一种新型温控炉制造技术

本实用新型专利技术涉及一种新型温控炉，包括炉体、控制器、透镜以及均位于所述炉体内的加热装置和晶体台钳；所述炉体包括底座和固定在所述底座上的下端敞开的罩体；所述底座上端向下开设有凹槽；所述底座的四角处对应固定有三个凸台和一所述控制器；所述凸台位于所述凹槽内，且所述凸台高度低于所述凹槽；所述控制器位于所述底座外侧；所述加热装置从上至下依次固定有上热沉、加热器以及下热沉；所述下热沉下部容纳在所述凹槽内，下端固定在所述凸台上；夹持有晶体的晶体台钳放置在所述上热沉上；所述罩体两侧壁上分别开设有横向贯通的通光孔；所述通光孔正对所述晶体台钳上的晶体；所述透镜嵌于所述通光孔外侧；所述控制器与所述加热器电信号连接。

【技术实现步骤摘要】
一种新型温控炉
本技术涉及一种新型温控炉，属于光学激光

技术介绍
随着激光器技术的迅速发展，激光被广泛应用到军事、医疗、工业和科学研究等领域伴随着激光器的广泛应用，激光器相关技术也不断发展。激光倍频利用非线性晶体在强激光作用下的二次非线性效应，使频率为ω的激光通过晶体后变为频率为2ω的倍频光，称为倍频技术，或二次谐波振荡。如将1.06微米的激光通过倍频晶体，变成0.532微米的绿光。倍频技术扩大了激光的波段，可获得更短波长的激光。温度匹配是非线性晶体实现非临界匹配的一种方法。对一些倍频晶体，正常色散效应与双折射效应随温度的变化特性不同，故可通过调节、控制倍频晶体的温度，在垂直于晶体光轴的方向上实现位相匹配。相应的温度称为非临界匹配温度，或称位相匹配温度。在激光器中,激光匹配二倍频、三倍频技术已广泛应用,这种方法的最大特点是结构简单,调整方便。晶体倍频技术最大缺点是晶体匹配角随温度变化，以至二倍频、三倍频光束能量不稳定。故在激光变频技术当中需要一种控温装置来固定加持非线性晶体，并对晶体进行温控处理。如何维持激光倍频晶体的温度的稳定性，是一个需要解决的难题。
技术实现思路
为了克服上述问题，本技术提供一种新型温控炉，该新型温控炉结构简单，性能稳定，温控精度高，能够通过控制晶体温度来实现非线性晶体的位相匹配，具有很大的实用价值。本技术的技术方案如下：一种新型温控炉，包括炉体、控制器、透镜以及均位于所述炉体内的加热装置和晶体台钳；所述炉体包括底座和固定在所述底座上的下端敞开的罩体；所述底座上端向下开设有凹槽；所述底座的四角处对应固定有三个凸台和一所述控制器；所述凸台位于所述凹槽内，且所述凸台高度低于所述凹槽；所述控制器位于所述底座外侧；所述加热装置从上至下依次固定有上热沉、加热器以及下热沉；所述下热沉下部容纳在所述凹槽内，下端固定在所述凸台上；夹持有晶体的所述晶体台钳放置在所述上热沉上；所述罩体两侧壁上分别开设有横向贯通的通光孔；所述通光孔正对所述晶体台钳上的晶体；所述透镜嵌于所述通光孔外侧；所述控制器与所述加热器电信号连接。进一步的，所述晶体台钳包括放置在所述上热沉上的固定钳身和滑动固定在所述固定钳身上的活动钳身；所述晶体夹持在所述固定钳身与所述活动钳身之间；所述活动钳身上开设有竖直贯通的调节孔；所述调节孔呈长圆形；一调节螺母穿过所述调节孔后，下端固定在所述固定钳身上。进一步的，所述下热沉上端开设有U型槽；所述U型槽敞开端与所述下热沉侧壁连通；所述加热器能够容纳在所述U型槽内。进一步的，所述加热器外侧四周包覆有尼龙垫圈。进一步的，所述凹槽内位于所述下热沉下方填充有保温棉。进一步的，所述加热器为陶瓷加热片或者半导体制冷片。进一步的，所述上热沉内还固定设置有多个温度探测器；所述控制器与所述温度探测器电信号连接。本技术具有如下有益效果：1、该新型温控炉结构简单，性能稳定，温控精度高，能够通过控制晶体温度来实现非线性晶体的位相匹配，具有很大的实用价值。2、使用晶体台钳来固定晶体，且活动钳身可滑动，能够根据晶体大小来灵活调整，再通过调节螺母还固定活动钳身，使晶体能够在适当位置被牢牢固定住。3、尼龙垫圈起到支撑作用，能够起到保护加热器的效果。附图说明图1为本技术的整体结构示意图。图2为本技术的内部结构示意图。图3为本技术的局部剖视图。图4为本技术的底座的结构示意图。图5为本技术的罩体的结构示意图。图6为本技术的下热沉的结构示意图。图中附图标记表示为：1、炉体；11、底座；12、罩体；13、凹槽；14、凸台；15、通光孔；16、保温棉；2、加热装置；21、加热器；22、上热沉；23、下热沉；24、U型槽；25、尼龙垫圈；3、晶体台钳；31、固定钳身；32、活动钳身；33、调节孔；34、调节螺母；4、透镜；5、控制器。具体实施方式下面结合附图和具体实施例来对本技术进行详细的说明。