【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于半导体晶片加工的压敏粘合片。具体说，本专利技术涉及适用于半导体晶片真空加工的压敏粘合片。
技术介绍
通常通过研磨表面上形成有电路的半导体晶片的背面，以除去背面上的氧化层或降低半导体晶片的厚度使其均匀。具体说，近几年，通常将半导体晶片研磨至100μm或实际所需的更薄厚度，以减少晶片的厚度。在研磨半导体晶片的背面时，将压敏粘合片粘附在半导体晶片的电路表面，以保护该电路或固定半导体晶片。上述半导体晶片厚度的减少会破坏晶片的抗折叠强度，因为用磨石进行机械研磨在半导体晶片表面产生了研磨痕迹。因此建议用干蚀刻除去半导体晶片表面上的研磨痕迹。通常在10-3到10-4托(torr)真空进行干蚀刻。但在此真空度下，当用常规紫外光可固化的压敏粘合片固定半导体晶片时，紫外光可固化的压敏粘合片的紫外光可固化的压敏粘合剂就会产生挥发性成分，结果从紫外光可聚合压敏粘合剂层所含的挥发性成分产生的气体陷入厚度被减少的半导体晶片和紫外光可固化的压敏粘合片之间，从而会因为半导体晶片与压敏粘合片粘附之内和之外的压力不同而导致半导体晶片的变形。半导体晶片的变形偶尔会使压敏粘合剂保持与...
【技术保护点】
一种用于在半导体晶片真空加工中固定半导体晶片的压敏粘合片，其特征在于，所述的压敏粘合片包括：基片和叠加在基片一侧或两侧的紫外光可固化的压敏粘合剂组合物层，该组合物层包含具有作为侧链的紫外光可聚合基团的紫外光可固化的共聚物和磷光聚合引发剂 。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：永元公市，江部和义，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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