一种发光二极管芯片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管芯片的制备方法，属于半导体技术领域。包括：在衬底上依次形成N型半导体层、有源层、P型半导体层和透明导电层；铺设第一层光刻胶，并对第一层光刻胶进行曝光和显影，形成第一图形的光刻胶；利用第一图形的光刻胶形成凹槽；去除第一图形的光刻胶；形成钝化层；铺设第二层光刻胶，并对第二层光刻胶进行曝光和第一次显影，形成第二图形的光刻胶，第二层光刻胶为负性光刻胶；利用第二图形的光刻胶形成第一通孔和第二通孔；对第二层光刻胶进行第二次显影，形成第三图形的光刻胶；利用第三图形的光刻胶增大第一通孔的容积；铺设电极材料；去除第二层光刻胶，形成设置P型电极和N型电极。本发明专利技术可提高发光效率。

Method for preparing LED chip

The invention discloses a method for preparing a light-emitting diode chip, which belongs to the field of semiconductor technology. Including: in order to form N type semiconductor layer, an active layer, a P type semiconductor layer and the transparent conductive layer on a substrate; laying a first layer of photoresist, and exposing and developing the first photoresist layer, forming a photoresist pattern formed by the first groove; first photoresist pattern; the photoresist removal of the first graph; a passivation layer is formed; the laying of second layer of photoresist, and exposure and the first developer of second layer of photoresist, photoresist pattern formed second, second layer photoresist for negative photoresist; forming the first and second through holes using the photoresist pattern second; second to second layer of photoresist developer third, forming photoresist pattern; volume increases first through hole using a photoresist pattern third; laying electrode material; removing second layers of photoresist, formed P type electrode and N type electrodes . The invention can improve luminous efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管芯片的制备方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管芯片的制备方法。
技术介绍
发光二极管(英文：LightEmittingDiode，简称：LED)是一种将电能转化为光能的半导体电子器件。芯片是发光二极管最重要的组成部分。现有LED芯片的制备方法包括：在蓝宝石衬底上依次形成N型氮化物半导体层、有源层、P型氮化物半导体层、透明导电层；在第一道光刻工艺形成的光刻胶的保护下刻蚀透明导电层、P型氮化物半导体层和有源层，形成从透明导电层延伸至N型氮化物半导体层的凹槽；去除第一道光刻工艺形成的光刻胶；在透明导电层、凹槽的侧壁和凹槽内的N型氮化物半导体层上形成钝化层；在第二道光刻工艺形成的光刻胶的保护下刻蚀钝化层和透明导电层，形成从钝化层延伸至P型氮化物半导体层的通孔和从钝化层延伸至N型氮化物半导体层的通孔；在第二道光刻工艺形成的光刻胶、通孔内的P型氮化物半导体层和通孔内的N型氮化物半导体层上铺设电极材料；去除第二道光刻工艺形成的光刻胶和光刻胶上的电极材料，形成设置在P型氮化物半导体层上的P型电极和设置在N型氮化物半导体层上的N型电极。在实现本专利技术的过程中，专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在衬底上依次形成N型半导体层、有源层、P型半导体层和透明导电层；在P型半导体层上铺设第一层光刻胶，并对所述第一层光刻胶进行曝光和显影，形成第一图形的光刻胶；去除没有所述第一图形的光刻胶覆盖的所述透明导电层、所述P型半导体层和所述有源层，形成从所述透明导电层延伸至所述N型半导体层的凹槽；去除所述第一图形的光刻胶；在所述透明导电层、所述凹槽的侧壁和所述凹槽内的所述N型半导体层上形成钝化层；在所述钝化层上铺设第二层光刻胶，并对所述第二层光刻胶进行曝光和第一次显影，形成第二图形的光刻胶，所述第二层光刻胶为负性光刻胶；去除没有所述第二图形的光刻...

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在衬底上依次形成N型半导体层、有源层、P型半导体层和透明导电层；在P型半导体层上铺设第一层光刻胶，并对所述第一层光刻胶进行曝光和显影，形成第一图形的光刻胶；去除没有所述第一图形的光刻胶覆盖的所述透明导电层、所述P型半导体层和所述有源层，形成从所述透明导电层延伸至所述N型半导体层的凹槽；去除所述第一图形的光刻胶；在所述透明导电层、所述凹槽的侧壁和所述凹槽内的所述N型半导体层上形成钝化层；在所述钝化层上铺设第二层光刻胶，并对所述第二层光刻胶进行曝光和第一次显影，形成第二图形的光刻胶，所述第二层光刻胶为负性光刻胶；去除没有所述第二图形的光刻胶覆盖的所述钝化层和所述透明导电层，形成从所述钝化层延伸至所述P型半导体层的第一通孔和从所述钝化层延伸至所述N型半导体层的第二通孔；对所述第二层光刻胶进行第二次显影，形成第三图形的光刻胶；去除没有所述第三图形的光刻胶覆盖的所述钝化层，增大所述第一通孔的容积；在所述第二层光刻胶、所述第一通孔内的P型半导体层和所述第二通孔内的N型半导体层上铺设电极材料；去除所述第二层光刻胶和所述第二层光刻胶上的电极材料，形成设置在所述P型半导体层上的P型电极和设置在所述N型半导体层上的N型电极。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二图形的光刻胶的侧面和底面之间的夹角为15°～75°，所述第二图形的光刻胶的底面为所述第二图形的光刻胶的表面中与所述钝化层接触的表面，所述第二图形的光刻胶的侧面为所述第二图形的光刻胶的表面中与所述第二图形的光刻胶的底面相邻的表面。3.根据权利要求2所述的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：高艳龙，秦双娇，马磊，尹灵峰，王江波，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33