一种ICP刻蚀机制造技术

本实用新型专利技术涉及一种ICP刻蚀机，包括竖直截面为U字形的底座和与底座铰接的可开合的上盖；上盖内设置有工作气体进气口和功率源；所述底座内从上至下依次设置有放置晶片的转盘和托盘；所述转盘可在水平方向上转动；所述托盘由一固定在底座内底面的液压装置驱动升降；该刻蚀机可以使离子源更均匀的刻蚀晶片。

A ICP etching machine

The utility model relates to a ICP etching machine, comprises a vertical section base U 'and hinged with the retractable upper cover is arranged in the upper cover; the gas inlet and a power source; the base is arranged from top to bottom of the turntable and placing the wafer tray; the turntable can rotate at the horizontal direction; the tray by a fixed on the inner bottom surface of the base hydraulic lifting device to drive the wafer etching; etching machine can make more uniform ion source.

【技术实现步骤摘要】
一种ICP刻蚀机
本技术涉及一种ICP刻蚀机，是一种离子刻蚀机，属于晶片加工领域。
技术介绍
离子刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。当气体以等离子体形式存在时，它具备两个特点:一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多，根据被刻蚀材料的不同，选择合适的气体，就可以更快地与材料进行反应，实现刻蚀去除的目的；另一方面，还可以利用电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，会将被刻蚀物材料的原子击出，从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。因此，干法刻蚀是晶圆片表面物理和化学两种过程平衡的结果。现有的ICP刻蚀机底盘高度可以调节，但是底盘不能旋转，底盘不能旋转，使得离子源无法均匀刻蚀吸在底盘上的晶片。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本技术提供一种ICP刻蚀机。该刻蚀机可以使离子源更均匀的刻蚀晶片。本技术的技术方案如下：一种ICP刻蚀机，包括竖直截面为U字形的底座和与底座铰接的可开合的上盖；上盖内设置有工作气体进气口和功率源；所述底座内从上至下依次设置有放置晶片的转盘和托盘；所述转盘可在水平方向上转动；所述托盘由一固定在底座内底面的液压装置驱动升降。其中，所述转盘上方的底座内设置有可阻挡离子束的开合板。其中，所述开合板包括水平相对设置的左半圆板和右半圆板；左半圆板与右半圆板分别由一转杆驱动转动。其中，所述底座侧壁上设置有观察窗；所述观察窗上贴覆有减光膜。其中，所述转盘由一竖直设置在托盘上的第一电机驱动旋转；所述第一电机的转轴固定在转盘中心。其中，所述转盘由一第一电机驱动旋转；所述转盘外圆周面上设置有外齿；所述第一电机的转轴上固定有与外齿配合的齿轮。本技术具有如下有益效果：1、本技术一种ICP刻蚀机可以使离子源更均匀的刻蚀晶片。2、本技术一种ICP刻蚀机设置有观察窗和可开合的上盖，方便操作和放置晶片，方便检修，方便观察。3、本技术一种ICP刻蚀机设置有开合板，可以在离子束和转盘转速稳定后才开始刻蚀，提高了刻蚀质量。附图说明图1为本技术一种ICP刻蚀机的实施例一的示意图；图2为本技术一种ICP刻蚀机的实施例二的示意图；图3为本技术一种ICP刻蚀机开合板闭合时的示意图；图4为本技术一种ICP刻蚀机开合板打开时的示意图。图中附图标记表示为：1-底座、11-转盘、12-托盘、13-第一电机、131-齿轮、14-液压装置、15-观察窗、16-减光膜、2-上盖、21-工作气体进气口、3-开合板、31-左半圆板、32-右半圆板、33-转杆。具体实施方式下面结合附图和具体实施例来对本技术进行详细的说明。实施例一：如图1所示，一种ICP刻蚀机，包括竖直截面为U字形的底座1和与底座1铰接的可开合的上盖2；上盖2内含有工作气体进气口21和用于电离气体的功率源，功率源为一电离电极；所述底座1内从上至下依次设置有放置晶片的转盘11和托盘12；托盘12与转盘11之间设置有一转轴，所述转盘11由一设置在托盘12一侧的第一电机13驱动旋转；所述转盘11外圆周面上设置有外齿；所述第一电机13的转轴上固定有与外齿配合的齿轮131；所述托盘12由一固定在底座1内底面的液压装置14驱动升降。进一步的，所述转盘11上方的底座1内设置有可阻挡离子束的开合板3。进一步的，如图3、4所示，所述开合板3包括水平相对设置的左半圆板31和右半圆板32；左半圆板31与右半圆板32分别由一转杆33驱动转动。进一步的，所述底座1侧壁上设置有观察窗15；所述观察窗15上贴覆有减光膜16。实施例二：如图2所示，一种ICP刻蚀机，包括竖直截面为U字形的底座1和与底座1铰接的可开合的上盖2；上盖2内含有工作气体进气口21和用于电离气体的功率源，功率源为一电离电极；所述转盘11由一竖直设置在托盘12上的第一电机13驱动水平方向旋转；所述托盘12由一固定在底座1内底面的装置14驱动升降；进一步的，所述底座1侧壁上设置有观察窗15；所述观察窗15上贴覆有减光膜16。进一步的，所述转盘11上方的底座1内设置有可阻挡离子束的开合板3。进一步的，如图3、4所示，所述开合板3包括水平相对设置的左半圆板31和右半圆板32；左半圆板31与右半圆板32分别由一转杆33驱动转动。本技术的工作原理：将晶片放置在转盘11上固定，盖上上盖2，液压装置14驱动托盘12和转盘11提升至刻蚀位置，第一电机13驱动转盘11转动；开合板3闭合，工作气体从进气口21进入并被功率源电离成离子束后受开合板3阻挡一段时间，待离子束和转盘11转动稳定后，开合板3打开；离子束结合转盘11的转动即可实现整个晶片的快速刻蚀。以上所述仅为本技术的实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ICP刻蚀机，其特征在于：包括竖直截面为U字形的底座(1)和与底座(1)铰接的可开合的上盖(2)；上盖(2)内设置有工作气体进气口(21)和功率源；所述底座(1)内从上至下依次设置有放置晶片的转盘(11)和托盘(12)；所述转盘(11)可在水平方向上转动；所述托盘(12)由一固定在底座(1)内底面的液压装置(14)驱动升降。

【技术特征摘要】
1.一种ICP刻蚀机，其特征在于：包括竖直截面为U字形的底座(1)和与底座(1)铰接的可开合的上盖(2)；上盖(2)内设置有工作气体进气口(21)和功率源；所述底座(1)内从上至下依次设置有放置晶片的转盘(11)和托盘(12)；所述转盘(11)可在水平方向上转动；所述托盘(12)由一固定在底座(1)内底面的液压装置(14)驱动升降。2.如权利要求1所述的一种ICP刻蚀机，其特征在于：所述转盘(11)上方的底座(1)内设置有可阻挡离子束的开合板(3)。3.如权利要求2所述的一种ICP刻蚀机，其特征在于：所述开合板(3)包括水平相对设置的左半圆板(31)和右半圆板(32)...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁万国，李广伟，张新汉，陈怀熹，缪龙，冯新凯，邹小林，
申请(专利权)人：福建中科晶创光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35