参见图1-6，一种新型温控炉，包括炉体1、控制器5、透镜4以及均位于所述炉体1内的加热装置2和晶体台钳3；所述炉体1包括底座11和固定在所述底座11上的下端敞开的罩体12；所述底座11上端向下开设有凹槽13；所述底座11的四角处对应固定有三个凸台14和一所述控制器5；所述凸台14位于所述凹槽13内，且所述凸台14高度低于所述凹槽13；所述控制器5位于所述底座11外侧；所述加热装置2从上至下依次固定有上热沉22、加热器21以及下热沉23；所述下热沉23下部容纳在所述凹槽13内，下端固定在所述凸台14上；夹持有晶体的所述晶体台钳3放置在所述上热沉22上；所述罩体12两侧壁上分别开设有横向贯通的通光孔15；所述通光孔15正对所述晶体台钳3上的晶体；所述透镜4嵌于所述通光孔15外侧；所述控制器5与所述加热器21电信号连接。根据上述描述，炉体1包括底座11和罩体12，罩体12紧密盖合在底座11上，用于防止尘埃等杂质落入晶体，同时能够将加热装置2与外界环境隔绝，减少外界温度对加热装置2的影响。加热装置2上的加热器21能够用于加热晶体，而上热沉22与下热沉23主要用于隔热，减少晶体的温度波动。晶体台钳3用于夹持晶体。控制器5与加热器21电信号连接，控制加热器21的发热量。罩体12上开设通光孔15，则激光能够从罩体12一侧的通光孔15打入晶体，然后从另一侧的通光孔15射出。进一步的，所述晶体台钳3包括放置在所述上热沉22上的固定钳身31和滑动固定在所述固定钳身31上的活动钳身32；所述晶体夹持在所述固定钳身31与所述活动钳身32之间；所述活动钳身32上开设有竖直贯通的调节孔33；所述调节孔33呈长圆形；一调节螺母34穿过所述调节孔33后，下端固定在所述固定钳身31上。进一步的，所述下热沉23上端开设有U型槽24；所述U型槽24敞开端与所述下热沉23侧壁连通；所述加热器21能够容纳在所述U型槽24内。进一步的，所述加热器21外侧四周包覆有尼龙垫圈25。尼龙垫圈25起到支撑作用，以保护加热器21。进一步的，所述凹槽13内位于所述下热沉23下方填充有保温棉16。进一步的，所述加热器21为陶瓷加热片或者半导体制冷片。另外，对于半导体制冷片来说，尼龙垫圈25可以减少半导体制冷片上下面之间的温度传递。进一步的，所述上热沉22内还固定设置有多个温度探测器；所述控制器5与所述温度探测器电信号连接。温度探测器将炉体1内温度反馈给控制器5，控制器5再通过通过加热器21调整加热温度。温度探测器可以选用NTC,PTC,PT100,PT1000,热电偶等。以上所述仅为本技术的实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型温控炉，其特征在于：包括炉体（1）、控制器（5）、透镜（4）以及均位于所述炉体（1）内的加热装置（2）和晶体台钳（3）；所述炉体（1）包括底座（11）和固定在所述底座（11）上的下端敞开的罩体（12）；所述底座（11）上端向下开设有凹槽（13）；所述底座（11）的四角处对应固定有三个凸台（14）和一所述控制器（5）；所述凸台（14）位于所述凹槽（13）内，且所述凸台（14）高度低于所述凹槽（13）；所述控制器（5）位于所述底座（11）外侧；所述加热装置（2）从上至下依次固定有上热沉（22）、加热器（21）以及下热沉（23）；所述下热沉（23）下部容纳在所述凹槽（13）内，下端固定在所述凸台（14）上；夹持有晶体的所述晶体台钳（3）放置在所述上热沉（22）上；所述罩体（12）两侧壁上分别开设有横向贯通的通光孔（15）；所述通光孔（15）正对所述晶体台钳（3）上的晶体；所述透镜（4）嵌于所述通光孔（15）外侧；所述控制器（5）与所述加热器（21）电信号连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型温控炉，其特征在于：包括炉体（1）、控制器（5）、透镜（4）以及均位于所述炉体（1）内的加热装置（2）和晶体台钳（3）；所述炉体（1）包括底座（11）和固定在所述底座（11）上的下端敞开的罩体（12）；所述底座（11）上端向下开设有凹槽（13）；所述底座（11）的四角处对应固定有三个凸台（14）和一所述控制器（5）；所述凸台（14）位于所述凹槽（13）内，且所述凸台（14）高度低于所述凹槽（13）；所述控制器（5）位于所述底座（11）外侧；所述加热装置（2）从上至下依次固定有上热沉（22）、加热器（21）以及下热沉（23）；所述下热沉（23）下部容纳在所述凹槽（13）内，下端固定在所述凸台（14）上；夹持有晶体的所述晶体台钳（3）放置在所述上热沉（22）上；所述罩体（12）两侧壁上分别开设有横向贯通的通光孔（15）；所述通光孔（15）正对所述晶体台钳（3）上的晶体；所述透镜（4）嵌于所述通光孔（15）外侧；所述控制器（5）与所述加热器（21）电信号连接。


2.根据权利要求1所述新型温控炉，其特征在于：所述晶体台钳（3）包括放置在所述上热沉（22）上的固定钳身（31）和滑动固...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯新凯，梁万国，陈怀熹，张新彬，李广伟，古克义，
申请(专利权)人：福建中科晶创光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35