LTPS阵列基板及液晶显示面板制造技术

本发明专利技术提供一种LTPS阵列基板，包括玻璃基板、制备于玻璃基板表面的缓冲层、制备于缓冲层表面的栅绝缘层、制备于栅绝缘层表面的间绝缘层，间绝缘层表面形成有源极金属、漏极金属与连接源极金属的数据线，间绝缘层表面还制备有漏极金属绝缘层，用于防止公共电极层位置偏移而与漏极金属接触导致短路。

LTPS array substrate and liquid crystal display panel

The invention provides a LTPS array substrate comprises a glass substrate, prepared on the surface of glass substrate, buffer layer preparation in the buffer layer on the surface of the gate insulating layer on the gate insulating layer, the preparation of the surface of the insulation layer, the insulating layer between the source electrode is formed on the surface of metal, and connecting the source drain metal metal the data line between the surface of the insulation layer is prepared with the drain metal insulating layer, to prevent the common electrode layer offset with the drain electrode metal contact lead to short-circuit.

【技术实现步骤摘要】
LTPS阵列基板及液晶显示面板
本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种LTPS阵列基板及具有所述LTPS阵列基板的液晶显示面板。
技术介绍
低温多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，简称为LTPS)薄膜晶体管液晶显示器有别于传统的非晶硅薄膜晶体管液晶显示器，其电子迁移率可以达到200cm2/V-sec以上，可有效减小薄膜晶体管器件的面积，从而达到提高开口率，并且在增进显示器亮度的同时还可以降低整体的功耗。另外，较高的电子迁移率可以将部分驱动电路集成在玻璃基板上，减少了驱动IC(integratedcircuit，集成电路)，还可以大幅提升液晶显示面板的可靠度，从而使得面板的制造成本大幅降低；因此，LTPS薄膜晶体管液晶显示器逐步成为研究的热点。LTPS阵列基板的制造中，在间绝缘层表面制备源极金属、漏极金属以及数据线之后，生长一平坦化层，平坦化层表面形成有用于露出漏极金属的第一通孔，平坦化层表面制备有公共电极层，公共电极层对应于第一通孔的位置形成有第二通孔，公共电极层表面制备有钝化层，钝化层表面制备有像素电极，像素电极通过第三通孔连接漏极金属；当第二通孔与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LTPS阵列基板，其特征在于，包括：玻璃基板；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极金属、栅绝缘层、LTPS器件、源极金属和漏极金属，所述源极金属和所述漏极金属均与所述LTPS器件连接；间绝缘层，制备于所述栅绝缘层表面；平坦化层，制备于所述间绝缘层表面，所述平坦化层形成有第一通孔，所述第一通孔位于所述漏极金属表面；漏极绝缘层，制备于所述平坦化层表面，且覆盖所述第一通孔侧壁与所述漏极金属表面；公共电极层，制备于所述漏极绝缘层表面；其中，所述漏极绝缘层用于防止所述公共电极层因位置偏移而与所述漏极金属接触。

【技术特征摘要】
1.一种LTPS阵列基板，其特征在于，包括：玻璃基板；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极金属、栅绝缘层、LTPS器件、源极金属和漏极金属，所述源极金属和所述漏极金属均与所述LTPS器件连接；间绝缘层，制备于所述栅绝缘层表面；平坦化层，制备于所述间绝缘层表面，所述平坦化层形成有第一通孔，所述第一通孔位于所述漏极金属表面；漏极绝缘层，制备于所述平坦化层表面，且覆盖所述第一通孔侧壁与所述漏极金属表面；公共电极层，制备于所述漏极绝缘层表面；其中，所述漏极绝缘层用于防止所述公共电极层因位置偏移而与所述漏极金属接触。2.根据权利要求1所述的LTPS阵列基板，其特征在于，所述漏极绝缘层采用氧化硅、氮化硅与氮氧化硅的任意一种材料制成。3.根据权利要求1所述的LTPS阵列基板，其特征在于，所述公共电极层表面形成有第二通孔，所述第二通孔的位置与所述第一通孔的位置对应。4.根据权利要求1所述的LTPS阵列基板，其特征在于，所述LTPS阵列基板还包括：钝化层，制备于所述公共电极层表面；像素电极，制备于所述钝化层表面。5.根据权利要求4所述的LTPS阵列基板，其特征在于，所述钝化层形成有第三通孔，所述第三通孔贯穿所述钝化层，所述第三通孔的位置与所述第一通孔的位置对应；所述像素电极通过所述第三通孔与所述漏极金属连接。6.根据权利要求1至5任意一项权利要求所述的LTPS阵列基板，其特征在于，所述漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐勇，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42