电子元件用的可热剥离的压敏粘合剂片材、加工电子元件的方法和电子元件技术

公开了一种电子元件用的可热剥离的压敏粘合剂片材，其在热处理后易于从电子元件上剥离而几乎不造成污染。该电子元件用的可热剥离的压敏粘合剂片材包括含可热膨胀的微球和的可热膨胀层和在可热膨胀层的至少一面上形成的非热膨胀压敏粘合剂层，其中当在非热膨胀压敏粘合剂层的一侧面上，把压敏粘合剂片材涂布到硅片的表面，然后加热并从硅片上剥离时，则由ＸＰＳ测定的这种硅片表面上的碳元素的比例Ｒ＃－［Ｃ１］（％）满足下面关系（１）和（２）中的至少一个：Ｒ＃－［Ｃ１］≤５０＋Ｒ＃－［Ｃ２］（１），Ｒ＃－［Ｃ１］≤２．５Ｒ＃－［Ｓｉ］（２）；其中Ｒ＃－［Ｃ２］表示在涂布前由ＸＰＳ测定的这种硅片表面上的碳元素的比例（％）；Ｒ＃－［Ｓｉ］表示在涂布到硅片表面的非热膨胀压敏粘合剂层加热并从其上剥离后由ＸＰＳ测定的这种硅片表面上的硅元素的比例。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电子元件用的可热剥离的压敏粘合剂片材，热处理后该压敏粘合剂片材易于从电子元件上剥离而几乎不引起污染。本专利技术还涉及使用电子元件用的可热剥离的压敏粘合剂片材来加工电子元件的方法，并涉及由该加工方法制备的电子元件。
技术介绍
已知包括基材和在其上形成的含有起泡剂或发泡剂即可热膨胀的微球的压敏粘合剂层的可热剥离的压敏粘合剂片材(参见例如日本专利公开50-13878和51-24534和日本专利特开56-61468，56-61469和60-252681)。这些可热剥离的压敏粘合剂片材结合了粘合性和使用后的可剥离性。这种压敏粘合剂片材的特征在于其粘合力由热发泡或膨胀发泡剂而降低，结果，粘合剂片材易于从被粘附物如硅片上剥离。由于这种特性，这些压敏粘合剂片材用于如电子元件的制备中的临时固定。然而，根椐半导体晶片(如硅片)的划线或背面研磨有关的技术，使用这种可热剥离的压敏粘合剂片材出现下面问题。当所涂布的压敏粘合剂片材经热处理和剥离时，半导体晶片表面有许多残余污染物(特别是，有机污染物)，这些污染物太细以致不能肉眼识别。由于出现由此制备的电子元件不适于实施实际使用的情况，这个污染问题变得很严重。日本专利特开6-306337公开了一种包括基材、橡胶基弹性层、和可热膨胀层的结构。然而，其中没有介绍减少由粘合剂层引起的有机污染物等的技术。有机物污染的问题仍然未解决。认为这种有机物污染问题归因于由于热处理污染物的量大显著增加，这从加热前和加热后污染的比较明显可知。在当在4英寸硅片上用激光表面测试仪测试污染物颗粒的情形中，颗粒数从没有加热剥离的片材的小于1000增加到加热后剥离片材的10,000。即，污染程度增加了10倍或更多。
技术实现思路
因此，本专利技术的一个目的是提供一种电子元件用的可热剥离的压敏粘合剂片材，热处理后该压敏粘合剂片材易于从电子元件上剥离而几乎不引起污染。本专利技术另一个目的在于提供一种使用电子元件用的可热剥离的压敏粘合剂片材来加工电子元件的方法。本专利技术再一个目的是提供由该加工方法制备的电子元件。深入研究后完成本专利技术的目的，发现能投入实际使用的电子元件可通过使用已经过调节的压敏粘合剂片材而制备，从而当涂布到电子元件上并在热处理后剥离时，该粘合剂片材对电子元件表面的污染降低。基于上述发现完成了本专利技术。本专利技术提供了一种电子元件用的可热剥离的压敏粘合剂片材，其包括含可热膨胀微球的可热膨胀层和在可热膨胀层的至少一面上形成的非热膨胀压敏粘合剂层，其中当在非热膨胀压敏粘合剂一侧上，把压敏粘合剂片材涂布到硅片的表面，然后加热并从硅片上剥离时，则由XPS测定的这种硅片表面上的碳元素的比例RC1(％)满足下面关系(1)和(2)中的至少一个RC1≤50+RC2(1)RC1≤2.5RSi(2)其中RC2表示在涂布前由XPS测定的这种硅片表面上的碳元素的比例(％)；RSi表示在涂布到硅片表面的非热膨胀压敏粘合剂层加热并从其上剥离后由XPS测定的这种硅片表面上的硅元素的比例。可热膨胀层优选是可热膨胀的压敏粘合剂层，其具有热膨胀性和压敏粘合剂性并已形成在基材的至少一面上。非热膨胀压敏粘合剂层的压敏粘合剂可为其中重均分子量为100,000或更低的低分子聚合物组分的含量为基于总的聚合物组分有15％重量或更低，或可为低污染的辐射固化的压敏粘合剂。低污染的辐射固化压敏粘合剂的固化，使得在固化的粘合剂中重均分子量为100,000或更低的低分子聚合物聚分的含量为基于总的聚合物组分有15％重量或更低。本专利技术的电子元件用的可热剥离的压敏粘合剂片材包括可热膨胀层和以这种顺序在基材的一面上形成的非热膨胀压敏粘合剂层，并还至少包括在基材的另一侧上形成的压敏粘合剂层。