半导体制程及其制程设备与控制装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体制程及其制程设备与控制装置。其中半导体制程包括：对第一晶圆进行第一制程步骤；在完成所述第一制程步骤后，依据所述第一晶圆的实际表面形貌信息获取第一不可校正误差信息；以及，依据所述第一不可校正误差信息来调整所述第一制程步骤的制程参数。本发明专利技术更提出适用此半导体制程的制程设备与控制装置。本发明专利技术有助于减少制程步骤后续产生的不可校正误差，实时反馈制程误差，实现半导体制程的在线实时监测，有效提高制程良率。

Semiconductor process and its process equipment and control device

The invention provides a semiconductor manufacturing process, a process equipment and a control device. The semiconductor process includes: a first process step on the first wafer; upon completion of the first process, according to the actual surface topography information of the first wafer to obtain first uncorrectable error information; and, according to the first error correction information to adjust the process parameters of the first process step. The invention also puts forward a process equipment and a control device suitable for the semiconductor process. The present invention has not helped to reduce the error correction process resulting, real-time feedback error process, realize the real-time online monitoring of semiconductor process, enhance process yield.

【技术实现步骤摘要】
半导体制程及其制程设备与控制装置
本专利技术实施例涉及一种半导体制程及其制程设备与控制装置，尤其涉及一种藉由反馈不可校正误差来调整制程参数，以提高制程良率的半导体制程及其制程设备与控制装置。
技术介绍
在半导体制程中，由各种可能因素所引起的晶圆不平坦会导致晶圆表面形貌的缺陷。此问题在晶圆边缘更为严重，而可能在晶圆后段制程(BackEndOfLine,BEOL)的步骤发生问题。例如可能在化学机械研磨(Chemical-MechanicalPolishing,CMP)步骤发生研磨不足(under-polish)或研磨过量(over-polish)，从而导致后续的微影制程发生离焦(defocus)的问题。因此，对于晶圆边缘的表面形貌进行监测与改良有助于提高晶圆的制程良率。然而，现行检测技术存在覆盖率不足、灵敏度与取样效率(capturerate)低落以及反馈时间过长等问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种半导体制程，包括：对第一晶圆进行第一制程步骤；在完成所述第一制程步骤后，依据所述第一晶圆的实际表面形貌(topography)信息获取第一不可校正误差(Non-correctableE本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体制程，其特征在于，包括：对第一晶圆进行第一制程步骤；在完成所述第一制程步骤后，依据所述第一晶圆的实际表面形貌信息获取第一不可校正误差信息；以及依据所述第一不可校正误差信息来调整所述第一制程步骤的制程参数。

【技术特征摘要】
1.一种半导体制程，其特征在于，包括：对第一晶圆进行第一制程步骤；在完成所述第一制程步骤后，依据所述第一晶圆的实际表面形貌信息获取第一不可校正误差信息；以及依据所述第一不可校正误差信息来调整所述第一制程步骤的制程参数。2.根据权利要求1所述的半导体制程，其特征在于，还包括：依据调整后的所述制程参数来对第二晶圆进行所述第一制程步骤。3.根据权利要求1所述的半导体制程，其特征在于，还包括：对所述第一晶圆进行第二制程步骤；在完成所述第二制程步骤后，依据所述第一晶圆的实际表面形貌信息获取第二不可校正误差信息；以及依据所述第二不可校正误差信息来调整所述第二制程步骤的制程参数。4.根据权利要求1所述的半导体制程，其特征在于，获取所述第一不可校正误差信息的步骤包括：扫描所述第一晶圆以获取所述第一晶圆的所述实际表面形貌信息；以及依据所述实际表面形貌信息与预期表面形貌信息的差异，获取所述第一不可校正误差信息。5.根据权利要求4所述的半导体制程，其特征在于，所述预期表面形貌信息得自于所述第一制程步骤的所述制程参数。6.根据权利要求5所述的半导体制程，其特征在于，所述制程参数包括制程装置相对于所述晶圆的扫描设定参数。7.一种半导体制程的控制装置，其特征在于，包括：输入/输出单元，被设置成接收在晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏莹璐，雷鸣，林生元，黄泰维，陈晓葳，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71