半导体级硅单晶炉底部加热器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种用于半导体级硅单晶炉的底部加热器，它由发热体、支撑柱、连接螺栓、支撑柱绝热子、垫片组成，其特征在于：发热体采用对称式环形板状结构，其内外环均匀设置多道沟槽、圆孔；支撑柱装配于发热体两端设有的安装定位孔位处，并通过连接螺栓分别与发热体紧固连接；发热体与支撑柱之间、支撑柱底部分别设有垫片；支撑柱绝热子装配于支撑柱内孔中，通过与内部收紧止口咬合固定。其优点在于：增大发热面积，提高温度场的均匀与稳定性；增加加热器的柔性，有助于抵抗高热负荷条件下的变形，延长其使用寿命；采用高纯度石墨、固化碳毡等材料，减少炉内污染，晶体纯度得以显著提高。

Bottom heater of semiconductor grade silicon single crystal furnace

The utility model provides a bottom heater for semiconductor grade silicon single crystal furnace, which is composed of a heating body, a support column, a connecting bolt, support column, insulation pad, characterized in that the heating body adopts annular plate type symmetrical structure, the outer ring is provided with a plurality of grooves, uniform hole; the positioning hole assembly installation the heating body is provided with a support column are located, and the connecting bolt respectively and tightly connected between the heating body; the heating element and the support column and column bottom are respectively provided with the support column insulation gasket; sub assembly to the support column in the inner hole, through internal and tighten the rabbet locking. The utility model has the advantages of increasing the heating area and improve the temperature uniformity and stability; increase the flexibility of the heater, deformation helps resist heat load condition, prolong the service life; using high purity graphite, carbon fiber and other materials curing furnace, reduce pollution, crystal purity can be improved significantly.

【技术实现步骤摘要】
半导体级硅单晶炉底部加热器
本技术涉及一种加热器，尤其是一种用于硅单晶炉的能够满足半导体级硅单晶生长所需梯度温度场条件的一种半导体级硅单晶炉底部的石墨加热器。
技术介绍
单晶硅是具有基本完整的点阵结构的晶体，是一种良好的半导体材料，纯度可达到99.9999999%以上，可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造，其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域，在军事电子设备中也占有重要地位，处于新材料发展的前沿。半导体级硅单晶炉是单晶硅产业链中重要的晶体生长设备，由于半导体级硅单晶体是在高温的条件下缓慢生长而成的，需要良好的温度梯度控制以形成冷心，同时需要均匀稳定的温度场以实现单晶体的稳定生长，因此底部加热器的温度梯度可控基础至关重要。目前，硅单晶炉的底部加热器多采用菱形结构，设计简单，无法形成均匀稳定的温度场，同时材质力学性能及纯度较低，严重影响硅单晶的生产质量与效率。因此，传统的硅单晶炉底部加热器只适用于太阳能级硅单晶的生长，且晶体常因热场紊乱、污染等问题产生大量杂质，晶体纯度及成品率较低，严重影响高纯度硅单晶的生产效率。如何提高单晶硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体级硅单晶炉底部加热器，包括发热体、支撑柱、连接螺栓、支撑柱绝热子、垫片组成，其特征在于：发热体为环形板状结构，环形板状的内环和外缘包络线为凸起的加强筋，发热体的两个支撑点对称设在环形板状结构的直径上的安装孔，将环形板状结构分割成对称的半环，两个半环中均设有与半径重叠的应力缓冲槽，应力缓冲槽包括由内环指向外缘的应力缓冲槽和由外缘指向内环的应力缓冲槽，它们均匀分布且相间设置，其中由内环指向外缘的应力缓冲槽末端设有应力圆孔：与支撑点对应的支撑柱为空心圆柱结构，两端分别设有内螺纹，一端通过螺栓和垫片与发热体的安装孔连接，另一端通过螺栓和垫片与电极对接；支撑柱内孔中部设有收紧止口，支撑柱绝热子...

【技术特征摘要】
1.一种半导体级硅单晶炉底部加热器，包括发热体、支撑柱、连接螺栓、支撑柱绝热子、垫片组成，其特征在于：发热体为环形板状结构，环形板状的内环和外缘包络线为凸起的加强筋，发热体的两个支撑点对称设在环形板状结构的直径上的安装孔，将环形板状结构分割成对称的半环，两个半环中均设有与半径重叠的应力缓冲槽，应力缓冲槽包括由内环指向外缘的应力缓冲槽和由外缘指向内环的应力缓冲槽，它们均匀分布且相间设置，其中由内环指向外缘的应力缓冲槽末端设有应力圆孔：与支撑点对应的支撑柱为空心圆柱结构，两端分别设有内螺纹，一端通过螺栓和垫片与发热体的安装孔连接，另一端通过螺栓和垫片与电极对接；支撑柱内孔中部设有收紧止口，支撑柱绝热子分别装配于支撑柱内孔中且位于两端内螺纹之间，支撑柱绝热子由内部收紧止口咬合固定。2.根据权利要求1所述的半导体级硅单晶炉底部加热器，其特征在于：设在应力缓冲槽末端的应力圆孔与外环边缘之间设有均匀分...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘清跃，姜宏伟，
申请(专利权)人：南京晶能半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32