本专利技术还提供一种加工电子元件的方法，包括涂布可热剥离的压敏粘合剂片材到电子元件中，使得非热膨胀压敏粘合剂层与电子元件接触；然后加工电子元件。本专利技术还提供由该加工方法制备的电子元件。附图说明图1是表示本专利技术的用于电子元件的可热剥离的压敏粘合剂片材的一个实施方案的剖视图示例部分。图2是本专利技术的用于电子元件的可热剥离的压敏粘合剂片材的另一个实施方案的剖视图示例部分。图3是本专利技术的用于电子元件的可热剥离的压敏粘合剂片材的再一个实施方案的剖视图示例部分。附图标记说明1用于电子元件的可热剥离的压敏粘合剂片材11用于电子元件的可热剥离的压敏粘合剂片材12用于电子元件的可热剥离的压敏粘合剂片材2基材21基材22基材3可热膨胀层31a可热膨胀层31b可热膨胀层32可热膨胀层4非热膨胀压敏粘合剂层41a非热膨胀压敏粘合剂层41b非热膨胀压敏粘合剂层42非热膨胀压敏粘合剂层5衬里51a衬里 51b衬里52a衬里52b衬里6橡胶有机弹性层7压敏粘合剂层具体实施方式本专利技术的电子元件用的可热剥离的压敏粘合剂片材的特征在于当在非热膨胀压敏粘合剂的至少一面上，把压敏粘合剂片材涂布到硅片的表面，然后加热并从硅片上剥离时，则由XPS测定的这种硅片表面上(已与非热膨胀压敏粘合剂层接触的硅片的那个表面)的碳元素的比例RC1(％)满足下面关系(1)和(2)中的至少一个RC1≤50+RC2(1)RC1≤2.5RSi(2)其中RC2表示在涂布前由XPS测定的这种硅片表面上的碳元素的比例(％)；RSi表示在涂布到硅片表面的非热膨胀压敏粘合剂层加热并从其上剥离后由XPS测定的这种硅片表面上(已与非热膨胀压敏粘合剂层接触的硅片的那个表面)的硅元素的比例。本专利技术的电子元件用的可热剥离的压敏粘合剂片材具有下列两个性能的至少一种。一个性能如下当把压敏粘合剂片材涂布到硅片的表面上从而使非热膨胀压敏粘合剂层的那面与硅片表面接触，然后加热并剥离，则这个硅片表面(已与非热膨胀压敏粘合剂层接触的硅片的那个表面)上由XPS测得的碳元素比例RC1(％)和在涂布电子元件用的可热剥离的压敏粘合剂片材之前的硅片表面上由XPS测定的碳元素的比例RC2(％)之差(RC1-RC2)(有时称为ΔRC1-2)为50或更小。另外一个性能如下当把压敏粘合剂片材涂布到硅片的表面上从而使非热膨胀压敏粘合剂层的那面与硅片表面接触，然后加热并剥离，则这个硅片表面(已与非热膨胀压敏粘合剂层接触的硅片的那个表面)上由XPS测得的碳元素比例RC1(％)和硅片表面(涂布了电子元件用的可热剥离的压敏粘合剂片材，使得非热膨胀压敏粘合剂层与硅片表面接触，并加热后剥离的表面)由XPS测定的硅元素的量之比(RC1/RSi)(有时称为“RC/Si”)为2.5或更低。该压敏粘合剂片材优选满足这两个关系(1)和(2)。即，压敏粘合剂片材优选具有的性能，使得ΔRC1-2为50或更小，RC/Si为2.5或更小。ΔRC1-2不特别加以限制，只要其为50或更小。例如，它可为0-50，优选最高到30(如0.1-30)，更优选最高到20(如0.5-20)，更优选最高到5(如1-5)。ΔRC1-2可为负数。当ΔRC1-2超过50时，出现了与非热膨胀压敏粘合剂层接触的电子元件的表面(已从其上剥离了电子元件用的可热剥离的压敏粘合剂片材的表面)有较多的污染且通过加工所得的电子元件是不能实用的有缺陷的部件的情形。RC/Si不特别加以限制，只要其为2.5或更小。例如，它可为0-2.5。当RC/Si超过2.5时，出现了与非热膨本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子元件用的可热剥离的压敏粘合剂片材，其包括含可热膨胀微球的可热膨胀层和在可热膨胀层的至少一面上形成的非热膨胀压敏粘合剂层，其中当在非热膨胀压敏粘合剂层的一侧上，把压敏粘合剂片材涂布到硅片的表面，然后加热并从硅片上剥离时，则由ＸＰＳ测定的这种硅片表面上的碳元素的比例Ｒ↓［Ｃ１］（％）满足下面关系（１）和（２）中的至少一个： Ｒ↓［Ｃ１］≤５０＋Ｒ↓［Ｃ２］ （１） Ｒ↓［Ｃ１］≤２．５Ｒ↓［Ｓｉ］ （２） 其中Ｒ↓［Ｃ２］表示在涂布前由ＸＰＳ测定的这种硅片表面上的碳元素的比例（％）；Ｒ↓［Ｓｉ］表示在涂布到硅片表面的非热膨胀压敏粘合剂层加热并从其上剥离后由ＸＰＳ测定的这种硅片表面上的硅元素的比例。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：木内一之，川西道朗，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]