晶圆凸块的制备方法技术

本发明专利技术提供的一种晶圆凸块的制备方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底表面包括具有多个开口的层间介质层，所述开口中具有底层金属层；在所述开口中涂覆助焊剂，所述助焊剂中具有颜色与所述底层金属层的颜色不同的颜料；对所述多个开口中的所述助焊剂的涂覆情况进行检测；在所述开口中形成锡球，对所述锡球进行一热处理过程，所述锡球形成球冠状的凸块。本发明专利技术中，利用颜料与底层金属层之间的颜色差异，在对助焊剂进行监测时，可以根据开口位置上的颜色来判断底层金属层上的助焊剂是否涂覆完好。在助焊剂涂覆之后，对助焊剂的涂覆情况进行检测，从而防止由于涂覆的偏差导致锡球在底层金属层上的错位、缺失或相连等问题，提高晶圆凸块的良率。

Method for preparing wafer bumps

A wafer bumping preparation method provided by the invention comprises: providing a semiconductor substrate, a semiconductor substrate includes a surface having a plurality of openings of the interlayer dielectric layer, the opening of the bottom metal layer; in the opening coating flux, the flux of the color and the bottom metal layer the color of different pigments were detected; coating of the plurality of openings in the flux; in the opening formed in the solder ball, a heat treatment process of the solder bump, the solder ball coronal formation. In the invention, the bottom metal layer between pigment and color difference, in the monitoring of flux, according to the opening position of the color to determine the flux bottom metal layer on the coating is intact. In the flux coating after the coating of flux were detected, so as to prevent the coating deviation causes the dislocation, solder ball at the bottom of the metal layer is absent or linked to other issues, improve the yield of wafer bump.

【技术实现步骤摘要】
晶圆凸块的制备方法
本专利技术涉及半导体器件制造
，尤其涉及一种晶圆凸块的制备方法。
技术介绍
随着集成电路技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化以及高可靠性方向发展。而集成电路的封装不仅直接影响着集成电路、电子模块乃至整机的性能，而且还制约着整个电子系统的小型化、低成本和可靠性。在集成电路的芯片(chip)尺寸逐渐缩小、集成度不断提高的情况下，电子工业对芯片的封装技术提出了越来越高的要求。现有技术中，为了进行芯片的封装，晶圆(wafer)上必须具有凸块(bump)以便与封装的基板连接。每个晶圆可以被裁切成整个晶粒(die)，依据晶粒的数目，在晶圆上形成多个金属接触垫，金属接触垫之间以钝化层分隔，制作凸块时，先在金属接触垫之上形成一凸块下金属层(UBM)结构，接着在凸块下金属层上形成一锡银金属层，锡银金属层经过回流后固化形成凸块。并且，在形成锡银金属层时，先在凸块下金属层上涂覆助焊剂，使锡银金属层更好的焊接在凸块下金属层上。然而，晶圆上形成的凸块会存在错位、缺失或两个凸块连接在一起的情形，从而影响芯片的封装。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种晶圆凸块的制备方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆凸块的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面包括具有多个开口的层间介质层，所述开口中具有底层金属层；在所述开口中涂覆助焊剂，所述助焊剂中具有颜色与所述底层金属层的颜色不同的颜料；对所述多个开口中的所述助焊剂的涂覆情况进行检测；在所述开口中形成锡球，对所述锡球进行一热处理过程，所述锡球形成球冠状的凸块。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆凸块的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面包括具有多个开口的层间介质层，所述开口中具有底层金属层；在所述开口中涂覆助焊剂，所述助焊剂中具有颜色与所述底层金属层的颜色不同的颜料；对所述多个开口中的所述助焊剂的涂覆情况进行检测；在所述开口中形成锡球，对所述锡球进行一热处理过程，所述锡球形成球冠状的凸块。2.如权利要求1所述的晶圆凸块的制备方法，其特征在于，所述颜料为不与所述助焊剂发生化学反应的颜料。3.如权利要求2所述的晶圆凸块的制备方法，其特征在于，所述助焊剂还包括醇类有机物和醛类有机物，所述助焊剂呈弱酸性。4.如权利要求3所述的晶圆凸块的制备方法，其特征在于，所述颜料为醇类有机物或醚类有机物。5.如权利要求2或3或4所述的晶圆凸块的制备方法，其特征在于，所述颜料呈弱酸性。6.如权利要求5所述的晶圆凸块的制备方法，其特征在于，所述颜料为呈蓝紫色的石蕊。7.如权利要求1所述的晶圆凸块的制备方法，其特征在于，所述颜料占所述助焊剂的质量分...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟津，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造天津有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12