氮化物结晶基板的制造方法以及结晶生长用基板技术

本发明专利技术的课题在于使用经大直径化的结晶生长用基板制造优质的氮化物结晶基板。解决方法具有：准备结晶生长用基板的第1工序，所述结晶生长用基板具备按照主面相互平行、侧面相互抵接的方式配置成平面状的包含氮化物结晶的多个晶种基板，从多个晶种基板之中任意选择的邻接的晶种基板间的晶格常数之差为

Process for producing nitride crystalline substrate and substrate for crystal growth

The subject of the present invention is the use of large diameter crystalline growth substrates to produce high quality nitride crystalline substrates. The solution is: to prepare crystal growth by first processes of the substrate, the substrate with crystal growth according to the main surface parallel to each other, the side are abutted against each other way are arranged in the same plane including a plurality of nitride crystal seed crystal substrate, substrate lattice constant selected from a plurality of crystal substrate randomly the adjacent difference

【技术实现步骤摘要】
氮化物结晶基板的制造方法以及结晶生长用基板
本专利技术涉及氮化物结晶基板的制造方法以及结晶生长用基板。
技术介绍
在制作发光元件、高速晶体管等半导体器件时，使用例如包含氮化镓等氮化物结晶的基板(以下，氮化物结晶基板)。氮化物结晶基板可以经过在蓝宝石基板或使用其制作的结晶生长用基板上，使氮化物结晶生长的工序来制造。近年来，为了得到直径超过例如2英寸那样的大直径的氮化物结晶基板，使结晶生长用基板大直径化的需求提高(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2006-290676号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的目的在于，提供能够使用经大直径化的结晶生长用基板，来制造优质的氮化物结晶基板的技术。用于解决问题的手段根据本专利技术的一个方案，提供一种技术，其具有第1工序，准备结晶生长用基板，所述结晶生长用基板具备按照主面相互平行、侧面相互抵接的方式配置成平面状的包含氮化物结晶的多个晶种基板，从多个所述晶种基板之中任意选择的邻接的晶种基板间的晶格常数之差为以内、或氧浓度之差为9.9×1018原子/cm3以内；和第2工序，在所述结晶生长用基板所具有的基底面上使结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物结晶基板的制造方法，其具有：第1工序，准备结晶生长用基板，所述结晶生长用基板具备按照主面相互平行、侧面相互抵接的方式配置成平面状的包含氮化物结晶的多个晶种基板，从多个所述晶种基板之中任意选择的邻接的晶种基板间的晶格常数之差为

【技术特征摘要】
2016.05.02 JP 2016-0924501.一种氮化物结晶基板的制造方法，其具有：第1工序，准备结晶生长用基板，所述结晶生长用基板具备按照主面相互平行、侧面相互抵接的方式配置成平面状的包含氮化物结晶的多个晶种基板，从多个所述晶种基板之中任意选择的邻接的晶种基板间的晶格常数之差为以内；和第2工序，在所述结晶生长用基板所具有的基底面上使结晶膜生长。2.根据权利要求1所述的氮化物结晶基板的制造方法，其中，在所述第1工序中，作为所述结晶生长用基板，准备所述邻接的晶种基板间的晶格常数之差为以内的基板。3.一种氮化物结晶基板的制造方法，其具有：第1工序，准备结晶生长用基板，所述结晶生长用基板具备按照主面相互平行、侧面相互抵接的方式配置成平面状的包含氮化物结晶的多个晶种基板；和第2工序，在所述结晶生长用基板所具有的基底面上，使相对于从多个所述晶种基板之中任意选择的晶种基板的晶格常数之差为以内的结晶膜生长。4.根据权利要求3所述的氮化物结晶基板的制造方法，其中，在所述第2工序中，作为所述结晶膜，使相对于所述任意选择的晶种基板的晶格常数之差为以内的膜生长。5.一种氮化物结晶基板的制造方法，其具有：第1工序，准备结晶生长用基板，所述结晶生长用基板具备按照主面相互平行、侧面相互抵接的方式配置成平面状的包含氮化物结晶的多个晶种基板，从多个所述晶种基板之中任意选择的邻接的晶种基板间的氧浓度之差为9.9×1018原子/cm3以内；和第2工序，在所述结晶生长用基板所具有的基底面上使结晶膜生长。6.根据权利要求5所述的氮化物结晶基板的制造方法，其中，在所述第1工序中，作为所述结晶生长用基板，准备所述邻接的晶种基板间的氧浓度之差为2.9×1018原子/cm3以内的基板。7.一种氮化物结晶基板的制造方法，其具有：第1工序，准备结晶生长用基板，所述结晶生长用基板具备按照主面相互平行、侧面相互抵接的方式配置成平面状的包含氮化物结晶的多个晶种基板；和第2工序，在所述结晶生长用基板所具有的基底面上，使相对于从多个所述晶种基板之中任意选择的晶种基板的氧浓度之差为9.9×1018原子/cm3以内的结晶膜生长。8.根据权利要求7所述的氮化物结晶基板的制造方法，其中，在所述第2工序中，作为所述结晶膜，使相对于所述任意选择的晶种基板的氧浓度之差为2.9×1018原子/cm3以内的膜生长。9.根据权利要求1至8中任一项所述的氮化物结晶基板的制造方法，其中，在所述第1工序中，作为所述结晶生长用基板，准备多个所述晶种基板的氧浓度均为1×1019原子/cm3以下的基板。10.根据权利要求1至9中任一项所述的氮化物结晶基板的制造方法，其中，在所述第1工序中，作为所述结晶生长用基板，准备多个所述晶种基板的氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：森勇介，吉村政志，今出完，今西正幸，柴田真佐知，吉田丈洋，
申请(专利权)人：国立大学法人大阪大学，株式会社赛奧科思，住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP