用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座制造技术

本实用新型专利技术涉及一种用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座，石墨坩埚座内设有坩埚安装面，其特征在于：石墨坩埚座由四瓣结构相同的基本单元组装拼接后形成周边闭合的桶形结构，相邻基本单元的结合部为安装贴合面，拼装后的桶形结构的桶底的內壁坩埚安装面，桶底的外壁为承重面，桶底承重面的外缘设有环形定位堰，环形定位堰的内壁上设有止动槽，环形定位堰到桶壁之间通过倒锥形的辅助支撑面过渡连接，桶壁的外壁面周边设有起吊口。

Graphite crucible holder for semiconductor grade silicon single crystal furnace

The utility model relates to a graphite crucible holder for semiconductor grade silicon single crystal furnace, graphite crucible crucible seat is provided with a mounting surface, which is characterized in that the graphite crucible is composed of four seat valve structure the same basic unit assembled after the barrel shaped structure is formed around the closure, combined with the adjacent basic unit for the installation of the fitting surface. The inner wall of the crucible bucket structure assembly after the end of the barrel of the mounting surface, the outer wall of a bucket bottom bearing surface for bearing, the outer margin of the bottom of the barrel is provided with an annular positioning weir weir is arranged on the inner wall of the annular positioning stop groove, between the annular weir to the barrel wall positioning aided by inverted cone supporting surface connecting the outer wall surrounding the barrel wall is provided with a lifting mouth.

【技术实现步骤摘要】
用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座
本技术涉及一种坩埚座，尤其是一种用于直拉法半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座。
技术介绍
单晶硅是具有基本完整的点阵结构的晶体，是一种良好的半导体材料，纯度可达到99.9999999%以上，可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造，其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域，在军事电子设备中也占有重要地位，处于新材料发展的前沿。半导体级硅单晶炉是单晶硅产业链中重要的晶体生长设备，目前，世界上用于硅单晶体生长的主流方法主要有两种：一种是区熔法，另一种是直拉法，其中直拉法具有生长单晶质量大、直径大、成本低廉、生产效率高等优点，一直是半导体硅衬底制备的主要手段。直拉法要求坩埚同时具备旋转与升降功能，同时由于坩埚处于热场中心，受高温辐射易变形，因此承载坩埚的石墨坩埚座的稳定性、可靠性及耐热性极为重要。目前，硅单晶炉内的坩埚座多采用三瓣式结构，因结构设计不合理，受热后应力集中，材料力学强度较低，经常出现受热变形及开裂的现象，故障率极高，严重影响设备的稳定性与生产效率。如何提高石墨坩埚座的稳定性、可靠性及耐热性已经成为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座，石墨坩埚座内设有坩埚安装面，其特征在于：石墨坩埚座由四瓣结构相同的基本单元组装拼接后形成周边闭合的桶形结构，相邻基本单元的结合部为安装贴合面，拼装后的桶形结构的桶底的內壁坩埚安装面，桶底的外壁为承重面，桶底承重面的外缘设有环形定位堰，环形定位堰的内壁上设有止动槽，环形定位堰到桶壁之间通过倒锥形的辅助支撑面过渡连接，桶壁的外壁面周边设有起吊口。

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座，石墨坩埚座内设有坩埚安装面，其特征在于：石墨坩埚座由四瓣结构相同的基本单元组装拼接后形成周边闭合的桶形结构，相邻基本单元的结合部为安装贴合面，拼装后的桶形结构的桶底的內壁坩埚安装面，桶底的外壁为承重面，桶底承重面的外缘设有环形定位堰，环形定位堰的内壁上设有止动槽，环形定位堰到桶壁之间通过倒锥形的辅助支撑面过渡连接，桶壁的外壁面周边设有起吊口。2.根据权利要求1所述的用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘清跃，姜宏伟，
申请(专利权)人：南京晶能半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32