半导体制造装置以及半导体制造工艺罐制造方法及图纸

本公开提供半导体制造装置以及半导体制造工艺罐。一种半导体制造装置可以包括多个反应容器，该多个反应容器可以联接在一起以在产生用于半导体制造的工艺气体的工艺中提供多个按顺序的各个阶段，其中每个反应容器可以以不同于该多个反应容器中的其它反应容器的各自的配置包括各自的半导体制造固体源材料。

Semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing process tank

The present disclosure provides a semiconductor manufacturing device and a semiconductor fabrication process tank. A semiconductor manufacturing apparatus may include a plurality of reaction vessels, the vessel can be connected together to produce in the process in the semiconductor manufacturing process for gas in multiple stages according to the order, each of which can be different from the reaction vessel to a reaction vessel in other reaction vessel respectively the configuration includes a semiconductor manufacturing solid source materials respectively.

【技术实现步骤摘要】
半导体制造装置以及半导体制造工艺罐
本专利技术涉及使用固体源材料的半导体制造。
技术介绍
使用固体源材料(即固体源)的半导体工艺(例如沉积工艺)可以在制造半导体器件时进行。与能够在中央供应的液体源不同，固体源可以被提供到独立的罐(canister)中并且包括固体源的罐可以被供应到用于使用该固体源进行半导体工艺的装置。由于从固体源获得的工艺气体的供应量会根据罐中的固体源的消耗量而减少，所以在固体源耗尽之前，半导体工艺可以通过改变工艺配方或通过用新的罐代替所述罐而连续地进行。
技术实现思路
根据本专利技术的实施方式能够提供一种具有多个反应容器的半导体制造装置以及使用该半导体制造装置在半导体基板上形成层的方法。按照这些实施方式，一种半导体制造装置可以包括多个反应容器，该多个反应容器可以联接在一起以在产生用于半导体制造的工艺气体的工艺中提供多个按顺序的各个阶段(stage)，其中每个反应容器可以以不同于所述多个反应容器中的其它反应容器的各自的配置包括各自的半导体制造固体源材料。在一些实施方式中，一种半导体制造工艺罐包括：多个反应容器，串联联接在一起以在产生工艺气体的工艺中提供多个按顺序的各个阶段本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体制造装置，包括：多个反应容器，联接在一起以在产生用于半导体制造的工艺气体的工艺中提供多个按顺序的各个阶段；以及每个反应容器以不同于所述多个反应容器中的其它反应容器的各自的配置包括各自的半导体制造固体源材料。

【技术特征摘要】
2016.04.18 KR 10-2016-0047063;2017.01.04 US 15/3981.一种半导体制造装置，包括：多个反应容器，联接在一起以在产生用于半导体制造的工艺气体的工艺中提供多个按顺序的各个阶段；以及每个反应容器以不同于所述多个反应容器中的其它反应容器的各自的配置包括各自的半导体制造固体源材料。2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中所述各自的配置通过物理尺寸限定，该物理尺寸包括所述反应容器中的所述各自的半导体制造固体源材料的总初始质量和所述各自的半导体制造固体源材料的暴露到所述工艺的有效表面面积。3.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其中所述物理尺寸中的至少一个在所有的反应容器中不同并且所述物理尺寸中的另一个在所有的反应容器中相等。4.根据权利要求3所述的半导体制造装置，其中所述有效表面面积包括在相应的反应容器中的所述半导体制造固体源材料的指定的颗粒尺寸。5.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中每个所述反应容器还包括：入口导管，配置为将所述工艺气体的第一成分从所述工艺中的上游引导到所述各个阶段；和出口管道，配置为将所述工艺气体的第二成分提供到所述工艺中的下游，所述工艺气体的第二成分通过在相应的反应容器中所述工艺气体的所述第一成分与相应的半导体制造固体源材料的反应而产生。6.根据权利要求5所述的半导体制造装置，其中所述工艺气体还包括在所述工艺中提供到所述多个反应容器中的最上游的一个的所述入口导管的惰性载气。7.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中所述工艺中的所述多个反应容器中的最下游的一个配置为联接到工艺腔室，该工艺腔室配置为容纳半导体基板。8.根据权利要求7所述的半导体制造装置，其中所述多个反应容器中的所述最下游的一个以基本上恒定的成分将所述工艺气体提供到所述工艺腔室直到所述工艺完成，所述基本上恒定的成分表示+/-5％以内的偏差。9.根据权利要求3所述的半导体制造装置，其中所述物理尺寸中的所述至少一个被选择以补偿在所述工艺期间所述工艺气体的成分的变化。10.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中所述多个反应容器包括被容纳在单个可移除的罐内的相应的多个反应空间。11.根据权利要求10所述的半导体制造装置，其中所述多个反应空间在所述单个可移除的罐内以一个在另一个上的竖直堆叠的布置联接在一起。12.根据权利要求10所述的半导体制造装置，其中所述多个反应空间在所述单个可移除的罐内彼此水平地间隔开。13.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中所述多个反应容器包括彼此串联联接的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李昭荣，金贤洙，孙沂周，李根泽，洪琮沅，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR