三：参照图2中的(c)图，暂停预定时间之后，在第一栅极金属层220a上制作形成第二栅极金属层220b。进一步地，预定时间可以为10秒至20秒。步骤四：参照图2中的(d)图，对第二栅极金属层220b和第一栅极金属层220a进行曝光、显影及刻蚀处理，以形成栅极220。步骤五：参照图2中的(e)图，在基板210和栅极220上形成栅极绝缘层230。栅极绝缘层230可例如是氮化硅层和/或氧化硅层，但本专利技术并不限制于此。步骤六：参照图2中的(f)图，在栅极绝缘层230上形成与栅极220相对的有源层240。在本实施例中，有源层240可例如是非晶硅(α-Si)层，但本专利技术并不限制于此。步骤七：参照图2中的(g)图，在有源层240和栅极绝缘层230上形成彼此间隔的源极251和漏极252。图3是根据本专利技术的实施例的阵列基板的制作方法的制程图。根据本专利技术的实施例的阵列基板的制作方法包括：步骤一：参照图3中的(a)图，提供一基板210。在本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属膜镀制方法，其特征在于，包括步骤：提供一基板；在所述基板上镀制形成第一金属膜层；暂停预定时间之后，在所述第一金属膜层上镀制形成第二金属膜层；其中，所述第一金属膜层的镀制材料与所述第二金属膜层的镀制材料相同。

【技术特征摘要】
1.一种金属膜镀制方法，其特征在于，包括步骤：提供一基板；在所述基板上镀制形成第一金属膜层；暂停预定时间之后，在所述第一金属膜层上镀制形成第二金属膜层；其中，所述第一金属膜层的镀制材料与所述第二金属膜层的镀制材料相同。2.根据权利要求1所述的金属膜镀制方法，其特征在于，所述预定时间为10秒至20秒。3.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供一基板：在所述基板上形成第一栅极金属层；暂停预定时间之后，在所述第一栅极金属层上制作形成第二栅极金属层；对所述第二栅极金属层和所述第一栅极金属层进行曝光、显影及刻蚀处理，以形成栅极；在所述基板和所述栅极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成与所述栅极相对的有源层；在所述有源层和所述栅极绝缘层上形成彼此间隔的源极和漏极。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述“在所述有源层和所述栅极绝缘层上形成彼此间隔的源极和漏极”的方法包括步骤：在所述有源层和所述栅极绝缘层上形成第一源漏极金属层；暂停预定时间之后，在所述第一源漏极金属层上形成第二源漏极金属层；对所述第一源漏极金属层和所述第二源漏极金属层进行曝光、显影及刻蚀处理，以形成所述源极和所述漏极。5.根据权利要求3或4所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述预定时间为10秒至20秒...

【专利技术属性】
技术研发人员：高东子，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44