一种氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法技术

一种氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法，本发明专利技术涉及氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法。本发明专利技术要解决现有VO2薄膜红外透过率低和耐候性差的问题。方法：一、清洗；二、镀膜前准备工作；三、镀制VO2薄膜；四、退火；五、镀制SiO2薄膜；六、关机，即完成氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法。本发明专利技术用于氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法。

Preparation method of silicon oxide Infrared Antireflective vanadium oxide thin film

The present invention relates to the preparation method of silicon oxide infrared enhanced vanadium oxide thin film. The present invention solves the problems of low infrared transmittance and poor weather resistance of the existing VO2 film. Methods: first, cleaning; two, preparation before coating; three, deposition of VO2 film; four, annealing; five, deposition of SiO2 film; six, shutdown, that is to complete the preparation of silicon oxide infrared enhanced vanadium oxide thin film. The present invention is used for the preparation of silicon oxide Infrared Antireflective vanadium oxide thin film.

【技术实现步骤摘要】
一种氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法
本专利技术涉及氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法。
技术介绍
随着现代社会的高速发展，资源被大量的利用，很多不可再生能源会在几十年内消耗殆尽，于是能源短缺问题越来越突出，节能环保受到了各国政府的重视，怎样利用好能源是各国面对的严重问题。为了解决能源短缺问题，近年来广大科研做的大量的研究，开发节能环保的材料。而VO2薄膜就是他们中的一部分人研究的重点，将VO2薄膜应用到汽车、飞机、建筑物上，可以自动调节阳光的透过率，被我们称为“智能窗”。智能窗可根据周围环境温度调节进入建筑物里的太阳辐射强度，从而调控室内温度。我们知道冬夏两季室内的温度明显不同，智能窗可以主动调节红外光辐射强度，在夏季通过降低红外辐射来降低室内温度，在冬季将红外光透过，使室内的温度升高。二氧化钒薄膜材料在低温下晶系结构发生变化，这一转变引起了光谱系数变化，特别是近红外区的光谱发生显著变化，从而颜色发生变化，且这种变化是可逆的，是一种很好的智能窗材料。在低温时对近红外及中红外的透过率高，反射率低，从而可以透过太阳光中的大部分红外光线，使得屋子里面的温度升高，而当温度一直升高到VO2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于一种氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法是按以下步骤完成的：一、清洗：在超声功率为300W～600W的条件下，将V靶和Si靶分别依次置于丙酮中清洗15min～30min、乙醇中清洗15min～30min和去离子水中清洗15min～30min，得到清洗后的V靶和清洗后的Si靶；在超声功率为300W～600W的条件下，将蓝宝石衬底依次置于丙酮中清洗15min～30min、乙醇中清洗15min～30min和去离子水中清洗15min～30min，得到清洗后的蓝宝石衬底；二、镀膜前准备工作：首先将清洗后的V靶和清洗后的Si靶安装至磁控溅射靶上，再将清洗后的...

【技术特征摘要】
1.一种氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于一种氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法是按以下步骤完成的：一、清洗：在超声功率为300W～600W的条件下，将V靶和Si靶分别依次置于丙酮中清洗15min～30min、乙醇中清洗15min～30min和去离子水中清洗15min～30min，得到清洗后的V靶和清洗后的Si靶；在超声功率为300W～600W的条件下，将蓝宝石衬底依次置于丙酮中清洗15min～30min、乙醇中清洗15min～30min和去离子水中清洗15min～30min，得到清洗后的蓝宝石衬底；二、镀膜前准备工作：首先将清洗后的V靶和清洗后的Si靶安装至磁控溅射靶上，再将清洗后的蓝宝石衬底置于高真空磁控溅射镀膜系统内的加热台上的中心位置，然后启动高真空磁控溅射镀膜系统真空抽气系统，使高真空磁控溅射镀膜系统舱体内真空度达到4.5×10-4Pa～8.0×10-4Pa；三、镀制VO2薄膜：首先向真空舱中通入氩气，通过控制氩气气体流量为50sccm～150sccm，调节真空舱压强为4.5Pa～6.5Pa，然后在压强为4.5Pa～6.5Pa及清洗功率为100W的条件下，利用电离电源对V靶和蓝宝石衬底同时进行启辉清洗，清洗时间为10min，清洗结束后，利用射频电源将V靶启辉，在压强为4.5Pa～6.5Pa及功率为60W～200W的条件下，预溅射5min～10min，预溅射结束后，通入氧气，通过控制氧气气体流量为2sccm～10sccm，将真空舱内气体压强降至0.8Pa～1.2Pa，保持V靶溅射功率为60W～200W，在压强为0.8Pa～1.2Pa及功率为60W～200W的条件下，向蓝宝石衬底表面镀膜，镀膜时间为1h～2h，得到表面镀有VO2薄膜的蓝宝石衬底；四、退火：将真空舱抽真空至真空度为1.0×10-4Pa～8.0×10-4Pa，然后启动加热装置，加热表面镀有VO2薄膜的蓝宝石衬底温度至400℃，退火1h～2h，设备自然冷却，得到带有VO2薄膜的蓝宝石衬底；五、镀制SiO2薄膜：将真空舱中通入氩气，通过控制氩气的气体流量为20sccm～80sccm，调节真空舱压强为4.5Pa～6.5Pa，然后在压强为4.5Pa～6.5Pa及清洗功率为100W的条件下，利用电离电源对Si靶进行启辉清洗，清洗时间为10min，清洗结束后，利用射频电源将Si靶启辉，在压强为4.5Pa～6.5Pa及功率为50W～150W的条件下，预溅射5min～10min，预溅射结束后，通入氧气，通过控制氧气气体流量为5sccm～5...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭帅，朱嘉琦，代兵，杨磊，杨秋玲，杨振怀，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江,23