芯片封装器件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种芯片封装器件，包括：基板，形成于所述基板上的多个间隔排列的第二粘接层；多个芯片，分别位于所述第二粘结层上，所述芯片与所述第二粘结层一一对应；位于所述基板上且包围所述芯片四周的塑封层；位于所述塑封层以及所述芯片上的绝缘层；位于所述绝缘层内的开孔，所述开孔延伸至所述芯片；在所述开孔内形成的金属导体层以及芯片之间的互连电路；采用本实用新型专利技术所述的芯片封装器件，能够减小芯片之间的距离，最终减小终端产品的面积，有利于实现终端产品的小型化。

Chip packaging device

The utility model provides a chip packaging device includes a substrate, a plurality of spaced arrangement of the second adhesive layer is formed on the substrate; a plurality of chips, are located in the second layer, the chip and the second adhesive layer corresponding to plastic seal; located in the base plate and surrounded by the chip around; the insulation layer is arranged on the plastic seal as well as on the chip; in the insulating layer in the hole, the hole extends to the chip; in the open circuit interconnection between the metal conductor layer formed in the hole and chip; the chip package device the utility model, can reduce the distance between the chip, finally reducing terminal product area, is conducive to the realization of miniaturization in end products.

【技术实现步骤摘要】
芯片封装器件
本技术涉及芯片封装的
，特别涉及一种芯片封装器件。
技术介绍
绝缘栅双极晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼具MOS的高输入阻抗和GTR(巨型晶体管)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大，MOS驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于直流电压为600v及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。图1为现有技术中IGBT模块的封装结构示意图，如图1所示，所述封装结构包括：铝碳化硅散热板1，依次位于所述铝碳化硅散热板1之上的第一焊料层2、第一铜层3、陶瓷层4以及第二铜层5，位于所述第二铜层5上彼此隔开的第二焊料层6与第三铜层7，以及位于所述第二焊料层6上的彼此隔开的二极管芯片8与IGBT9。所述二极管芯片8、IGBT9以及第三铜层7通过导线10相连接。所述导线10一般为金线、铝线或铜线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片封装器件，其特征在于，包括：基板，形成于所述基板上的多个间隔排列的第二粘接层；多个芯片，分别位于所述第二粘结层上，所述芯片与所述第二粘结层一一对应；位于所述基板上且包围所述芯片四周的塑封层；位于所述塑封层以及所述芯片上的绝缘层；位于所述绝缘层内的开孔，所述开孔延伸至所述芯片；在所述开孔内形成的金属导体层以及芯片之间的互连电路。

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装器件，其特征在于，包括：基板，形成于所述基板上的多个间隔排列的第二粘接层；多个芯片，分别位于所述第二粘结层上，所述芯片与所述第二粘结层一一对应；位于所述基板上且包围所述芯片四周的塑封层；位于所述塑封层以及所述芯片上的绝缘层；位于所述绝缘层内的开孔，所述开孔延伸至所述芯片；在所述开孔内形成的金属导体层以及芯片之间的互连电路。2.如权利要求1所述的芯片封装器件，其特征在于，相邻所述芯片之...

【专利技术属性】
技术研发人员：于德泽，张万宁，
申请(专利权)人：新加坡有限公司，
类型：新型
国别省市：新加坡,SG